Hi,亲爱的小伙伴们。上一期咱们介绍了模电中常用的波特图仪和失真分析仪,它们使用起来还是比较方便和简单的。今天小电带大家学习稍微复杂一点儿的伏安特性分析仪,打起精神儿哦~
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关于伏安特性分析仪的小介绍~
伏安特性分析仪简称IV分析仪,专门用来测量二极管的伏安特性曲线、晶体管三极管的输出特性曲线,以及MOS场效应管的输出特性曲线。
IV分析仪相当于实验室的晶体管图示仪,需要将晶体管与连接电路完全断开,才能进行IV分析仪的连接和测试。
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伏安特性分析仪的图标
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上图是IV分析仪测量晶体三极管的电路。可以看出IV分析仪的图标上有三个连接点,如果是测量NPN管或PNP管,那么依次接基极、发射极和集电极;如果是测量MOS场效应管,那么依次接栅极、源极和漏极;如果是测量二极管,那么只接左边的两个端子,分别接二极管的正极和负极。
伏安特性分析仪的面板
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上图是IV分析仪的面板,面板的左侧是显示窗口,右侧是功能选择和参数设置区域。对IV分析面板参数可以进行如下设置:
选择元器件类型
大家单击面板右上方的“Components:”的下拉菜单,就可以选择需要测量的元器件类型,包括二极管(Diode)、NPN管(BJT NPN)、PNP管(BJT PNP)、P沟道MOS场效应管(PMOS),以及N沟道MOS场效应管(NMOS)。选择好元器件类型后,在面板右下方会出现所选元器件类型对应的提示连接方式图标,小伙伴们可以根据提示连接图标的三个端子连接电极~
显示参数设置
Current range(A)
用以设置电流显示范围。F是指电流终止值,I表示电流初始值。此外还有对数坐标和线性坐标两种显示方式可选哦~
Voltage Range(V)
用以设置电压显示范围。F是指电压终止值,I表示电压初始值。同样也有对数坐标和线性坐标两种显示方式可选哦~
扫描参数设置
单击“Simulate param.”按钮,就会弹出参数设置对话框。测量元器件选择不同,弹出的对话框需要设置的参数也是不同的。
晶体三极管扫描参数设置
上面的介绍中小电给出的IV分析仪的面板图是测量晶体三极管的特性曲线,单击图中的“Simulate param.”,就会弹出晶体三极管的参数设置对话框,如下图所示。
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二极管扫描参数设置
选择二极管(Diode)作为测量元器件,如下图所示,单击“Simulate param.”按钮会出现二极管参数设置对话框。
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由于二极管绘制的是二极管的伏安特性曲线,也就是二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系,因此横坐标是二极管的电压,也就是上图中“Source name V_pn ”项的设置,图中的数值表示起始电压(Start)为0V,每隔10μV扫描一次,直至终止电压(Stop)为1V时结束。
MOS场效应管扫描参数设置
选择场效应管(NMOS)作为测量元器件,如下图所示,单击“Simulate param.”按钮会出现MOS管参数设置对话框。
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今天的栏目到这里就要跟大家说再见啦~模电中常用的虚拟仪器仪表小电都带大家学完了哦,下一期开始小电将带领大家学习数电中常用的虚拟仪器仪表,我们不见不散哟~
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