过压保护+防反接+缓启动电路

过压保护、防反接、缓启动电源保护电路原理说明：
1、过压保护
正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的Vbe=0,Q2截止。
因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs
过压情况>26V一般会到28-30V，稳压管D3反向击穿，将Q2PNP管的栅极电位钳制在其稳压值28V而Q2PNP的射极电压接的是过压的VCC，
因此Q2PNP的Vbe
问题：关断时间有延迟。主要原因是PNP导通后集电极处电位需要快速升高到电源电压才能使得PMOS关断，而由于电容C4的存在，电位上升速度受限，τ = Rg * C。
可能的改进方案：外加一个控制电路来直接控制PMOS的栅极G，直接挂在稳压管1脚处就可以了。
2、防反接/欠压保护
当没有电源输入/电源输入小于Q3NMOS的Vgs阈值电压、电源反接的时候NMOS关断地网络断开，无输出到后级回路实现保护；
正常输入状态可以通过D4稳压管将Vgs 钳位到 10V，保证Q2NMOS开通，地网络接通正常输出。
3、缓启动
C4作用：
一阶段：接通瞬间 Q2PNP导通，Q1PMOS的栅极通过Q2和R7迅速到达VCC_BAT，使得Q1的PMOS的Cgs充电完毕之前达到Vgs = 0；
二阶段：此时由于VCC_BAT通过R4和R6到达PNP基极，让PNP关断，同时电容C4两端电压不可突变，故VCC_BAT通过R4/R6/R8回路给电容C4充电，期间电容等效为一个阻值不断增大的内阻，
此电阻与R8串联分压，此电阻上的分压不断增加，因此PMOS管的栅级电位因此分压逐渐降低直到Vgs
各电源输入端口/各级电源拓扑的瞬态保护
一般使用保险丝+TVS瞬态二极管吸收电压过冲以及瞬时大电流保护
各个电源端口可以加一个肖特基二极管防止电流/电压倒灌。

峰华

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