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作者：一博科技
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之前已经讲过DDR的前世今生，以及DDR的各种功能探秘，基本上对于DDR，我们已经有了比较深刻的认识，接下来就是利用我们已有的标准，去解读DDR。' W2 J9 E9 N, e! L: N
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通常，DDR设计完成之后 ，对信号质量并没有一个完全确定的概念，需要我们通过仿真和测试的手段去判断和验证。而此时，往往我们拿到的就是一个波形，测试波形或者仿真波形，该如何去判断其信号质量，参照的标准又是怎样的，就是我们需要去考虑的重点。! o5 Z ^: W4 \6 X. l
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2 n. }( p% l% |$ ` MDDR信号是数字信号，表现为0、1两种形式，一般看到的波形都是类似于正弦波的样式，什么时候判定为1，什么时候判定为0呢？每一个信号都是以电磁波的形式进行传输，因此一定具有相应的幅值，所以判定方法肯定是当幅值高于某一个值时，判定信号为1，低于某一个值时，判定为0。而判定的依据——某一个值就是可以从JEDEC中找到的。如图一所示，是DDR3地址命令信号的AC、DC标准，对应相应的速率，就可以在波形上面标注出相应的VIH和VIL。当幅值范围为VIHAC（min）~VIHDC（min）时，判定为1，当幅值范围为VILAC（max）~VILDC（max）时判定为0，如下图二所示3 p9 k5 c$ ^- V3 c) P- t3 L/ e0 F
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图一
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图二 3 R: W9 Y2 D6 W: o( f5 `" H4 b
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对于做为差分线的CK信号和DQS信号而言，判定的要求又分为单根和差分模式，单根模式的判定标准和地址数据线基本一致，如下图三所示。它的判定标准只有VSEH和VSEL。实际这两个值对应的就是VIH.AC和VIL.AC。
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图三 X/ s5 k' \6 G+ \( a
$ f7 M7 v2 z5 U: y5 z差分模式如图四所示，数据见表格。
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" V2 C* E& x. H( w, d. n图四
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而且同时对两个单根的交点也有一定的要求，如下图五所示，两个单根的交点位置要在VSEH和VSEL之间，否则的话差分模式下，正半周期和负半周期可能会有比较大的一个比例差异。/ p- Z$ S6 x8 P# x
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图五6 b% s/ q2 c* o; y5 E$ p" E
对信号幅值的要求不仅仅在这一个方面，幅值太小，会让芯片无法识别信号，那么幅值越大，岂不是对于信号的判定越有利。其实不然，一般的芯片都会有一个耐压值，高于该值，对于芯片的使用寿命会有一个较大的影响，所以，可以看到JEDEC中，还有一个Overshoot和Undershoot的概念，下面是DDR3对于信号这方面的一个要求，图六中是对Overshoot和Undershoot一个面积区域和具体的数值的定义，即最大值的范围在VSS-0.4~VDD+0.4之间，斜率按照相应的速率查找，其中斜率的定义对于数据线和地址线是有区别的，要用到的时候，在JEDEC中查找即可。) j0 d4 ^4 o3 u1 r. q4 b
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图六
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: I+ w" \' \* Z( d' Q6 P这些都是对DDR信号最基础的认识，只是基于幅值方面的一些要求。4 v0 t( R! R6 `3 q+ W4 N" Y' u, r* f
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