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[作业已审核] 王灿坚-2片DDR3存储器模块的PCB设计作业

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发表于 2024-9-12 23:41:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
总结:

1.了解DDR的管脚定义;2.掌握DDR的布局方式:1)2片DDR相对于CPU呈对称式布局,并相距CPU 700mil左右的距离;2)数据线串接电阻放在DDR与控制器的中间,并联电阻靠近串接电阻附近,可放于反面;3)DM信号要求串接电阻放在控制器端,并联电阻放在DDR端;4)地址线、控制线、时钟线是单向传输,一般是点到多点的拓扑结构,要求串接电阻靠近控制器端,采用T点拓扑结构并联电阻放在DDR端第一个T点处,长度不超过500mil;5)差分时钟信号串接电阻靠近控制器端,点到点的终端匹配电阻靠近DDR端,点到多点可以采用T型拓扑结构,终端匹配电阻放在第一个T点处;6)Vref电源的退耦电容必须靠近DDR和CPU管脚;3.掌握DDR的布线方式:1)采用单端50om,差分100om阻抗的布线方式;2)采用数据分组的方式,分成各种组别,每一组需走在同一层面,数据线组内控制在50mil以内等长,时钟、地址、控制线组内控制在200mil以内的误差,时钟差分对内误差控制在5mil以内;3)线与线之间尽量保持3W以上的原则,数据线,控制线,时钟线之间要保持20mil以上的距离;4)所有的信号线都不得跨分割,且有完整的参考平面。

2片DDR3的存储器模块.rar

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发表于 2024-9-19 10:05:39 | 显示全部楼层
电感下方铜皮挖空

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发表于 2024-9-19 10:07:50 | 显示全部楼层
优先在线段上面做差分对内等长
截图202409191007323816.png
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