业界首个高数值孔径EUV光刻机系统已在Intel的俄勒冈州D1X制造工厂组装完成

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在去年也就是2023年12月21日，荷兰半导体设备制造商ASML就发推表示，其已经向Intel交付了首个High-NA（高数值孔径）EUV（极紫外）光刻系统，这套系统极其庞大和复杂，从位于荷兰的ASML总部运输到Intel的俄勒冈州D1X制造工厂，需要分拆成43个运输集装箱，通过多架运输机和20辆半挂车完成转运。
随着业界首个商用高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机的组装完成，这标志着芯片制造迈出了重要的一步。这一技术突破代表着芯片制造领域的重大进展，为未来的芯片制造带来了新的可能性。此举被认为是开创性的，为芯片制造业带来了历史性的里程碑。

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高数值孔径极紫外光刻机显著提高了下一代处理器的分辨率和特性缩放能力。
技术突破： High NA EUV 是一种进化版的极紫外光刻技术，采用高数值孔径光学系统，能够显著提升图像投影的分辨率和晶体管尺寸。
产业影响： High NA EUV 的应用将在先进芯片开发和下一代处理器生产中扮演关键角色，使 Intel 能够提供前所未有的精确度和可扩展性。
未来展望： Intel 预计将使用 0.33NA 和 0.55NA EUV 以及其他光刻技术共同开发和制造先进芯片，从 2025 年的 Intel 18A 产品验证开始，持续到 Intel 14A 的生产。
Intel 和 ASML 的长期合作推动了从 193nm 浸没式光刻到 EUV，再到 High NA EUV 的光刻技术进化，目前的 TWINSCAN EXE:5000 是市场上最先进的制造工具之一。

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