1、 定义 TF 卡: TransFLash , TF 卡可经 SD 卡转换器后,当 SD 卡使用。 TF 卡产品; b! h% g9 W) C+ r
采用 SD 架构设计而成, SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD , 已成为 SD 产品中的一员 。" F* E O: {6 J7 B' b7 Z
SD 卡: Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一
2 \ Q8 O$ G' c( e, K- R0 x代记忆设备。
o: o9 O8 K! F
8 y! I7 d$ P) x9 w; C% ECLK:时钟信号。, f/ {' C* ?: j& U" g. Z3 k
CMD:双向命令和响应信号。
* m% |& _ _& d; {( m6 dDAT0-3:双向数据信号。+ X" L. w4 J- D# q( l
VDD、 VSS:电源和地信号。
( m+ J+ K7 {' h' L7 e7 k- hCD:卡检测。
* d6 m2 I' G) S! ]/ ? n
3 m; Q2 V( F, K2 m! Y" O2、阻抗控制要求# Y3 h4 o Y/ z ?
单端阻抗控制在50欧姆。, s8 {( |. L" W% g2 F6 s
3、 走线要求
9 V8 j; @6 ?2 z1 q所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面,尽量避免夸分割的情况出现,( e" H6 u8 t8 ^, T1 B- K) X
特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长,误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下,采取包地处理。如果做不到,尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔,缩短回流路径。电源和地走线加宽,请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距,不能太近,预防连锡。( 1.5mm 适宜): F& u6 b! I9 l( P+ Z/ {
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