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求教个问题,看了一个文档,说下拉电阻可以用来做电平电容,没遇到过,哪位朋友帮忙举个例子。
7 c) R" n1 w' Y原文如下:! I% e7 [# ^4 o3 m2 m/ O
2·下拉电阻的选取原则:
# O. V/ r+ l0 C$ y+ t1 }* q5 W+ U! vA·电平兼容:
1 _: N7 x1 T1 J9 I9 [. k2 [$ [. P$ _板内或板间器件选取各不相同,信号电平特性各不相同,出于兼容性的考虑,须加下拉电阻以保证兼容性。- r! b, G0 R8 S5 k: J% d& |
B·端接:
7 {+ D1 h( ?7 E板内或板间的信号频率较高或信号上升沿较陡时,需要加端接9 O) K/ p9 O8 b. }% F2 K. A
电阻下拉到地,一般此时经常性的会再串入一个适当的电容。+ |) w. \% L$ a" m! w9 r1 x' w
C·电平稳态特性:; V# T; W% D9 U8 L# U3 ]; F( U
个别器件在上电时要求某些管脚的初试电平固定为低,此时必+ Y7 }, _# o. P$ g
须加下拉电阻以保证器件能够正常的工作。
5 Q0 y' r5 q7 j/ ]' i% jD·器件及参数选取:, l. D0 m1 b0 c( B
对于A,下拉电阻一般选取1K~100K欧姆,视负载电平情况& a! b6 x* P, i7 u( N
而定,CMOS电平的负载,电阻应选取下限,TTL电平时选取上7 r5 q* y) d* t- r( u9 X
限,这里的电平以负载指标来确定;对于上述B的情况,一般选取8 ]: ]' i9 K% U+ u5 p2 t
75~150欧姆的电阻;对于上述C的情况,则以该种器件的数据特! b$ }7 p9 B. ~0 g. [
性来决定;器件一般以金属膜的电阻或阻排为准。 o3 b) f2 q5 S6 ~2 s
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