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常用存储器SDRAM的pcb设计
存储器的概念
用来存储数据和指令等的记忆部件
在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等
在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等
常见存储器
FLASH
SDRAM
DDR2 DDR3 DDR4
SDRAM管脚定义
概述
SDR：Single Data Rate，单倍速率
DDR：Double Data Rate，双倍速率
QDR：Quad Data Rate， 四倍速率
DRAM：Dynamic Random Access Memory， 动态随机存储器， 每隔一段时间就要刷新一次数据才能够保存数据
SRAM：Static Random Access Memory， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失
SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory， 同步状态随机存储器，数据的读写需要时钟来同步
管脚分类
数据信号
DQ0-DQ15：数据（输出）
DQM：数据掩码
时钟信号
CLKL：时钟
CKE：时钟使能
地址信号
A0-A11：地址
控制信号
CS#：片选
WE#：读写
RAS#：列选
Array
CAS#：行选
BA0,BA1:Bank选择
电源
VDDQ：DQ电源
VSSQ：DQ地
VDD：电源
VSS：地
布局
1片SDRAM
点对点对称布局
SDRAM靠近BGA放置
中间无排阻
600-800mil
中间有排阻
800-1000mil
滤波电容靠近IC管脚放置
2片SDRAM
2片SDRAM相对与CPU对称式放置
中间无排阻
600-800mil
中间有排阻
800-1000mil
空间足够时，SDRAM与CPU放在同一面
空间不足时，2片SDRA,顶底对贴
滤波电容靠近IC管脚放置
布线
特性阻抗
50 Ω
数据线尽量走在同一层
D0-D7，LDQM
D8-D15，HDQM
信号线的间距满足3W原则，数据线、时钟线、地址线、控制线之间的距离保持20mil以上，或至少3W
空间允许的情况下，应该在他们走线之间加一根GND线进行隔离。GND线宽度推荐15-30mil
拓扑结构
菊花链
T型结构
等长
数据分组
低八位数据组
sdram_data_bus：D0-D7,LDQM
高八位数据组
sdram_data_bus：D8-D15,HDQM
地址线、控制线、时钟线
sdram_addr_bus
等长规则
低八位数据组等长
误差范围：+/-50mil
高八位数据组等长
误差范围：+/-50mil
地址线、控制线、时钟线一起等长
误差范围：+/-100mil
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