防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路

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防反接电路
0 Q5 }* d) E% ]: c( S4 c  E常见的措施：
1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上，不正确时 匹配不上
2.通过线的颜色做区分
3.通过电路的设计

6 V0 }/ {% d  c% k. E防反接电路汇总：
3 b' _% N* ]% c典型电路类型：
1.二极管防反接（不常用）
# r+ d% l! f, [$ m# V2 c二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低  也要考虑反向电压）

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2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接
二极管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数

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3.桥式整流电路看好电路图的 电源和负载的两端接哪
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: F& t8 V6 a; h3 d; ^, Q
5 V# J1 O# o9 @# ?' G2 K4.MOS管防反接（用得比较多的一种）PMOS：
+ P7 ]1 G3 ~* Q5 O在 PMOS 管防反接电路中，栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。

4 ?* |4 `/ v; {3 w- Z5 h3 d这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择，一般需要根据 PMOS 管的特性和工作电压来确定。
' K$ [2 z% ^$ X  Z% k旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管
" L2 W. T, j( b+ U
在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos，电压高的是s，低的是d。正常上电时，3脚电压高，所以这时3脚是s，g比s低，所以管子导通（图中的D S应该反过来）。
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NMOS：
& g1 R1 [- w9 V% oNMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS导通 形成回路
                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不导通  形成不了回路
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+ _9 u; C7 k; `# O

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: ~! S' S9 ]4 t& q5 N# d
# j6 m4 P* {* f- f/ i" {防倒灌电路
什么是倒灌？
3 c$ S' ]- T( V. u, m7 z" l1.开关电源给负载供电， 如果负载是电池或者其他感性负载（比如像 电机 有线圈 当电源突然断掉时 会产生感应电动势）时， 当220V断掉的时候，可能会出现 电池反向给开关电源 的 输出端 供电，导致开关电源的一些莫名损坏。
) y0 B" k$ D$ F4 f2.系统在不同的 输出电压 之间 切换时，会存在高压电压倒灌到低压电压源中。关注@电路一点通
例如：系统 有两个电源供电 比如 一个电池 一个 充电器 充电器的电压一般会高于电池 如果没有防倒灌的电路 可能充电器的电压会直接倒灌给电池 造成电池的损坏。
. C3 W7 B* A- a; |# ]1 e

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1 e6 q+ y7 T/ A, |
1.二极管串联防倒灌电路：
该电路  二极管选型要 选取电源 额定输出电流的（5-10）倍 并且可以加 散热片。
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2.双MOS组成的防倒灌电路
: P" r  h7 H4 x- }6 Y" x, M电路分析：
正常情况下（无电流倒灌）  ON/OFF接口可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制，
所以这次就以 VIN的有无 来控制  VIN输入电压到三极管，三极管导通（基极电压大于发射极），由于三极管下连的是地，所以 PMOS管的栅极电压为0， Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。
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当输入电压突然没有的时候， Vin没有 所以 三极管Vb=0  Vbe

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3.双MOS组成电源自动切换电路（前提 VCC>电池电压）
Bat Charge 为电池电压
+ a. `6 D# b- ?5 x9 gVCC为系统电压
9 V9 W: y) z- j当只用电池电压供电时：
3 [7 Z0 y* h/ y( p7 f( W. I+ bMOS管Q9 栅极g为0V  源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ，然后给到 单片机VCC_mcu。
% d! b/ D# q! U- o# r只有VCC时：
$ s0 u1 h& b  z6 W' y/ U通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降关注@电路一点通
当VCC和电池同时供电时：
4 |( d! A, \/ G' q( H7 hQ9栅极电压为VCC  对于MOS管 Vgs=Vout-V电池  所以MOS管不导通， Q10 g极 Vg=Vout  Vs=Vout-V二极管   Vgs>0 所以也截止 。
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4.双三极管镜像电路防倒灌
# ~; z& `6 w& p1 tVin 经过三极管 由于是PNP三极管  Vb连接地=0V Ve=Vin 所以三极管Q6导通  导通之后就会有管压降 所以 Vb的电压=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要满足 Ve>Vb 三极管Q7才会导通 但Vout会大于Vin  所以会是截止的。
正常工作时 Q5 Q6导通 Q7不导通 ， 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通  

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过流保护
ESP：静电放电(一般在芯片内部电路)
/ o% ^  \5 ^& \' c* `/ J5 RESD相关概念及模型

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人体放电：人体带的电荷  然后触碰芯片管脚， 芯片其他管脚正好有个接了地 产生电流 损坏芯片
机器放电模式：机器触碰芯片的时候，  带电金属体 触碰芯片
元件充电：芯片可能在搬运啥的过程中  本身 被充电了 当夹具夹住的时候可能就通过夹具释放出来了

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) r0 Q- E9 i5 X
ESD保护概念
, W$ y$ I/ O0 u- X8 |& @9 q在芯片内部 提供ESD的电流路径 以免ESD放电的时候 静电电流流入芯片内部对芯片造成伤害 从而保护电路
下图 PAD可以当做芯片引脚 如果没加保护电路， 以人体放电为例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 电流直接沿着紫色虚线的方向走从PAD1到PAD2，直接烧毁芯片。
2 J( R  z7 f8 N$ Q8 i蓝色的这些都是ESD保护 这些电路能在发生ESD的时候 能瞬间导通 把电流引导出去 且是可逆的 不会被静电所损伤
* a3 c0 b$ ^4 t  a3 J

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$ e8 A4 D. v( T; _8 i9 u7 ^
9 G1 K* @+ ~% I6 O# {! y. P1 M4 eESD保护示例
9 \% g' l7 @# q- O2 K' n* y
利用二极管（齐纳二极管）的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路
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