防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路

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防反接电路
常见的措施：
7 T% J  _# S/ O. L( A1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上，不正确时 匹配不上
2 A5 E4 C) B& r' G' ?" q2.通过线的颜色做区分
3.通过电路的设计
- I! E" N% T/ y. a& e& _
/ {9 q# Q6 S1 r" W% Z防反接电路汇总：
3 ], z$ g( G+ y2 t, W; o8 ?# E典型电路类型：
* c5 R: H& ^3 Y/ E' l' w) ~1.二极管防反接（不常用）
- e$ c1 Z6 q# p9 d) r二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低  也要考虑反向电压）
: Y  h& m, @7 Z* R

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. c, N9 g- X- B

2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接
: U* X) r# ^: A6 a4 N3 m二极管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数

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3.桥式整流电路看好电路图的 电源和负载的两端接哪

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, s4 l* |9 ~2 `) b* l0 ?. g. [4.MOS管防反接（用得比较多的一种）PMOS：
在 PMOS 管防反接电路中，栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。
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8 n& K) G: D: [8 a: M这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择，一般需要根据 PMOS 管的特性和工作电压来确定。
旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管

在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos，电压高的是s，低的是d。正常上电时，3脚电压高，所以这时3脚是s，g比s低，所以管子导通（图中的D S应该反过来）。

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8 o; O1 @; R% C- rNMOS：
6 D: @, f3 G$ w  u3 |5 lNMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS导通 形成回路
                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不导通  形成不了回路
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" l9 h* d* L" X2 v; @防倒灌电路
% u( Z( l2 ]; Z9 |1 r什么是倒灌？
9 X, J7 y  p% a+ {" \- J1.开关电源给负载供电， 如果负载是电池或者其他感性负载（比如像 电机 有线圈 当电源突然断掉时 会产生感应电动势）时， 当220V断掉的时候，可能会出现 电池反向给开关电源 的 输出端 供电，导致开关电源的一些莫名损坏。
2.系统在不同的 输出电压 之间 切换时，会存在高压电压倒灌到低压电压源中。关注@电路一点通
1 _, _3 G0 ?2 Y- f* O( L: j例如：系统 有两个电源供电 比如 一个电池 一个 充电器 充电器的电压一般会高于电池 如果没有防倒灌的电路 可能充电器的电压会直接倒灌给电池 造成电池的损坏。

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1.二极管串联防倒灌电路：
7 e( Z2 |8 P/ E& g6 g1 y  B 该电路  二极管选型要 选取电源 额定输出电流的（5-10）倍 并且可以加 散热片。

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* o7 y3 x, J1 u
2.双MOS组成的防倒灌电路
$ K& m0 @) \6 [% S5 M电路分析：
正常情况下（无电流倒灌）  ON/OFF接口可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制，
4 p: {; L. r) s. s: n/ Z8 |  @所以这次就以 VIN的有无 来控制  VIN输入电压到三极管，三极管导通（基极电压大于发射极），由于三极管下连的是地，所以 PMOS管的栅极电压为0， Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。

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6 t& K, L# o7 ?3 s9 T  f( o3 \" K当输入电压突然没有的时候， Vin没有 所以 三极管Vb=0  Vbe

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; p4 Q9 b: a- x, F* ^

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1 J% F0 a7 H$ L6 A5 p  j0 G# J: @! J
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3.双MOS组成电源自动切换电路（前提 VCC>电池电压）
2 s2 ~0 H, Q( S; ^9 L1 i% }Bat Charge 为电池电压
4 [6 q/ y& ?, R7 W$ m* X6 MVCC为系统电压
当只用电池电压供电时：
MOS管Q9 栅极g为0V  源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ，然后给到 单片机VCC_mcu。
* z6 X; E! L" I, X只有VCC时：
+ R# }$ s7 Z' Y% @1 D通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降关注@电路一点通
当VCC和电池同时供电时：
Q9栅极电压为VCC  对于MOS管 Vgs=Vout-V电池  所以MOS管不导通， Q10 g极 Vg=Vout  Vs=Vout-V二极管   Vgs>0 所以也截止 。
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- f5 l% m# i( g, A4.双三极管镜像电路防倒灌
Vin 经过三极管 由于是PNP三极管  Vb连接地=0V Ve=Vin 所以三极管Q6导通  导通之后就会有管压降 所以 Vb的电压=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要满足 Ve>Vb 三极管Q7才会导通 但Vout会大于Vin  所以会是截止的。
% I4 c& P0 a8 N7 |' ~正常工作时 Q5 Q6导通 Q7不导通 ， 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通  

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过流保护
ESP：静电放电(一般在芯片内部电路)
ESD相关概念及模型
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- y# j5 L( l1 ~( f" ?人体放电：人体带的电荷  然后触碰芯片管脚， 芯片其他管脚正好有个接了地 产生电流 损坏芯片
机器放电模式：机器触碰芯片的时候，  带电金属体 触碰芯片
元件充电：芯片可能在搬运啥的过程中  本身 被充电了 当夹具夹住的时候可能就通过夹具释放出来了
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/ p4 W- B0 ~. WESD保护概念
, Z# z" J, P, E: l, J" {在芯片内部 提供ESD的电流路径 以免ESD放电的时候 静电电流流入芯片内部对芯片造成伤害 从而保护电路
下图 PAD可以当做芯片引脚 如果没加保护电路， 以人体放电为例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 电流直接沿着紫色虚线的方向走从PAD1到PAD2，直接烧毁芯片。
蓝色的这些都是ESD保护 这些电路能在发生ESD的时候 能瞬间导通 把电流引导出去 且是可逆的 不会被静电所损伤

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8 o7 M  p$ Y8 X: b$ r5 q# q; gESD保护示例
$ N9 N) c1 n  j) j4 t" g* Z1 r1 ]
利用二极管（齐纳二极管）的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
) ?/ a  J8 u1 o" \' p$ P$ \如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路
' D( Y  k3 Y% G9 i, d1 L* e& u


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