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防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路

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发表于 2024-9-9 08:03:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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3 ?% q! S/ [9 m* g. _" S) E点击上方名片关注了解更多
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" }* h/ @0 w2 f2 S% o防反接电路
# X( t2 e; S& I9 ^3 a# Q/ s常见的措施:
+ N2 e! P, r7 J1 x1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上,不正确时 匹配不上# K$ r- G( E/ Z3 G( a" u
2.通过线的颜色做区分
; f0 l9 u8 A9 m8 i# Q3.通过电路的设计
# G3 `  U0 Y3 |7 Q$ z
  T: [+ Y5 j) U# i防反接电路汇总:
' q0 j: N; X( S& s, z, ^
典型电路类型:% r2 u0 |; ^5 e( b6 ]
1.二极管防反接(不常用): i3 q9 C3 l) g4 S1 ~
二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。(一般选用 肖特基二极管导通压降比较低  也要考虑反向电压)/ F( `& e' r: o$ M

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2 I# F8 N$ Z0 l
0 z, }( x* d' [( I) u( [1 m" f( G/ n* Z7 `  L/ A( M5 j6 Q- N
2.保险丝和二极管(稳压二极管)防反接
  Z* s$ E/ k. ]二极管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数
4 B5 X/ A9 @( n

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! Z+ I7 ]" h1 D: w% l3 C7 ?- t
3.桥式整流电路看好电路图的 电源和负载的两端接哪
: R9 I5 D0 o* k  O" E

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1 Q( ]7 M/ N" k% Y* X

; j3 |; t) U' U8 W4.MOS管防反接(用得比较多的一种)PMOS:
' b# N/ H) f" ?' `: m# c在 PMOS 管防反接电路中,栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。1 y8 i+ C( c  n4 L; L$ i4 M  v
3 Z6 f1 a4 }1 [0 I+ r
这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择,一般需要根据 PMOS 管的特性和工作电压来确定。
% ?! Q! @# d' V5 m8 x旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管1 s6 l# W  _! h% E: M' V5 Z
+ h% j" s- {' ?2 n( d/ P
在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos,电压高的是s,低的是d。正常上电时,3脚电压高,所以这时3脚是s,g比s低,所以管子导通(图中的D S应该反过来)。& d$ ?* N. _; b+ F- g% ]) I
! Y+ m  a" m/ @, W* d+ J

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& w' C# Y' ~9 F1 T8 V2 v$ n  X; z* y( l
1 [. Q: M+ _  }* R5 s5 P' qNMOS
! X! c0 |" F3 z5 s/ |1 SNMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS导通 形成回路
+ q& w4 r' i0 `) e                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不导通  形成不了回路
9 U) x$ J" J* P9 x% G
% O! W6 r$ r" f! A

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3 L' z5 P1 P9 x, \  x1 k: y5 d: E
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& p' a! S& b3 S3 g) i
3 D* Q7 E6 i! _
防倒灌电路6 |5 U/ `' r, M& I' p4 H$ `7 p! g
什么是倒灌?
* H+ p: i$ E- n. ]( }5 Y1.开关电源给负载供电, 如果负载是电池或者其他感性负载(比如像 电机 有线圈 当电源突然断掉时 会产生感应电动势)时, 当220V断掉的时候,可能会出现 电池反向给开关电源 的 输出端 供电,导致开关电源的一些莫名损坏。6 o0 v7 f" ]1 f1 R6 T6 V
2.系统在不同的 输出电压 之间 切换时,会存在高压电压倒灌到低压电压源中。关注@电路一点通
% G5 {! V& Z. c6 Y3 p例如:系统 有两个电源供电 比如 一个电池 一个 充电器 充电器的电压一般会高于电池 如果没有防倒灌的电路 可能充电器的电压会直接倒灌给电池 造成电池的损坏。: z3 q' F- f$ O; V* G+ U

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. Q- K3 C* q+ K8 O9 V! e
9 H2 y& }+ E3 j2 C, e+ J1.二极管串联防倒灌电路:
7 R. y7 t: F3 ~" l" ~' m5 [0 M2 p+ U 该电路  二极管选型要 选取电源 额定输出电流的(5-10)倍 并且可以加 散热片。
# W5 F! }  ^! n% @7 R. f

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' u( i: v5 g: e; k  L
( ]! _% @4 c6 {4 E; I! n- j( K+ G% H+ o
2.双MOS组成的防倒灌电路& p; j6 r! O+ M  d, m
电路分析:
, r8 t1 k  t" d# C/ ^9 a正常情况下(无电流倒灌)  ON/OFF接口可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制,  c8 N3 T( V5 F, p+ d
所以这次就以 VIN的有无 来控制  VIN输入电压到三极管,三极管导通(基极电压大于发射极),由于三极管下连的是地,所以 PMOS管的栅极电压为0, Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。
  S- i) K$ l- L1 n1 T( n

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9 p! B- u+ p  S4 a2 H
# m' l2 ]* Y+ R4 {7 x5 _- M3 o' Z
当输入电压突然没有的时候, Vin没有 所以 三极管Vb=0  Vbe
/ |: k/ I& I! ^0 F9 u3 i0 V

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7 V, W( }2 {- Z6 V7 E6 z
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7 [6 |. R, O- e2 s! l
) ^2 f' F! w* V  |. [& F& o

% R- y/ r' |1 R  R& c; P& i4 E9 P

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+ h4 T  @* @0 x0 g; Y% i& E* \6 m7 h5 B# |7 |
3.双MOS组成电源自动切换电路(前提 VCC>电池电压)  |9 ~6 O4 @8 `% c. ~7 y
Bat Charge 为电池电压7 t5 z1 P3 V- |9 \
VCC为系统电压
/ F0 R8 N# J7 h( ^当只用电池电压供电时:5 V) n# J1 j+ E2 M5 j6 J! |
MOS管Q9 栅极g为0V  源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ,然后给到 单片机VCC_mcu。) E  L5 V, X7 ^4 [5 U9 X: _& o
只有VCC时:( ~) k& f, y  T0 j0 k2 q
通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降关注@电路一点通
0 \9 l- \4 a$ A+ @9 @当VCC和电池同时供电时:6 M$ r4 V4 Q8 p5 }2 W
Q9栅极电压为VCC  对于MOS管 Vgs=Vout-V电池  所以MOS管不导通, Q10 g极 Vg=Vout  Vs=Vout-V二极管   Vgs>0 所以也截止 。' d( o  C  }" \/ `, x' A( `' U

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/ ^" C, N8 ]" Y$ B4.双三极管镜像电路防倒灌# ^# o6 V  n2 T9 ^. y  h8 d1 ^5 b7 o
Vin 经过三极管 由于是PNP三极管  Vb连接地=0V Ve=Vin 所以三极管Q6导通  导通之后就会有管压降 所以 Vb的电压=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要满足 Ve>Vb 三极管Q7才会导通 但Vout会大于Vin  所以会是截止的。
& b* F- f, N; A' j正常工作时 Q5 Q6导通 Q7不导通 , 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通  
4 X& O/ f! Z+ v/ A$ k. U" A

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0 w  v; `2 w5 E  u  z# R% |" Y
过流保护
, e  }7 S- @+ Z" B1 fESP:静电放电(一般在芯片内部电路)
& z5 E. j) \& bESD相关概念及模型
( A  P; I" e0 q4 T5 m  \
$ s! V0 m+ d- l

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# L8 x7 l/ ]# w& z% @
3 x1 y9 t3 [* @- q! A0 s6 {3 M
人体放电:人体带的电荷  然后触碰芯片管脚, 芯片其他管脚正好有个接了地 产生电流 损坏芯片
$ I2 |3 J! d+ |- n3 h机器放电模式:机器触碰芯片的时候,  带电金属体 触碰芯片
- o/ R( H7 P8 {3 d" q7 L9 ]' ~元件充电:芯片可能在搬运啥的过程中  本身 被充电了 当夹具夹住的时候可能就通过夹具释放出来了/ W1 R" h& n, f6 r+ p7 T

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* o( n+ }. P  o, k8 ]* u2 j$ ^* V3 U, ?6 V' h. \7 n
ESD保护概念
6 y- [. ^+ y+ P1 K2 b+ e在芯片内部 提供ESD的电流路径 以免ESD放电的时候 静电电流流入芯片内部对芯片造成伤害 从而保护电路
6 j) v. }( z8 }6 g, r+ c下图 PAD可以当做芯片引脚 如果没加保护电路, 以人体放电为例,手碰到了 PAD1 PAD2接地 电流直接沿着紫色虚线的方向走从PAD1到PAD2,直接烧毁芯片。
: X6 D: ^5 @- `) O$ h. _, \蓝色的这些都是ESD保护 这些电路能在发生ESD的时候 能瞬间导通 把电流引导出去 且是可逆的 不会被静电所损伤
" q1 y/ f% g/ x# P* R! c4 @& o, [/ J1 n

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- v% t! w' K  F  _+ o) V$ U. R4 b/ }+ S: a# K$ w5 _9 R. v& M7 @
ESD保护示例
% w1 D- f. c5 R1 l& V' n
$ T5 P  p7 S9 D5 b: X/ n- g( H* B利用二极管(齐纳二极管)的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
9 X, I" N$ o- [7 l  F7 D; c如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路 2 U0 n( A+ f6 s2 D1 u5 l3 b$ D$ [
7 X& W. c3 E; ?, M- I/ K! K4 A
2 z/ @# m6 q0 \! r8 k  i
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  k6 [% u% ?  H. ]( Y声明:文章来源网络。本号对所有原创、转载文章的陈述与观点均保持中立,推送文章仅供读者学习和交流。文章、图片等版权归原作者享有,如有侵权,联系删除。投稿/招聘/推广/宣传/技术咨询 请加微信:woniu26a推荐阅读▼
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