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2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片 0 F! S+ X4 ~! E6 v
手电筒紫外杀毒灯手电筒专用可单节锂电池供电升压恒流驱动芯片
. a- h( `( \6 q( U. _, X9 E3 C可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单
|* E; T, ^( E" F最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动 # U% x2 m& C$ D! o9 y' b
描述 L# n5 l0 v* G1 G7 c
AP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误
* [3 ^1 G9 G7 D }' M! i' Y% z差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成 ( M1 z1 k; z& C+ Z) A
的CMOS升压型DC/DC LED驱动。 4 \+ F9 G8 y5 t7 W
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率 9 R* S8 @0 p' R7 H% i+ O
MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的
/ O5 H) x6 B2 y应用电路。 - X3 ~) w* K2 Q$ M' d
另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电 6 \2 g1 j" m5 a6 d4 I; Z- |- V
阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电
$ h& W; |9 \. k& F压 (VSENSE) 设定为107mV，因此可减少在 3 J0 {* f$ |6 y6 ] U2 p" Q0 J$ l
RSENSE 端产生的损耗。 . m* r$ W' S9 B
AP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。 6 p. k+ B7 `7 \) p1 E6 t
并且，采用了SOP8 ，散热性好，可适用于高 + _$ ~' l; [) R* `( o+ \9 K$ h% g
密度安装高精度高效率的应用。 + N3 f/ j) ^' _7 o2 L
特点
7 C+ n- p4 |4 T; N8 m+ B6 N8 _. l- H 可自由设置恒流大小：如当设定 RSENSE=143mΩ
* D- m3 W- Z9 F2 [时，恒流值是 750mA。  输入范围：2.5~6V : w* r( }9 P; H
 带载输出：2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED
0 [1 n) H' o0 r" p; J 设置 VOUT=12V 时，推荐 Vin 不低于 3.1V
- r7 r" L& K) O* z) k 工作频率：1.0MHz * n7 B+ U X! E
 基准电压：1.25V
2 j; d0 V$ p$ m- O   . B. Z; z/ A4 Z3 N% i
 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms（典型值）
4 p! i* k! O5 ?5 R* Q9 t- l UVLO (欠压锁定) 功能：VDD<2.3V
' j/ Q O& x/ K6 b! K! d 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻
- H, `' a' g, y8 D- L应用场合 # `- N! A6 [, w9 m
 2 串(≤9W)LED 灯  3 串(≤9W)LED 灯 3 o) m1 x: t+ n3 o' J j5 N5 e
+ [( Y$ ^4 n# a7 e7 E/ k" Z0 c' K
8、样板申请联系：
, y/ [9 b% F$ @* t深圳市世微半导体有限公司
$ E' D4 r2 v0 {: ^* T- m9 w) |如需要了解可以联系欧阳： 18811874036 13714437124（微信）QQ:2355558464 / Q+ M1 v6 }. p$ q y
深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326 . p9 y, o$ W1 ^& K R6 W7 k
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