2、耦合电容 放置到前面,采取π型滤波方式,建议参照官方给的建议进行更改
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7 a& D, Z! Y/ K" q具体设计要求请参考以下内容:" c# u$ p$ ?& w( N" x$ K
布局要求: 1、布局整体紧凑,一般放置在主控的同一侧,靠近主控IC。 2、布局是尽量使电容分支要短(目的:减小寄生电容,) 3、晶振电路一般采用π型滤波形式,放置在晶振的前面。
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布线要求: 1)走线采取类差分走线; 2)晶体走线需加粗处理:8-12mil,晶振按照普通单端阻抗线走线即可; 3)对信号采取包地处理,每隔50mil放置一个屏蔽地过孔。 4)晶体晶振本体下方所有层原则上不准许走线,特别是关键信号线。(晶体晶振为干扰源)。 5)不准许出现stub线头,防止天线效应,出现额外的干扰。 7、继电器为干扰源,请本体下面挖空处理。并且,走线需要加粗处理。 9 w0 f" s1 _& x9 P+ x. T( m, h
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