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2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动

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发表于 2020-4-15 21:11:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片
; o& N) B  N+ e* M: l
手电筒紫外杀毒灯手电筒专用可单节锂电池供电升压恒流驱动芯片
2 ^. j. X' y* j; ]7 Y4 m0 T
可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单

9 O5 T5 B/ Z3 _" ]& d) ]  y' l  C
最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动
  P  o" e  d& ]3 |$ g
描述
  P2 \7 X/ s+ }! k' I3 J
AP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误
" X/ k3 ~! I1 C9 f
差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成
/ f. j* m7 `7 |5 I) U6 g5 P
的CMOS升压型DC/DC LED驱动。
: y0 k0 m( u& D# d- K1 V
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率
  |+ d, G8 ~- R% N
MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的
4 Q0 x! V2 C# \5 H( R4 o
应用电路。
. z' Z6 f) p2 ^2 M3 ?* R& o& d4 Y
另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电

1 x" X  _% h/ ~* T5 g
阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电
, g! w# [$ @: j; x" o" Y# U, d8 n
压 (VSENSE) 设定为107mV,因此可减少在
' Y5 H, w- \4 f9 [/ v
RSENSE 端产生的损耗。
, r" E7 t3 ~& Y0 s# C
AP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。

  ]$ d1 B' B0 t. w
并且,采用了SOP8
,散热性好,可适用于高
; I& ]# Z5 _& {6 o  a: v
密度安装高精度高效率的应用。

+ q9 \2 p+ Y5 G3 F: Z$ Q
特点
1 }$ @$ g9 s# G  j  L
 可自由设置恒流大小:如当设定 RSENSE=143mΩ
& e/ X8 V2 I8 q/ y
时,恒流值是 750mA。  输入范围:2.5~6V

, m/ D; K" ^/ M  v$ i2 B: n$ l3 ~
 带载输出:2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED

/ _- s5 m2 E, P) p
 设置 VOUT=12V 时,推荐 Vin 不低于 3.1V

: `9 q2 |  ~* r8 x7 i' S2 U6 g# i3 @
 工作频率:1.0MHz
" @, r4 {9 K5 L3 l" x$ r: d
 基准电压:1.25V
/ o& _( L& Q1 V( R
: [( ~5 W- R# f4 k. B
 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms(典型值)

9 P1 j6 Q7 v7 L0 l; M) s
&#61548; UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V

* }/ n* v2 x0 @) d8 [0 |, Y/ ]
&#61548; 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻
& K2 Q# u- {8 W& j3 I
应用场合
! @0 T+ n5 f, }$ G: T
&#61548; 2 串(≤9W)LED 灯 &#61548; 3 串(≤9W)LED 灯

) w$ x/ p( e7 U2 v5 ^) M7 b5 ?# I
封装形式 &#61548; SOP8
) K. C# V3 e1 x
8、样板申请联系:

/ Q  Q. `( Q* i5 K  C4 X7 @, F# W
深圳市世微半导体有限公司
8 S# M3 F; C# L
如需要了解可以联系欧阳: 18811874036 13714437124(微信)QQ:2355558464
) T) Z: e% x; C/ O3 ^
深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326

/ P  h' e) n5 ^0 D6 ^4 ?
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