|
作者:一博科技
9 K( G8 {" @7 }8 _, U3 f
, B! Q; ~; g4 G" R" B6 c之前已经讲过DDR的前世今生,以及DDR的各种功能探秘,基本上对于DDR,我们已经有了比较深刻的认识,接下来就是利用我们已有的标准,去解读DDR。' S e. ]" Q) m& m* \
* x: c; _( a( i4 u8 ]6 P. O
通常,DDR设计完成之后 ,对信号质量并没有一个完全确定的概念,需要我们通过仿真和测试的手段去判断和验证。而此时,往往我们拿到的就是一个波形,测试波形或者仿真波形,该如何去判断其信号质量,参照的标准又是怎样的,就是我们需要去考虑的重点。
! {9 H$ v6 r& b# q# A6 R. w
! ~5 ?- j! u' O% }9 T# S% m: |9 E
% Y1 Z! o3 a+ ]* ~% \DDR信号是数字信号,表现为0、1两种形式,一般看到的波形都是类似于正弦波的样式,什么时候判定为1,什么时候判定为0呢?每一个信号都是以电磁波的形式进行传输,因此一定具有相应的幅值,所以判定方法肯定是当幅值高于某一个值时,判定信号为1,低于某一个值时,判定为0。而判定的依据——某一个值就是可以从JEDEC中找到的。如图一所示,是DDR3地址命令信号的AC、DC标准,对应相应的速率,就可以在波形上面标注出相应的VIH和VIL。当幅值范围为VIHAC(min)~VIHDC(min)时,判定为1,当幅值范围为VILAC(max)~VILDC(max)时判定为0,如下图二所示
1 \" k i) h8 Q" v) ?) ^, r+ t; E
4 u- q. A9 Z; B
?5 ^1 }+ y# x1 ]图一
4 s, Y- I" @! u6 P- M1 `& u |$ _2 p" g- K" ]; j
图二 1 q3 v) I9 d% ~
' g+ A6 C4 s) }, b: d对于做为差分线的CK信号和DQS信号而言,判定的要求又分为单根和差分模式,单根模式的判定标准和地址数据线基本一致,如下图三所示。它的判定标准只有VSEH和VSEL。实际这两个值对应的就是VIH.AC和VIL.AC。
/ H( b3 p2 F1 ^& x9 J! a
8 W( ]1 K0 R" O, o2 g# N图三
+ B; b9 m4 l7 }9 M6 g8 U& q3 k' R3 {. A8 ~% K
差分模式如图四所示,数据见表格。0 p: ^3 H" S" w: ?# f
* z2 W$ S% n& e7 k
% R1 L* d4 N% [% `# r0 O% Y
图四
" x3 R0 m$ P, {( D" H8 R4 L( D1 T6 r/ y q4 @1 i! ~6 d$ R$ H1 B- ?
% P# b$ c1 u6 a6 }4 O) ~而且同时对两个单根的交点也有一定的要求,如下图五所示,两个单根的交点位置要在VSEH和VSEL之间,否则的话差分模式下,正半周期和负半周期可能会有比较大的一个比例差异。
9 V+ z! T5 q1 Q8 @' J4 g: s# `6 Y2 d
( B4 K9 |2 U4 K4 a6 F }0 v图五) r( m5 I% \6 j1 L
对信号幅值的要求不仅仅在这一个方面,幅值太小,会让芯片无法识别信号,那么幅值越大,岂不是对于信号的判定越有利。其实不然,一般的芯片都会有一个耐压值,高于该值,对于芯片的使用寿命会有一个较大的影响,所以,可以看到JEDEC中,还有一个Overshoot和Undershoot的概念,下面是DDR3对于信号这方面的一个要求,图六中是对Overshoot和Undershoot一个面积区域和具体的数值的定义,即最大值的范围在VSS-0.4~VDD+0.4之间,斜率按照相应的速率查找,其中斜率的定义对于数据线和地址线是有区别的,要用到的时候,在JEDEC中查找即可。: e5 g# S" G4 q
1 ]6 ?* }' [( s1 U; b. k
7 o( V8 @# t! E O( j D图六 ; Q' W k' n3 \8 F/ U# u0 ?+ c
) y& C* T* P9 l! V' u$ {$ k- ]9 m$ N这些都是对DDR信号最基础的认识,只是基于幅值方面的一些要求。
6 f- S S, Z9 N$ b" c; O6 [" M& J* E, ^( z# t* m' |
|
|