上期和大家聊的电源pcb设计的重要性，那本篇内容小编则给大家讲讲存储器的PCB设计建议，同样还是以大家最为熟悉的RK3588为例，详细介绍一下DDR模块电路的PCB设计要如何布局布线。 由于RK3588 DDR接口速率最高达4266Mbps，PCB设计难度大，所以强烈建议使用瑞芯微原厂提供的DDR模板和对应的DDR固件，DDR模板是经过严格的仿真和测试验证后发布的。 在单板PCB设计空间足够的情况下，优先考虑留出DDR电路模块所需要的布局布线空间，拷贝瑞芯微原厂提供的DDR模板，包含芯片与DDR颗粒相对位置、电源滤波电容位置、铺铜间距等完全保持一致。
9 W8 x2 l# K3 d; N1 R) d如下8张图（从左至右），分别为：L1-L8层DDR电路走线示意图。  * [/ N @+ Z( M8 K" y, g2 `
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/ Y* A4 H5 v2 E$ A5 x. p, K! r如果自己设计PCB，请参考以下PCB设计建议，强烈建议进行仿真优化，然后与瑞芯微原厂FAE进行确认，确认没问题以后再进行打样调试。 Part.1 CPU管脚，对应的GND过孔数量，建议严格参考模板设计，不能删减GND过孔。8层通孔的PCB模板，CPU管脚GND过孔设计如下图所示，黄色为DDR管脚信号，地管脚为红色。 
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- m( A$ ~9 l2 u( @Part.2 信号换层前后，参考层都为GND平面时，在信号过孔25mil（过孔和过孔的中心间距）范围内需要添加GND回流过孔（黄色为DDR信号，红色为GND信号），改善信号回流路径，GND过孔需要把信号换层前后GND参考平面连接起来。 一个信号过孔，至少要有一个GND回流过孔，尽可能增加GND回流过孔数量，可以进一步改善信号质量，如下图所示。 
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2 \) p; K9 V& \7 P9 v5 zPart.3 GND过孔和信号过孔的位置会影响信号质量，建议GND过孔和信号过孔交叉放置，如下图所示，虽然同样是4个GND回流过孔，4个信号过孔在一起的情况要避免，这种情况下过孔的串扰最大。  9 b& L% q5 G; x; u8 |0 B+ b* C9 g$ i
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Part.4 8层板建议DDR信号走第一层、第六层、第八层，DQ、DQS、地址和控制信号、CLK信号都参考完整的GND平面，如果GND平面不完整，将会对信号质量造成很大的影响。 Part.5 如下图所示，当过孔导致信号参考层破裂时，可以考虑用GND走线优化下参考层，改善信号质量。  9 l! U1 w5 }; ]2 |' g
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Part.6 绕线自身的串扰会影响信号延时，走线绕等长时，注意按下图所示。 
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Part.7 在做等长时，需要考虑过孔的延时，如下图所示。  , i/ ^! ?+ b3 Y1 U5 {5 c
3 n. p# i9 ]: tPart.8 非功能焊盘会破坏铜皮，以及增大过孔的寄生电容，需要删除过孔的非功能焊盘，做无盘设计。 Part.9 走线距离过孔越近，参考平面越差，走线距离过孔钻孔距离建议≧8mil，有空间的地方增大间距。 Part.10 调整过孔位置，优化平面的裂缝，不要造成平面割裂，起到改善回流路径的作用，如下图所示。  8 c: h+ S8 y( u
- n, j5 o$ a' \0 V ~/ |Part.11 DQS、CLK、WCLK信号需要做包地处理，包地线或铜皮建议间隔≦400mil，打一个GND过孔，如下图所示。  4 J8 c, y) U" c% e0 V# U$ g |- `
9 d1 f4 A4 T# U( vPart.12 对于VDD_DDR电源，DCDC区域电源换层时，建议打≧6个0503过孔。 Part.13 对于VDDQ_DDR电源，DCDC区域电源换层时，建议打≧6个0503过孔。 Part.14 对于VDD2_DDR电源，DCDC区域电源换层时，建议打≧6个0503过孔。 Part.15 对于VDD1_1V8_DDR电源，电源平面换层时，建议至少打≧2个0402过孔。 Part.16 每个电容焊盘建议至少一个过孔，对于0603或者0805封装的电容建议一个焊盘对应两个过孔，过孔的位置要靠近管脚放置，减小回路电感。
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