I2C上拉电阻讨论

chenzhouyu · 发表于 2016-12-26 19:05:22

RP不宜过小，一般不低于1KΩ

一般IO 端口的驱动能力在2mA～4mA量级。如果RP阻值过小，VDD灌入端口的电流将较大，这导致端口输出的低电平值增大(I2C协议规定，端口输出低电平的最高允许值为0.4V)；如果灌入端口的电流过大，还可能损坏端口。故通常上拉电阻应选取不低于1KΩ的电阻（当VDD＝3V时，灌入电流不超过3mA）。

RP不宜过大，一般不高于10KΩ

由于端口输出高电平是通过RP实现的，线上电平从低到高变化时，电源通过RP对线上负载电容CL充电，这需要一定的时间，即上升时间。端口信号的上升时间可近似用充电时间常数RPCL乘积表示。

信号线负载电容（对地）由多方面组成，包括器件引脚、PCB信号线、连接器等。如果信号线上挂有多个器件，负载电容也会增大。比如总线规定，对于的400kbps速率应用，信号上升时间应小于300ns；假设线上CL为20PF，可计算出对应的RP值为15KΩ。

如果RC充电时间常数过大，将使得信号上升沿变化缓慢，达不到数据传输的要求。

因此一般应用中选取的都是几KΩ量级的上拉电阻，比如都选取4K7的电阻。

小阻值的RP电阻增大了端口 Sink电流，故在可能的情况下，RP取值应稍大一点，以减少耗电。另外，通常情况下，SDA,SCL两条线上的上拉电阻取值是一致的，并上拉到同一电源上。