测量MOSFET、IGBT、三极管和可控硅的好坏

测量MOSFET、IGBT、三极管和可控硅的好坏通常可以使用万用表来进行初步检查。以下是针对每种器件的基本测量方法：

MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)[/ol]

N沟道MOSFET:

将万用表调至“二极管”档。

将黑表笔接到漏极（D），红表笔接到源极（S），此时万用表应显示无穷大（开路）。

将红表笔接到漏极（D），黑表笔接到源极（S），此时万用表应显示无穷大（开路）。

用表笔短接栅极（G）和漏极（D）一瞬间，再测量源极（S）和漏极（D）之间，万用表应显示导通（一般为几百毫伏）。

如果在测试过程中无异常读数（如短路或开路），则MOSFET正常。
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P沟道MOSFET:

将黑表笔接到源极（S），红表笔接到漏极（D），此时万用表应显示无穷大。

用表笔短接栅极（G）和源极（S）一瞬间，再测量源极（S）和漏极（D）之间，万用表应显示导通。

其他步骤与N沟道相似，判断方式相同。

[/ol]2. IGBT (绝缘栅双极型晶体管)

将万用表调至“二极管”档。

将黑表笔接到集电极（C），红表笔接到发射极（E），应显示无穷大。

将红表笔接到集电极（C），黑表笔接到发射极（E），应显示无穷大。

将红表笔接到栅极（G），黑表笔接到发射极（E），再将红表笔从栅极（G）移至集电极（C），应显示导通。

如果上述步骤无异常，则IGBT正常。

[/ol]3. 三极管 (BJT)

NPN型三极管:

将万用表调至“二极管”档。

将红表笔接到基极（B），黑表笔依次接到集电极（C）和发射极（E），都应显示约为0.6V左右的压降。

交换表笔，测量同样的极点时应显示无穷大。

若以上测试正常，则三极管基本正常。
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PNP型三极管:

将黑表笔接到基极（B），红表笔依次接到集电极（C）和发射极（E），应显示约为0.6V左右的压降。

交换表笔，测量同样的极点时应显示无穷大。

若以上测试正常，则三极管基本正常。
[/ol]4. 可控硅 (SCR)

将万用表调至“二极管”档。

将黑表笔接到阳极（A），红表笔接到阴极（K），应显示无穷大。

用黑表笔依次接触栅极（G）和阴极（K），再同时将红表笔接到阳极（A），如果此时显示导通并保持，则可控硅正常。
[/ol]注意事项

以上方法只是初步检测，有些情况下可能需要更专业的仪器如示波器或曲线追踪仪来进一步确认器件的性能。

测试前，请确保电路中没有其他连接，以防止误判或损坏万用表。

如果器件已经焊接在电路板上，可能需要将其卸下再进行测量，以避免其他元件的影响。
这些测试方法可以帮助你初步判断这些器件的好坏，若你有更多具体的问题或案例，也可以进一步讨论。