|
|
TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片+ Z% T7 B! T1 _. b! [" s: `: A; w
" ?, \/ @; D) f( ]
概述& @& |1 l6 |* p3 W
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。
9 G' l5 d8 p8 h) }7 p2 }3 t/ H( N* a" z5 F; r
一般说明/ m( q/ P8 ]" z. I8 j0 `2 y
RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
8 |5 ^! J2 w- I3 G8 J RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
' N+ Q1 G, y0 W+ {高功率和电流处理能力
4 z8 Q1 D! r4 p9 J! e: SESD保护. V/ H, K k, W0 w8 c* q) [
表面安装包4 A3 m+ j( e- n; v7 T1 p
无铅和绿色设备可用（RoHS兼容） o& E7 ]' `4 y4 H
, I% w$ j& s! e应用1 L* E& V1 ]7 G7 L9 ]
 WM应用程序
9 j, f1 w* L/ j$ J+ w2 q) l, r负载交换机
* W+ g5 a2 c& ]" n. j1 r0 N. G电源管理0 ?' `% e. O; Q9 _
供电系统
8 G# U+ C( z. u% y! C4 W( m
7 w4 B5 z; h& [4 F D# R* H1 f# n m9 l- Y8 x. K* ]0 s
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？立即注册
x
|
电子产业一站式赋能平台
窥视卡
置顶卡
变色卡
