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VCC、 VDD、VEE、VSS最权威的解释

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发表于 2016-9-17 17:51:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
版本一: & N! k% O7 z7 D' D- g5 q
简单说来,可以这样理解:: D& O5 y& K# L# {8 S2 v/ w
一、解释 :1 t  |' _& A; }7 R
VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压; / \, A* V0 u6 j: o+ o" {
VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压; / n8 q; J$ r5 K* _5 N# B3 P4 p! v1 S
VSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压; VEE:负电压供电; VPP:编程/擦除电压。
1 q. d+ L/ {+ Q9 s# d. `二、说明 :
# y7 m) M/ I# K9 E7 x$ }, ?7 L& \" v1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点。 . S- K4 Q: K0 {
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
0 a% h1 h1 P  z) Y9 U2 I3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。
) m7 l5 W/ Q& C. j4 z$ m5 k版本二: . B0 k- ?4 c3 ~1 I3 ~0 ^
VPP:编程/擦除电压。  
2 s6 E, Q+ R6 z- s4 i3 \VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)  VSS:地或电源负极  % D$ |. |1 U% Z. H* Y
VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(Voice Controlled Carrier)  VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管)   
0 Q! `, ]( S* j$ R. q* x版本三:   A" J. k" \7 b- p" y7 l7 V# y
通常VCC和VDD为电源正,而VEE和VSS为电源负或者地。 VSS表示连接到场效应管的源极(S)的电源。    VDD表示连接到场效应管的漏极(D)的电源。  VEE表示连接到三极管发射极(E)的电源。  VCC表示连接到三极管集电极(C)的电源。  它们是这样得名的:
) D1 @; v' r8 v9 q+ y4 kVCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点,详细接电源的极性需视器件材料而定。 VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极,VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。 同样,VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。 例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成,那么它的VDD就应接电源的负,而VSS应接正电源。    版本四:
- n- z# i( g: p' w9 c% BVcc和Vee出现在双极型晶体管电路中,和集电极(collector)发射极(emitter)有关,所以一正一负。 Vdd,Vss在MOS电路中出现,和漏级(Drain),源极(Source)有关,也是一正一负。   H" W6 o0 j5 p6 t8 h" A$ s
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正(例如:二极管)。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数。 * I. S. R' |1 z( ]# S# k6 O
单片机中Vpp多数定义为编程电压,有的资料上把Vddf为Flash供电的外部电压总结:这四个版本从两个方面讲了VCC、VDD、VEE、VSS、VPP之间的区别,前两个版本一个方面,后两个版本一个方面,互相补充 。
- c9 A* u  D% t; k9 m
! t9 s/ g- l6 V+ q& j9 {9 b0 b  u1 z& x6 J; S# A
我在其他论坛上看到的  也在这里给大家分享
: @5 |/ ]2 W; C' Y* `( i% f9 Z) B& d( H  y; O

# v, g, ?2 V9 w+ Q# i# J
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发表于 2016-9-18 11:21:13 | 显示全部楼层
讲的比较好,学习了,谢谢分享
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发表于 2016-9-27 13:21:43 来自手机 | 显示全部楼层
我能说我都不知道吗
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发表于 2016-10-19 21:45:38 | 显示全部楼层
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