求助 | 打板回来调试，电路工作异常，大家帮忙分析一下这个电路图，能补救吗？

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大家好，我是王工。
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# K" w0 h# q$ Y8 a$ R! W- d' f  P! }这是微信上一个兄弟找的我，说他电路调试时有问题，问我有没有可以解决的办法。下面是部分聊天截图。
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$ }. u% c/ ?9 {. U3 _# D! s% W通过交谈，我把他的需求梳理了一下：
" B3 C7 L% A5 f设备有两组供电电源，一组是主电源，另一组是辅助电源。
主电源和辅助电源同时供电，优先使用主电源，当主电源断电后，辅助电源无缝衔接给设备供电。
然后呢，网上有一个推荐电路如下图：这个电路是怎么工作的呢？

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电路分析：
1、当主电源Vin1为3.3V时，Q1的NMOS导通，然后Q3 PMOS的栅极被拉低， Q3 导通，Q2 MOS管关闭，外部电源Vin2断开，VOUT由Vin1进行供电。2、当主电源Vin1断开，Q1 NMOS截止，Q2 PMOS的栅极通过R1下拉，Q2导通，Q3 PMOS的栅极通过R2上拉，Q3截止。VOUT由外部电源Vin2供电。
. s* U) H/ c+ M5 s4 U4 B通过分析看来，好像电路没什么问题，主备切换可行。但是在实际调试过程中发现主电源在下降的过程中，Q1和Q3不能及时断开，导致Q2只能通过体二极管导通，有0.5V的压降。Q3不能完全关断，而Q2就开始导通，外电源通过Q2、Q3形成通路，进一步阻止主电源的降低。相当于Q2永远不能导通，一直都是体二极管在导通。这就很严重了，相当于MOS管Q2一直没工作，整个电路就没啥用。
问题出来了，那是什么原因导致的呢？其实就是主电源在下降的过程中Q1，Q3没有及时关断导致出现一系列问题，那是什么原因导致这两个管子关闭这么慢呢？两种可能：
  J7 j* K  P( ]0 S: s1、主电源本身掉电比较慢，从而引起管子慢关断；
2、MOS管选型不对，Ciss寄生电容太大（感觉又不大可能，现在管子寄生电容都做的很小，应该影响不大）。
至于怎么优化电路，两种方法：
1、让主电源快速掉电；（怎么做到？）
2、让辅助电源慢速上电。（很难，而且不太好）
: B; H  d1 N! K! D( g1 {8 _
/ t! s; }" Y7 m5 r5 I7 ]这个例子也给大家提个醒：网上的电路不能随便拿来用，自己最好先验证一下再用。
最后，这位兄弟板子已经打回来了，各位有比较好的优化建议，或者更好的电路分享，可以留言或加扫下方二维码，加微信告诉我，谢谢大家。

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