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3 ?% q! S/ [9 m* g. _" S) E点击上方名片关注了解更多
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" }* h/ @0 w2 f2 S% o防反接电路
# X( t2 e; S& I9 ^3 a# Q/ s常见的措施:
+ N2 e! P, r7 J1 x1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上,不正确时 匹配不上# K$ r- G( E/ Z3 G( a" u
2.通过线的颜色做区分
; f0 l9 u8 A9 m8 i# Q3.通过电路的设计
# G3 ` U0 Y3 |7 Q$ z
T: [+ Y5 j) U# i防反接电路汇总:
' q0 j: N; X( S& s, z, ^典型电路类型:% r2 u0 |; ^5 e( b6 ]
1.二极管防反接(不常用): i3 q9 C3 l) g4 S1 ~
二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。(一般选用 肖特基二极管导通压降比较低 也要考虑反向电压)/ F( `& e' r: o$ M
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2.保险丝和二极管(稳压二极管)防反接
Z* s$ E/ k. ]二极管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数
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! Z+ I7 ]" h1 D: w% l3 C7 ?- t
3.桥式整流电路看好电路图的 电源和负载的两端接哪
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; j3 |; t) U' U8 W4.MOS管防反接(用得比较多的一种)PMOS:
' b# N/ H) f" ?' `: m# c在 PMOS 管防反接电路中,栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。1 y8 i+ C( c n4 L; L$ i4 M v
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这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择,一般需要根据 PMOS 管的特性和工作电压来确定。
% ?! Q! @# d' V5 m8 x旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管1 s6 l# W _! h% E: M' V5 Z
+ h% j" s- {' ?2 n( d/ P
在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos,电压高的是s,低的是d。正常上电时,3脚电压高,所以这时3脚是s,g比s低,所以管子导通(图中的D S应该反过来)。& d$ ?* N. _; b+ F- g% ]) I
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1 [. Q: M+ _ }* R5 s5 P' qNMOS:
! X! c0 |" F3 z5 s/ |1 SNMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS导通 形成回路
+ q& w4 r' i0 `) e 反接 Vg=0 Vs=5V 所以DS不导通 形成不了回路
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3 D* Q7 E6 i! _防倒灌电路6 |5 U/ `' r, M& I' p4 H$ `7 p! g
什么是倒灌?
* H+ p: i$ E- n. ]( }5 Y1.开关电源给负载供电, 如果负载是电池或者其他感性负载(比如像 电机 有线圈 当电源突然断掉时 会产生感应电动势)时, 当220V断掉的时候,可能会出现 电池反向给开关电源 的 输出端 供电,导致开关电源的一些莫名损坏。6 o0 v7 f" ]1 f1 R6 T6 V
2.系统在不同的 输出电压 之间 切换时,会存在高压电压倒灌到低压电压源中。关注@电路一点通
% G5 {! V& Z. c6 Y3 p例如:系统 有两个电源供电 比如 一个电池 一个 充电器 充电器的电压一般会高于电池 如果没有防倒灌的电路 可能充电器的电压会直接倒灌给电池 造成电池的损坏。: z3 q' F- f$ O; V* G+ U
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9 H2 y& }+ E3 j2 C, e+ J1.二极管串联防倒灌电路:
7 R. y7 t: F3 ~" l" ~' m5 [0 M2 p+ U 该电路 二极管选型要 选取电源 额定输出电流的(5-10)倍 并且可以加 散热片。
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2.双MOS组成的防倒灌电路& p; j6 r! O+ M d, m
电路分析:
, r8 t1 k t" d# C/ ^9 a正常情况下(无电流倒灌) ON/OFF接口可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制, c8 N3 T( V5 F, p+ d
所以这次就以 VIN的有无 来控制 VIN输入电压到三极管,三极管导通(基极电压大于发射极),由于三极管下连的是地,所以 PMOS管的栅极电压为0, Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。
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当输入电压突然没有的时候, Vin没有 所以 三极管Vb=0 Vbe
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3.双MOS组成电源自动切换电路(前提 VCC>电池电压) |9 ~6 O4 @8 `% c. ~7 y
Bat Charge 为电池电压7 t5 z1 P3 V- |9 \
VCC为系统电压
/ F0 R8 N# J7 h( ^当只用电池电压供电时:5 V) n# J1 j+ E2 M5 j6 J! |
MOS管Q9 栅极g为0V 源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ,然后给到 单片机VCC_mcu。) E L5 V, X7 ^4 [5 U9 X: _& o
只有VCC时:( ~) k& f, y T0 j0 k2 q
通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电 Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降关注@电路一点通
0 \9 l- \4 a$ A+ @9 @当VCC和电池同时供电时:6 M$ r4 V4 Q8 p5 }2 W
Q9栅极电压为VCC 对于MOS管 Vgs=Vout-V电池 所以MOS管不导通, Q10 g极 Vg=Vout Vs=Vout-V二极管 Vgs>0 所以也截止 。' d( o C }" \/ `, x' A( `' U
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/ ^" C, N8 ]" Y$ B4.双三极管镜像电路防倒灌# ^# o6 V n2 T9 ^. y h8 d1 ^5 b7 o
Vin 经过三极管 由于是PNP三极管 Vb连接地=0V Ve=Vin 所以三极管Q6导通 导通之后就会有管压降 所以 Vb的电压=Vin-0.6V Q7 Ve=Vout-0.6V 需要满足 Ve>Vb 三极管Q7才会导通 但Vout会大于Vin 所以会是截止的。
& b* F- f, N; A' j正常工作时 Q5 Q6导通 Q7不导通 , 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通
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过流保护
, e }7 S- @+ Z" B1 fESP:静电放电(一般在芯片内部电路)
& z5 E. j) \& bESD相关概念及模型
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人体放电:人体带的电荷 然后触碰芯片管脚, 芯片其他管脚正好有个接了地 产生电流 损坏芯片
$ I2 |3 J! d+ |- n3 h机器放电模式:机器触碰芯片的时候, 带电金属体 触碰芯片
- o/ R( H7 P8 {3 d" q7 L9 ]' ~元件充电:芯片可能在搬运啥的过程中 本身 被充电了 当夹具夹住的时候可能就通过夹具释放出来了/ W1 R" h& n, f6 r+ p7 T
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ESD保护概念
6 y- [. ^+ y+ P1 K2 b+ e在芯片内部 提供ESD的电流路径 以免ESD放电的时候 静电电流流入芯片内部对芯片造成伤害 从而保护电路
6 j) v. }( z8 }6 g, r+ c下图 PAD可以当做芯片引脚 如果没加保护电路, 以人体放电为例,手碰到了 PAD1 PAD2接地 电流直接沿着紫色虚线的方向走从PAD1到PAD2,直接烧毁芯片。
: X6 D: ^5 @- `) O$ h. _, \蓝色的这些都是ESD保护 这些电路能在发生ESD的时候 能瞬间导通 把电流引导出去 且是可逆的 不会被静电所损伤
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ESD保护示例
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$ T5 P p7 S9 D5 b: X/ n- g( H* B利用二极管(齐纳二极管)的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
9 X, I" N$ o- [7 l F7 D; c如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路 2 U0 n( A+ f6 s2 D1 u5 l3 b$ D$ [
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