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01 三个极的判定& C9 C" i/ m. Z l
& F# B0 J( ^% |3 v4 U
/ F# Z1 f, g- L8 y' T7 |; k% y' I& o5 f& C5 q. ^
G极(gate)—栅极,不用说比较好认;- ]- ? E" Y% o* J, g; |
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是;
8 ? l! o2 S4 [- B9 VD极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边。% s7 `' I) |/ v; ?& n. D
2 N# g$ h" S& b2 H. E) h' s02 N沟道与P沟道判别
. I0 N" {; q9 W6 ^. ^" \# N# `' N+ F: c
& l2 |: G G% }6 N! {/ }
# i# t1 _! s2 F. }6 f8 Z6 T' j箭头指向G极的是N沟道;
6 r2 Q" l9 ?* L. M" s8 \箭头背向G极的是P沟道。
; B: ]" U) S6 r9 s" I6 v# ~! }0 @0 [/ s W' Q* h. K& T3 h, y
& J$ u% D9 E U N( \) S- g03 寄生二极管方向判定: W# F, `! k% D0 _) y( e& B) @
% G& a% T ~1 G
$ ?- q8 g) y% {0 o- m4 i8 E' R i1 ^( ^* ~, Z7 j' P7 m! c9 ?
不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:
0 Q) m0 f' m- i
+ |* c: |$ M( w# u/ q( d/ s! V. J要么都由S指向D,要么都有D指向S。
6 o- w; M t5 e7 r H* L. H# o- r
: [ q# K j, B9 W, F. N2 \04 MOS开关实现的功能/ |' m7 G6 M" Y1 z4 k( [" Q; E
X9 B; }& x8 m1 i
1)信号切换
1 G) S% J6 j" j t& S/ f( w" q2)电压通断
! ^' i1 Z8 }# _ I1 J
* J- F: g; P, d7 `' \05 MOS管用作开关时在电路中的连接方法! ?9 F3 q/ k7 u8 ]) m# O8 t
( y. z' j: ^0 X9 W! u关键点:
) g$ y% s/ c+ f" r3 ?
* U0 o4 v4 r8 `4 t. w- V* C1)确定哪一极连接输入端,哪一极连接输出端;2)控制极电平为“?V”时MOS管导通(饱和导通)?3)控制极电平为“?V”时MOS管截止?
- B, Z1 e; s+ j2 B' h& a, A% y+ j5 V) |5 z
5 M' ?: o% U( ^: D( p
: H: N, |8 I5 U: ^. |/ ~& B$ g; ^; k7 \
NMOS:D极接输入,S极接输出;
7 l% G" s; u4 K: e2 IPMOS:S极接输入,D极接输出;
j6 y8 d0 f3 I* a4 n3 t6 D- q反证法加强理解
8 g0 q9 ^( K" B: v/ gNMOS假如:S接输入,D接输出;
3 _+ p8 p. M: o' t. \* z5 g9 C# M2 U; U D8 T, H6 m6 {4 G2 J
" |& h; E2 Y. ^/ ^+ e; s1 [$ M7 p/ X8 w: P3 ^
由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用。5 {1 j3 \6 c/ n5 j; p! X
* m: P# b0 S! P$ y. e) E
PMOS假如:D接输入,S接输出。
% b$ r, f5 k, P/ w" W& G* u6 k
8 U w# S$ _ H7 W9 q0 i' U1 g9 g$ v# ~- {/ J, {
/ g' ~& R. k2 S7 ^# ?, ^% Q2 w- G
同样失去了开关的作用。' B' B0 m' P s5 h( N h
' b! `0 v. o6 e9 g2 k+ ]# [+ O
06 MOS管的开关条件
/ a" p; c3 }, d9 W- y, A m# D1 Z9 h
N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通;9 v5 S0 W9 E [- E8 w
. ]* S. V& c0 J
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通;1 R5 o; f; J' Q0 d b) p
总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|。% h5 j2 n3 v: x8 t
9 u: e A d5 E' `) V
07 相关概念* |7 W0 A* t3 G: c' N9 D1 g
" A5 W! q. s0 Y! V& @BJT
3 j2 {5 M! h+ W6 U" j+ X/ U2 G
/ k# ?3 T: K, X% N- tBipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;! E5 s* x) \5 s t. a
FET' V1 D$ l7 h+ E D, _
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件。
4 I1 x" h7 d7 P4 Y6 ^& H按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)4 N. z+ g- k' V a. q3 v) n/ u1 [5 X6 B
两大类
) V w3 ~. G: f! ^- B' b按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。% t: J k% w6 p" U) i' F
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。7 l; C. j- E( f% c7 d2 s
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
4 b1 X, K, e& \/ d z. |- ]( H, N& j: s. ?$ Z, K/ O% }
08 MOS管重要参数* n" r# n1 u- g w5 Y- @
4 d/ F) P1 Q( q/ t% C- F①封装+ u9 t# `: F g9 q3 A+ @
②类型(NMOS、PMOS)③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th)
7 _8 D: h8 j H" }: B# }5 Q. t
2 u$ [; D( w! x+ i5 g09 从MOS管实物识别管脚7 O0 ?% _4 S# a- u; _" E5 T% `
/ ]" S0 V* ^0 H7 K! o1 D- o
7 p% I, D# j5 o- E, y+ h* `
! U Y- y' ^. a
无论是NMOS还是PMOS,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
2 q& W9 W" v6 h$ H V5 C \) @ L' e) V# }
或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。5 Z! G9 f+ b. x7 Z5 g/ O
这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。% @- b0 p. k- Z8 x4 p( p4 v
管脚编号% M4 e/ f/ c+ q( X! ?
7 ~5 z1 S5 D' o$ I$ v' v& n1 E0 C
& _( l3 f+ }' y& @ k( U i
8 f3 B; A/ A1 J' Q& h从G脚开始,逆时针123。! t, [" C5 _2 L: k, ^
0 B) Z' E) B* g三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123。
R! Q. v- f# E+ G4 j2 R' C; s0 \9 R. f: Z0 j( W) E
10 用万用表辨别NNOS、PMOS( i1 v9 q9 E, K& S/ E
. ~3 B; h. f4 t; u M8 ?
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。
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/ v- n; S8 B( Z- m' j11 画一个MOS管0 o" Z% [* L9 q
; t/ U d' a" {( W' a$ E& j# M5 m$ A
- m) s% j7 P0 L+ l6 R; }
# U# a6 j" m- U3 ]0 Q都查缺补漏了吗?没有就再看一遍。更多的MOS产品可以在唯样商城选购哦。 |
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