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1、 定义 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可经 SD 卡转换器后，当 SD 卡使用。 TF 卡产品( C: ^* C- y7 R. r7 T, b, X; C
采用 SD 架构设计而成， SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD ， 已成为 SD 产品中的一员 。. Y4 ?; C; T3 N7 t
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一6 T% E$ k _' ~" z5 X5 z$ _0 c
代记忆设备。 $ }) q4 q5 q; h3 ]& w3 O
; i t3 Z- G9 h" }
CLK:时钟信号。: \- w8 n5 R: j+ r+ K; `5 l
CMD:双向命令和响应信号。- v7 f5 h# j0 Z$ x! v
DAT0-3:双向数据信号。( v! F4 v+ T% r5 E' P( t9 A
VDD、 VSS:电源和地信号。
' _+ h) ^7 T" eCD：卡检测。
9 z, k* ~3 e1 W; ?* Z9 q6 i" Z: V$ f! J9 G" w2 F# Q! x6 d
2、阻抗控制要求, _. x3 Q( X* F$ L- D8 o
单端阻抗控制在50欧姆。
1 p/ E5 r( ~2 w, u3、 走线要求
& ?4 i1 r( T/ ^4 T所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面，尽量避免夸分割的情况出现，4 ?, ^9 M$ m8 @; h3 |& w$ x2 o7 \
特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长，误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下，采取包地处理。如果做不到，尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔，缩短回流路径。电源和地走线加宽，请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距，不能太近，预防连锡。（ 1.5mm 适宜）
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