带有防堵转功能四通道 DMOS 全桥驱动MS35631参数与替代TB62261FTAG

鑫邦旺电子科技 · 发表于 2022-8-1 20:09:34

MS35631描述

MS35631 是一款四通道 DMOS 全桥驱动器，可以驱动两个步进电机或者四个直流电机。每个全桥的驱动电流在 24V 电源下可以工作到1.2A。MS35631 集成了固定关断时间的 PWM 电流校正器，以及一个2bit 的非线性 DAC（数模转换器），可以工作在全步进，半步进，四分之一步进，正转，反转以及待机模式。PWM 电流校正器使用混合衰减模式，可以减小音频电机噪声，提高步进精度以及降低功耗。芯片还内置内部同步整流控制电路以降低 PWM 工作时的功耗。

芯片集成的保护电路有热关断迟滞，低压关断保护(UVLO)以及翻转电流保护，因此可以不需要特定的电源启动次序。

主要特点

四通道全桥

双步进电机驱动

大电流输出

3.3V 和 5V 逻辑

同步整流

内置 UVLO

过热保护

翻转保护

防堵转

应用

安防监控

舞台灯

玩具

机器人技术

医疗设备

封装图

管脚图

管脚说明图

内部框图

电气参数

功能描述

器件特性

MS35631 可以驱动两个步进电机或四个直流电机，也可以驱动一个步进电机加两个直流电机。

输出 H 全桥为四个 N 型 DMOS 驱动管，受控于脉动宽度调制电路(PWM)。每个 H 全桥的输出峰值电流由 Rsensex 和 Vrefx 共同决定。输入脚包括 PHASEX，I0x，I1x。

内部 PWM 电流控制原理

每个 H 全桥带有固定衰减时间的 PWM 电流控制电路，使得负载电流不超过设定值 ITRIP。初始时，H 桥对角的一对源漏 DMOS 驱动管打开，电流流入电机和电路检测 Rsense 电阻。当 Rsense 上的电压等于 VREF 端口电压的三分之一时，电流检测比较器重置 PWM 锁存器，关断源端 DMOS 驱动管。最大电流限制由 Rsense(Rs)电阻大小以及 VREF 端的电压共同决定，最大电流公式如下：ITripMax=VREF /(3*Rs)

每个步进电流限制 ITrip 都是最大电流限制 ITripMax 的百分比。步进电流 ITrip 的计算公式：ITrip =(% ITripMax /100)* ITripMax其中% ITripMax 见步进次序表。另外注意，应用中 Rsense 上的最大电压值不要超过±500mV。

固定关断时间

内部的 PWM 控制电路集成一固定时间脉冲来关断驱动器，关断时间 toff 内置为 9us。

无效时间

在内部电路控制使得输出发生变化时，此功能可以关断输出电流检测比较器，以防止输出误检测，比如说过冲电流，嵌位二极管的反向恢复电流，输出电容引起的反向传输等等。无效时间设置为 1us。

控制逻辑

器件与控制器的通信通过标准的 I1，I0，PHASE 工业接口，通过控制，可以实现全，半与四分之一步长模式。每个 H 桥设置了独立的 VREF 脚，所以通过动态地控制 VREF 脚，可以得到更高精度的步长控制。

电荷泵（CP1 与 CP2）

电荷泵电路产生一个比 VBB 高的电源来驱动 H 桥的源端 DMOS 管。应用中由于充放电的需要，CP1 与 CP2 间需要接一个 0.1uF 的陶瓷电容。VCP 与 VBBx 之间也需要接一个 0.1uF 的陶瓷电容来存储电荷。

保护功能

集成完备的保护功能，包括过温保护，欠压保护，过流保护。

MS35631 集成了过流保护功能，能够检测输出对电源，对地，以及输出间短路。当检测到短路时间超过 0.8us 时，芯片将输出关闭，关闭 10ms 后，芯片会尝试自动重新开启。

同步整流

当内部固定衰减时间电路触发，PWM 关断起作用时，负载电流会产生回流。MS35631 同步整流电路在电流衰落的过程中，会打开相应的 DMOS 管，用 Rdson 电阻来短接寄生体二极管，可以有效降低功耗。当检测到零电流时，同步整流被关断以防止负载电流反向。

混合衰减模式

H 桥工作在混合衰减模式；如下图所示，当电流达到限流值时，进入快速衰减模式，持续时间为整个衰减模式的 30.1%(tFD)；然后系统进入慢速衰减模式。在快衰减与慢衰减转换期间，驱动器会被关断 600ns（死区时间），此设置可以有效防止桥穿通现象。如下图 1 图 2 所示，在死区时间，同步整流不再起作用，芯片只工作在快速和慢速衰减模式下。