防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路

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4 ]" |  a9 d# }4 m( N  V  T, K7 A
9 P7 p: a. p- D防反接电路
2 b' E8 f. ~. D6 G8 |常见的措施：
1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上，不正确时 匹配不上
2.通过线的颜色做区分
* Z" Q: E" o+ J4 f3.通过电路的设计

防反接电路汇总：
典型电路类型：
' G* ?# K4 r1 j) K) {1.二极管防反接（不常用）
& h1 x! e7 ]  @, m; R; p二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低  也要考虑反向电压）
- T+ P/ i! G8 L, n: _

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3 J" j9 ^: n& F* R; ~: V: C# _
  z! x: M$ a2 Z$ z
2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接
二极管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数
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2 f* m2 U8 F) R2 w5 x; W$ u
( u% u2 E0 i* C+ }2 f. @3.桥式整流电路看好电路图的 电源和负载的两端接哪
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4.MOS管防反接（用得比较多的一种）PMOS：
在 PMOS 管防反接电路中，栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。
4 H) ^0 [" Z) Z/ r) a
' m* F6 C+ ~# b( O- V& S这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择，一般需要根据 PMOS 管的特性和工作电压来确定。
5 h$ T# M8 t4 H# u7 e- m/ p旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管

在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos，电压高的是s，低的是d。正常上电时，3脚电压高，所以这时3脚是s，g比s低，所以管子导通（图中的D S应该反过来）。
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# V5 y& L6 S/ X8 K# d. x7 L

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NMOS：
9 G/ }% I; |3 C# k1 N( `+ y3 h1 jNMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS导通 形成回路
+ s" X/ f- s6 f" O4 W6 g# A                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不导通  形成不了回路
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防倒灌电路
+ F& n8 G, S0 U9 F* N1 G/ b什么是倒灌？
# E. C4 J9 r, t  _5 h, b1.开关电源给负载供电， 如果负载是电池或者其他感性负载（比如像 电机 有线圈 当电源突然断掉时 会产生感应电动势）时， 当220V断掉的时候，可能会出现 电池反向给开关电源 的 输出端 供电，导致开关电源的一些莫名损坏。
2.系统在不同的 输出电压 之间 切换时，会存在高压电压倒灌到低压电压源中。关注@电路一点通
+ i7 a( i# U0 e$ z' q% ^4 t( V例如：系统 有两个电源供电 比如 一个电池 一个 充电器 充电器的电压一般会高于电池 如果没有防倒灌的电路 可能充电器的电压会直接倒灌给电池 造成电池的损坏。
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1.二极管串联防倒灌电路：
该电路  二极管选型要 选取电源 额定输出电流的（5-10）倍 并且可以加 散热片。
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2.双MOS组成的防倒灌电路
* e* o. D5 l4 f  _, ^电路分析：
# [: x& o, G7 Q* i$ O' ~. M正常情况下（无电流倒灌）  ON/OFF接口可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制，
- @- F0 L' ^8 i1 t所以这次就以 VIN的有无 来控制  VIN输入电压到三极管，三极管导通（基极电压大于发射极），由于三极管下连的是地，所以 PMOS管的栅极电压为0， Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。
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当输入电压突然没有的时候， Vin没有 所以 三极管Vb=0  Vbe

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3.双MOS组成电源自动切换电路（前提 VCC>电池电压）
Bat Charge 为电池电压
VCC为系统电压
; q" i# S8 `1 y0 w- z$ o5 M当只用电池电压供电时：
MOS管Q9 栅极g为0V  源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ，然后给到 单片机VCC_mcu。
只有VCC时：
通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降关注@电路一点通
当VCC和电池同时供电时：
Q9栅极电压为VCC  对于MOS管 Vgs=Vout-V电池  所以MOS管不导通， Q10 g极 Vg=Vout  Vs=Vout-V二极管   Vgs>0 所以也截止 。

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4.双三极管镜像电路防倒灌
Vin 经过三极管 由于是PNP三极管  Vb连接地=0V Ve=Vin 所以三极管Q6导通  导通之后就会有管压降 所以 Vb的电压=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要满足 Ve>Vb 三极管Q7才会导通 但Vout会大于Vin  所以会是截止的。
! m4 x" N, ~% g' y) F# y9 [正常工作时 Q5 Q6导通 Q7不导通 ， 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通  

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( j9 t. o  o2 |8 c8 T0 e过流保护
ESP：静电放电(一般在芯片内部电路)
# V9 Z1 E5 m; n, B% W4 mESD相关概念及模型
* F/ x% L: p: \2 h1 @

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人体放电：人体带的电荷  然后触碰芯片管脚， 芯片其他管脚正好有个接了地 产生电流 损坏芯片
$ G) S- P2 ?9 }9 Q1 _0 `机器放电模式：机器触碰芯片的时候，  带电金属体 触碰芯片
6 r6 P. q$ V( [9 D; |& j元件充电：芯片可能在搬运啥的过程中  本身 被充电了 当夹具夹住的时候可能就通过夹具释放出来了
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* A/ G! d0 \. h% |. \ESD保护概念
% R7 N0 N1 t! {在芯片内部 提供ESD的电流路径 以免ESD放电的时候 静电电流流入芯片内部对芯片造成伤害 从而保护电路
9 e( w3 H9 w, l4 H# x下图 PAD可以当做芯片引脚 如果没加保护电路， 以人体放电为例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 电流直接沿着紫色虚线的方向走从PAD1到PAD2，直接烧毁芯片。
+ l! J- C) @) N# g4 h; `7 e, Z蓝色的这些都是ESD保护 这些电路能在发生ESD的时候 能瞬间导通 把电流引导出去 且是可逆的 不会被静电所损伤

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; ]! v  q) o- M$ u& i% ZESD保护示例

利用二极管（齐纳二极管）的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路

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  j% ]! f9 c; B/ u8 M声明：
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