1、 定义 TF 卡: TransFLash , TF 卡可经 SD 卡转换器后,当 SD 卡使用。 TF 卡产品$ R" @5 i( e& h) D6 i" ]
采用 SD 架构设计而成, SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD , 已成为 SD 产品中的一员 。
6 z" T5 S4 C$ Y' O0 O: O% P ]9 XSD 卡: Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一
4 X8 n: k( n9 x+ t/ d代记忆设备。
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CLK:时钟信号。
% m* ^! A& r' S. n# y( FCMD:双向命令和响应信号。
) g! n8 ~* G0 a7 D0 i/ qDAT0-3:双向数据信号。0 s% `8 ~2 o+ d) R% a! i( y
VDD、 VSS:电源和地信号。, b( y) i1 L7 L; q5 F* _& l
CD:卡检测。$ Z- c# I3 N z- C, K( E
: t. C# R) D# |1 r! U
2、阻抗控制要求6 b: L# ?6 Y Z1 g- ?0 d
单端阻抗控制在50欧姆。
+ W' ]7 I) W- e3 i6 v3、 走线要求% F$ G' J, W/ @5 F
所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面,尽量避免夸分割的情况出现,8 e# O: E7 k6 `, E0 p# I
特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长,误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下,采取包地处理。如果做不到,尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔,缩短回流路径。电源和地走线加宽,请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距,不能太近,预防连锡。( 1.5mm 适宜)+ ^* O2 X5 _' C, G% ` C
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