场效应管工作原理,最全面场效应管工作原理-KIA

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       MOS管MOS场效应管电源开关电路。
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# [+ i% ^# y9 D* v4 v+ |5 K# F　　简单解释一下MOS场效应管的工作原理。
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' Z. g: a9 I/ i1 T1 ]& f4 @; Z　　MOS 场效应管也被称为MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它普通有耗尽型和加强型两种。本文运用的为加强型MOS 场效应管，其内部构造见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，关于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样关于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们晓得普通三极管是由输入的电流控制输出的电流。但关于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，能够以为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的缘由。

# j/ a: S% j7 `* `7 _4 ]) g- I2 L　　为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先理解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们晓得在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流经过。这是由于在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸收而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而构成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被汇集在P型半导体端，负电子则汇集在N型半导体端，电子不挪动，其PN结没有电流经过，二极管截止。
　　关于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面剖析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸收出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挠，使得电子汇集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而构成电流，使源极和漏极之间导通。我们也能够想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的树立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决议。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理相似这里不再反复。

1 W& o0 z2 U: @/ \& ]' x: y　　下面简述一下用C-MOS场效应管（加强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个加强型P沟道MOS场效应管和一个加强型N沟道MOS场效应管组合在一同运用。当输入端为低电平常，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平常，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。经过这种工作方式我们能够取得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正由于如此，使得该电路不会由于两管同时导通而形成电源短路。

    场效应管SI7615ADN-T1-GE3 的参数
! D3 b6 j" Q& |' M　　零件号别名：SI7615ADN-GE3
8 X  v" o! L1 v: C1 w　　功率耗散：52 W
# n. ]4 H4 o( Z: G/ F/ |0 Y　　包装形式：Reel
/ R/ ^$ x7 n& X% ^　　封装形式：PowerPAK 1212-8
% n1 S# B" |! z  j9 d　　安装风格：SMD/smt
$ w. R+ {. i. x% P3 D　　配置：Dual
　　电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.4 mOhms at 10 V漏极连续电流：- 35 A
4 K/ E1 @* H: B* c# J　　汲极/源极击穿电压：- 20 V
5 x4 p' [8 M' |( \6 B: H  O　　晶体管极性：P-Channel
5 n( i9 y( I7 x% `2 e9 f0 Q　　RoHS：是
　　产品种类：MOSFET
　　制造商：Vishay
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好！

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