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1、 定义 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可经 SD 卡转换器后，当 SD 卡使用。 TF 卡产品# Z* y& E% v4 U4 u
采用 SD 架构设计而成， SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD ， 已成为 SD 产品中的一员 。7 N! \) s( ~- m9 k
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一
5 ^% z. I; m$ v! c% i代记忆设备。 / s0 i4 x; K1 ^* g, a! ?. X
/ A& ]& U/ r# }6 w- _/ [CLK:时钟信号。
$ ?! o/ y; H/ c( e8 u0 QCMD:双向命令和响应信号。1 K0 y3 T) j8 _
DAT0-3:双向数据信号。- e! |* H4 A) W- s" K
VDD、 VSS:电源和地信号。
' ?0 C! C: A7 [0 PCD：卡检测。
! r- C; b1 |" u
, h; B' ^( x P8 F* ^& Z2、阻抗控制要求5 C) r9 o# x: e, u1 ]2 e/ C
单端阻抗控制在50欧姆。
5 l; s# V3 k; p8 z% U3、 走线要求
: P2 T- {) R2 i, p4 g所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面，尽量避免夸分割的情况出现，
. {% H9 y! @$ P* ?# Z5 q& w, O! l特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长，误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下，采取包地处理。如果做不到，尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔，缩短回流路径。电源和地走线加宽，请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距，不能太近，预防连锡。（ 1.5mm 适宜）% M. g) a% M2 x9 X+ K7 z
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