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如何建立IBIS模型和使用IBIS模型

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发表于 2019-9-18 15:35:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
    如何建立IBIS模型0 d8 T' _6 d* ^3 z

) Z+ V1 Z, P( q4 O" Y    IBIS模型可以通过仿真器件的SPICE模型来获得,也可以用直接测量的方法来获得。作为最终用户,最常见的方法是到半导体制造厂商的网站上去下载各种元器件的IBIS模型,在使用前要对得到的IBIS模型进行语法检查。7 \2 {0 }/ S' g- F

% A% h8 o+ c$ I  [; @    建立一个元器件的IBIS模型需要以下5个步骤。% A0 Y1 G* ^# L" d; O2 Q) [1 J4 o

$ Z0 v& h( e1 `; p4 ]    (1)进行建立模型前的准备工作,包括决定模型的复杂程度;: N# u# p# r4 W6 \8 x
- w$ {, Q0 p* [  ^
    根据模型所要表现的内容和元器件工作的环境,来确定电压和温度范围,以及制程限制等因素;获取元器件相关信息,如电气特性及引脚分布;元器件的应用信息。
" A: X# O2 C0 i7 a9 ?6 t$ ~( g! w; i. M4 t0 ~
    (2)获得U-I曲线或上升/T降曲线的数据,可以通过直接测量或仿真得到。
6 |. s9 w5 n$ O
. {' D8 |) Q, Z4 v) Z0 }    (3)将得到的数据写入IBIS模型。不同的数据在各自相应的关键字后列出,要注意满足IBIS的语法要求。2 `- y- U" u. u4 L2 ~, ]

4 x) ~8 N9 y9 h    (4)初步建立了模型后,应当用s2iplt等工具来查看以图形方式表现的U-I曲线,并检查模型的语法是否正确。如果模型是通过仿真得到的,应当分别用IBIS模型和最初的晶体管级模型进行仿真,比较其结果,以检验模型的正确性。
8 M- A* \& T6 i% f' y/ n! C
, F, }) S$ w6 r! L0 J    (5)得到了实际的元器件后,或者模型是由测量得到的,要对模型的输出波形和测量的波形进行比较。* I! `7 X0 z1 h) ^8 E* {0 m
) o9 i' \8 y2 O$ N3 P7 K% h, r
    如何使用使用IBIS模型
( @7 Q* K5 S/ u! z
( M  x1 S* ]; c/ n" i% |  V    IBIS模型主要用于板级系统或多板信号的信号完整性分析。可以用IBIS模型分析的信号完整性问题包括:串扰、反射、振铃、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析等。IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确、精细的仿真,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,以及一些用物理测试无法解决的问题。在使用时,用户用PCB的数据库来生成PCB上的连线的传输线模型,然后将IBIS模型赋给PCB上相应的驱动端或接收端,就& r1 D9 k0 }6 e
. x! w# ^9 Y; P: g0 B$ h6 i5 P
    可以进行仿真了。, c  x  B7 e: ~4 Z& H* C* m2 O

( z6 c% j; w/ V    虽然IBIS模型有很多的优点,但也存在一些不足。目前,仍有许多厂商缺乏对IBIS模型的支持。而缺乏IBIS模型,IBIS仿真工具就无法工作。虽然IBIS文件可以手工创建或通过SPICE模型来转换,但若无法从厂家得到最小上升时间参数,则任何转换工具都无能为力。# G+ S$ n$ [7 k  E% V, A  F/ Q% k
. K8 N5 ]( Q8 B! w3 r
    另外,IBIS还缺乏对地弹噪声的建模能力。! w2 u# _$ R& l: @8 j
& F+ O" @8 \! C( X9 o5 i; T: e
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