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[作业已审核] AD32 王其辉 第六次作业 1片SDRAM

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发表于 2020-12-17 22:41:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
1.布局
1.1SDRAM与cpu bank区域对称摆放(如果考虑到美观,可以SDRAM 与CPU居中摆放)
1.2SDRAM靠近CPU摆放,要考虑布线(布线等长,放置地过孔,考虑后期拆卸芯片等)。
    一般SDRAM和CPU中间没有排阻间距:600-800mil;一般SDRAM和CPU中间有排阻间距:800-1000mil
1.3滤波电容靠近IC管脚摆放。
1.4其他元件就近原则。
2.布线
2.1单端特性阻抗50欧姆(特性阻抗跟线宽有关,这里采用5mil 线宽)
2.2低8位数据线(D0-D7)和低8位数据掩码线(LDQM)为了避免受到干扰,要求同层布线,尽量走内层,尽量在靠近GND层的层布线;等长误差+-50mil,公差=50-(-50)=100mil
2.3高8位数据线(D8-D15)和高8位数据掩码线(HDQM)为了避免受到干扰,要求同层布线,尽量走在内层,尽量在靠近GND的层布线;等长误差+-50mi
公差=50-(-50)=100mil
2.4线号线间满足3W(中心距)原则(中心距3W,间距2W,这里线宽为5mil,线与线间距设置10mil)。数据线与地址线、控制线线、时钟线之间的距离满足3w或20mil以上,或者采用地线隔离,地线上打上地过孔。
2.5信号线打孔换层的地方,放置地过孔。
2.6信号线越短越好
2.7地址线、控制线、时钟线分为一组,不需要同层,等长误差+-100mil;公差=100-(-100)=200mil
公差=最大值-最小值
3.实操
3.1先布局(sdram 与CPU之间没有排阻,间距600-800mil;SDRAM与CPU居中对齐,这里考虑美观;其他元件就近原则;看一下原理图是否元件特殊摆放位置)
3.2扇孔
3.21CPU扇出和SDRAM 扇出,地和电源网络打孔扇出,其他长线扇出,短线直接连接
3.21扇出原则:长线打孔扇出,短线直接连接
3.3布线
3.31先布数据线
(1)先布低8位数据线(D0-D7)和低8位数据掩码线(LDQM)同层布线,且拉开不要同层重叠,不需要考虑DRC
( 2 )再布高8位数据线(D8-d15)和高8位数据掩码线(HDQM)同层布线,且拉开不要同层重叠,不要考虑DRC
(3)在高8位和低8位的边缘绘制地线(和控制线、地址线、时钟线隔离)
(4)再布控制线、地址线、时钟线,不需要同层,直接连接上,且拉开不要同层重叠,不考虑DRC
(5)将数据线修到最短,并控制间距(3W)(先把这组所有修到最短,再看组最长的线能不能修短,能修短就修短)
(6)数据线绕等长
(7)修地址线、控制线、时钟线,修要最短,并控制间距3W
(8)地址线绕等长(同5)
(9)再电源层分割,信号走线下方,一定要为同一电源平面(这里是3.3V);相同的电源网络尽量下方为改电源平面
(10)最后连接地(扇出已经直接连接地)





AD32 王其辉 第六次作业 1片SDRAM.zip

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发表于 2020-12-21 09:43:18 | 显示全部楼层
SDRAM模块已经评审完毕,请查看附件中的评审报告!

全能三期王其辉SDRAM模块评审报告20201221.docx

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