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电子电路分析的mos管分析

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发表于 2022-7-20 18:19:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
7相关概念9 c. a; c8 E2 Y, d* i1 J; T
  \  m! s2 ?- f. U8 F
BJT8 \' \# w6 a) q6 O7 ]3 W

( h; k5 v9 n5 k# w" q4 z+ C$ NBipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;
" ~1 V; S& Y% d# ~, Z+ QFET$ Q2 {9 g/ A  b: a8 `
Field Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件。  A) @/ q4 f/ O. t
按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET); _, _, c5 \: _
两大类
; P/ g3 L- ?! J$ `买  元器件上唯样商城!!类型和种类都多哦~
/ y' |: x; L& B; ?1 W% x7 r按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。& ]# Z$ ^5 p6 L  W* a) \) G' A4 r5 L
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
9 |0 a% p7 j; C: c+ `% {" n总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
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4 z; I  K( `; h/ N! m 电子电路分析的mos管分析-1.jpg 1 Y' Y7 M9 n& a; W/ F

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