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1、 定义 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可经 SD 卡转换器后，当 SD 卡使用。 TF 卡产品* G X6 F- F- o+ @- x+ k$ M
采用 SD 架构设计而成， SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD ， 已成为 SD 产品中的一员 。8 }, R" g* x- W+ ?
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一
* V" u Z+ s# b% I2 l O代记忆设备。 0 ~, b' ^% _, u1 u$ h: x1 V+ g
" \. T8 n t6 PCLK:时钟信号。. Y) s2 D3 _4 H0 @! k& b
CMD:双向命令和响应信号。3 _' T5 I& ^$ M0 V8 B
DAT0-3:双向数据信号。
4 W* r4 Z. K" U [) d8 A% [5 VVDD、 VSS:电源和地信号。
+ M' m7 a9 ]1 x8 c) U dCD：卡检测。
0 t% n& ]) @1 u5 @9 T4 }: B
3 W' T0 B1 y5 V! R5 t4 a) ^' I+ T: ^2、阻抗控制要求9 `: Z$ N/ d6 T6 i; @
单端阻抗控制在50欧姆。
! v/ f( V9 w/ X8 q% W3、 走线要求0 l) a0 D }: K4 L
所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面，尽量避免夸分割的情况出现，* _* H/ F( c( r5 D$ n _+ g" V
特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长，误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下，采取包地处理。如果做不到，尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔，缩短回流路径。电源和地走线加宽，请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距，不能太近，预防连锡。（ 1.5mm 适宜）
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