陈翔+第二十二次作业+2片DDR3-T点设计

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设计要点

1,2片DDR3芯片关于BGA芯片对称布局，与BGA芯片参考距离600-800MIL(无排阻)，800-1000MIL(有排阻)。------距离指SDRAM芯片中心与BGA芯片Bank中心。

2,走线分为三组，(数据线低八位+数据掩码+数据锁存)---(数据线高八位+数据掩码+数据锁存)---（地址线+时钟线+控制线）。

3,数据要求同组同层，数据线与地址线分开，根据具体情况，保持两者间3W原则或者中间用地线隔开，地线推荐15-20MIL.

4，等长要求：(数据线±25Mil)---(地址线+时钟线+控制线：±100Mil)。

5，单端阻抗控制：50ohm，，差分阻抗控制：100ohm.

6，相邻两层的走线不能平行，需调整错开。

7，DDR相关信号距离参考平面边沿30MIL以上。

凡亿黄老师

没什么问题，继续加油！