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2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片

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发表于 2020-4-15 21:09:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片1 {: E% n- \! a' l0 [
手电筒紫外杀毒灯手电筒专用升压恒流驱动芯片5 [$ f; Z. I( |4 |$ j/ _
可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单
. j4 T8 H+ M  {; U2 ^最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动1 k% Z' |6 g; q0 [0 D" @1 C" o
描述1 [# \1 u1 \+ }2 z$ E
AP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误# s5 c# _; Y; O$ i
差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成* E  G2 T; J- k$ s* \" e
的CMOS升压型DC/DC LED驱动。9 }8 a* H6 C" g
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率
% I- P* n! B9 x3 n" iMOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的8 l7 t+ x, @4 s1 z: l
应用电路。
- e: ^* t9 R4 M' ]) g另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电
4 o- ]! W8 c0 y0 H( _5 b& D5 ?阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电
( K3 A- d; t+ |: R; u& {' \$ O, \压 (VSENSE) 设定为107mV,因此可减少在6 A8 u; p& N( i8 ?1 l" B5 F
RSENSE 端产生的损耗。
" S3 c4 x6 }& i6 c9 d, e* ^5 ZAP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。3 d( q2 K3 r& `
并且,采用了SOP8封装,散热性好,可适用于高
( {$ m, u8 a/ W' R- q0 m  o密度安装高精度高效率的应用。
! O- u. T4 @% U: s) s特点/ P/ k9 V- H  j  O
 可自由设置恒流大小:如当设定 RSENSE=143mΩ
5 k+ x% l0 Y* D3 Z( [& ]时,恒流值是 750mA。  输入范围:2.5~6V# I& h& x! T: U1 U/ ]+ D- y
 带载输出:2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED
, Y5 I2 a1 ^1 Z+ u8 _. q 设置 VOUT=12V 时,推荐 Vin 不低于 3.1V" W4 n' D1 o+ k4 L! E. Q
 工作频率:1.0MHz
: o* h# x. K0 [. }2 {; A 基准电压:1.25V) q. H" v+ a* w% Q4 V8 s

- M3 _5 F  i  p 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms(典型值)
) j7 I2 o7 D+ w* R&#61548; UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V& c( y* l6 N& y1 O, Z. g
&#61548; 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻  D5 ^% h( B! u
应用场合# R3 J, W$ v+ W% x# ?. J
&#61548; 2 串(≤9W)LED 灯 &#61548; 3 串(≤9W)LED 灯
$ A$ B8 @) s1 Y# p9 g0 R/ d封装形式 &#61548; SOP8
/ t) Z7 w) J/ P$ }+ ^5 B8、样板申请联系: 8 [! X! y! F/ y+ e* X4 r" ]2 D
深圳市世微半导体有限公司 9 f9 B7 l" H3 J1 c* q# G4 j
如需要了解可以联系欧阳: 18811874036 13714437124(微信)QQ:2355558464 3 a% C1 e) z/ A5 P- l, f
深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326
- C' p8 p8 J1 p' q2 \4 T9 M- C' @
* Z7 U+ ^- R! F3 o8 F9 E  t2 v  K& y6 L3 N: S

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