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TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片
0 r: l3 g* d3 V+ ~7 e0 w, v" \
( O& G4 D& X$ P9 B4 `9 L概述
: h0 [* B6 O @* }1 GTDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。" g% S* O- Y! A7 f$ |
4 ~2 R* w' ~+ B/ I- O一般说明' B& i0 d" j% m5 n. t- M% H
RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V 9 L) B1 Q8 X7 w+ y2 B3 K
RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
; \. e X2 L" H4 ]/ D高功率和电流处理能力* ^/ ^/ ~# |" O& e, Z
ESD保护) ]3 [. K) P9 g7 H! ^* J0 e ?2 }
表面安装包
" [! X- a3 x* f) H C无铅和绿色设备可用（RoHS兼容）7 q. v0 t% e4 I! b6 Y7 R
- B! V' j, H& c3 B3 _, j; J0 P' x应用
o" i. b5 L4 [- B WM应用程序
5 m" H0 A8 V% q9 v负载交换机& a+ x4 r: q U' w% A
电源管理
" Z( F! `4 Z) Z; U供电系统
7 H: S/ j3 k( b$ A; o; j; x/ G ]6 Z3 V! U. G
; i6 P) \: @( u
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