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求教个问题,看了一个文档,说下拉电阻可以用来做电平电容,没遇到过,哪位朋友帮忙举个例子。
7 t+ R8 q# G& H' s% t& U, \原文如下: K' U6 @1 S1 J, C3 n( H
2·下拉电阻的选取原则:
9 E& [( q0 [, H7 S/ O# T7 X3 T& oA·电平兼容:8 a9 N- N* ]1 q" N
板内或板间器件选取各不相同,信号电平特性各不相同,出于兼容性的考虑,须加下拉电阻以保证兼容性。
& ^2 X, T6 x( Z2 W4 g! b0 _! qB·端接:* g* M) a! d3 o& g
板内或板间的信号频率较高或信号上升沿较陡时,需要加端接
6 h" Q' S6 T% Y, ]7 c, J# E: l电阻下拉到地,一般此时经常性的会再串入一个适当的电容。
! L4 V: ~# W u7 k! c% V2 U$ r/ [2 vC·电平稳态特性:% H: U- n4 x8 _4 I# A/ }8 J# j/ P4 W
个别器件在上电时要求某些管脚的初试电平固定为低,此时必' G% ^9 v" h( z- P9 |
须加下拉电阻以保证器件能够正常的工作。; c4 D# d3 |/ H+ W0 |. O' _+ a+ X
D·器件及参数选取:6 d5 R. \( Y9 W {, O" i% x w
对于A,下拉电阻一般选取1K~100K欧姆,视负载电平情况
2 c' y2 m1 x2 X4 F. m. d6 W/ z而定,CMOS电平的负载,电阻应选取下限,TTL电平时选取上2 F( h9 x3 O9 F; |' e5 v$ x
限,这里的电平以负载指标来确定;对于上述B的情况,一般选取
& N: V t* R, A) ~( Q8 o# u75~150欧姆的电阻;对于上述C的情况,则以该种器件的数据特
& v# k) C3 B, n7 \; O/ Z! u性来决定;器件一般以金属膜的电阻或阻排为准。
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