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[作业已审核] 孙怀明AD-第五次作业-SDRAM设计

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发表于 2021-7-19 21:26:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
SDRAM存储器;用来存储数据和指令等的记忆部件在集成电路中,一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器,如RAM、FIFO等
点对点对称布局
SDRAM靠近BGA放置
中间无排阻:600-800mil
中间有排阻:800-1000mil
滤波电容靠近IC管脚放置
特性阻抗:50 Ω
数据线尽量走在同一层:D0-D7,LDQM;D8-D15,HDQM
信号线的间距满足3W原则,数据线、时钟线、地址线、控制线之间的距离保持20mil以上,或至少3W
空间允许的情况下,应该在他们走线之间加一根GND线进行隔离。GND线宽度推荐15-30mil
数据分组:低八位数据组
    :D0-D7,LDQM
高八位数据组
    :D8-D15,HDQM
地址线、控制线、时钟线
等长规则
     低八位数据组等长误差范围:+/-50mil
      高八位数据组等长 误差范围:+/-50mil
      地址线、控制线、时钟线一起等长误差范围:+/-100mil

1片SDRAM模块.zip

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发表于 2021-7-20 10:11:14 | 显示全部楼层
全能七期孙怀明AD-SDRAM设计评审报告2021.07.20.doc (554.7 KB, 下载次数: 4)
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