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- _2 R- @+ l, |% {* X1、晶体请采用π型滤波方式4 w2 `, w2 }2 }& l
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6 S% A/ j; v/ I; n; b布局要求： 1、布局整体紧凑，一般放置在主控的同一侧，靠近主控IC。 2、布局是尽量使电容分支要短（目的：减小寄生电容，） 3、晶振电路一般采用π型滤波形式，放置在晶振的前面。 9 R+ s( J" w+ U% L* N5 K8 l9 W) ]
布线要求： 1）走线采取类差分走线； 2）晶体走线需加粗处理：8-12mil，晶振按照普通单端阻抗线走线即可； 3）对信号采取包地处理，每隔50mil放置一个屏蔽地过孔。 4）晶体晶振本体下方所有层原则上不准许走线，特别是关键信号线。（晶体晶振为干扰源）。 5）不准许出现stub线头，防止天线效应，出现额外的干扰。 8、继电器为干扰源，请对本体下面的所有层都进行挖空处理，并且走线进行加粗处理。
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