防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路

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防反接电路
) X/ F/ n. N4 Z$ ~8 |8 J( @3 k常见的措施：
* J) A- |, W2 O$ y5 \0 t) ^5 ?  W1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上，不正确时 匹配不上
2.通过线的颜色做区分
3 U+ e1 |+ p8 F+ F2 P- @, f5 X6 l0 ^3.通过电路的设计
7 ?8 I  J* K3 G) u
: J& q0 k3 w2 P8 G防反接电路汇总：
典型电路类型：
1.二极管防反接（不常用）
' j& m3 J" O! r二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低  也要考虑反向电压）

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/ Y, u1 d3 c$ [: J! I. p9 M
/ b* M) M$ D2 i2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接
! U/ X$ i5 b  r0 M二极管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数

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$ G# p9 a, N2 o* y+ ]: M; r
3.桥式整流电路看好电路图的 电源和负载的两端接哪
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0 G5 X) y% V; W" }* L+ U4.MOS管防反接（用得比较多的一种）PMOS：
9 k6 ~( P+ P# c' b$ @6 M! t$ h4 ]" Z( l在 PMOS 管防反接电路中，栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。

这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择，一般需要根据 PMOS 管的特性和工作电压来确定。
0 F( I7 u6 X! l2 u2 Z$ ]旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管

在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos，电压高的是s，低的是d。正常上电时，3脚电压高，所以这时3脚是s，g比s低，所以管子导通（图中的D S应该反过来）。
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1 ?- J9 W3 T2 Z
. d1 k$ r" Y* z" dNMOS：
NMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS导通 形成回路
5 V. X" h* E! o, `: H) w8 p  u                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不导通  形成不了回路

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( ?" }+ E% ^% N( ]& }1 O防倒灌电路
什么是倒灌？
1.开关电源给负载供电， 如果负载是电池或者其他感性负载（比如像 电机 有线圈 当电源突然断掉时 会产生感应电动势）时， 当220V断掉的时候，可能会出现 电池反向给开关电源 的 输出端 供电，导致开关电源的一些莫名损坏。
1 V' d/ c  v; J% |: `2.系统在不同的 输出电压 之间 切换时，会存在高压电压倒灌到低压电压源中。关注@电路一点通
- z3 u- Z, S- U8 y) p$ }例如：系统 有两个电源供电 比如 一个电池 一个 充电器 充电器的电压一般会高于电池 如果没有防倒灌的电路 可能充电器的电压会直接倒灌给电池 造成电池的损坏。
4 E) V) t8 C6 T

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6 L$ @1 ?5 [" F& i" F+ d
1.二极管串联防倒灌电路：
该电路  二极管选型要 选取电源 额定输出电流的（5-10）倍 并且可以加 散热片。

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1 s) C# H+ _2 u% q  M% J+ u2.双MOS组成的防倒灌电路
电路分析：
正常情况下（无电流倒灌）  ON/OFF接口可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制，
( a5 j4 u. O: t% R# N所以这次就以 VIN的有无 来控制  VIN输入电压到三极管，三极管导通（基极电压大于发射极），由于三极管下连的是地，所以 PMOS管的栅极电压为0， Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。

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当输入电压突然没有的时候， Vin没有 所以 三极管Vb=0  Vbe

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3.双MOS组成电源自动切换电路（前提 VCC>电池电压）
Bat Charge 为电池电压
0 K; t9 g7 b. i8 K' O5 Z( wVCC为系统电压
当只用电池电压供电时：
! M+ A- `) [' X1 b( Q/ {4 o% N- i* z* FMOS管Q9 栅极g为0V  源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ，然后给到 单片机VCC_mcu。
只有VCC时：
通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降关注@电路一点通
当VCC和电池同时供电时：
9 q0 m0 A; U5 U( N& Y( uQ9栅极电压为VCC  对于MOS管 Vgs=Vout-V电池  所以MOS管不导通， Q10 g极 Vg=Vout  Vs=Vout-V二极管   Vgs>0 所以也截止 。

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% w7 `4 T3 {9 i- ^. a* c. Y) ~4.双三极管镜像电路防倒灌
- b1 L  ~9 t2 @8 d3 H. d% |Vin 经过三极管 由于是PNP三极管  Vb连接地=0V Ve=Vin 所以三极管Q6导通  导通之后就会有管压降 所以 Vb的电压=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要满足 Ve>Vb 三极管Q7才会导通 但Vout会大于Vin  所以会是截止的。
正常工作时 Q5 Q6导通 Q7不导通 ， 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通  

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过流保护
) O3 E) g0 Q! @0 l0 k" g# ?" LESP：静电放电(一般在芯片内部电路)
ESD相关概念及模型

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人体放电：人体带的电荷  然后触碰芯片管脚， 芯片其他管脚正好有个接了地 产生电流 损坏芯片
. x# _( F# {; {4 {$ \. @机器放电模式：机器触碰芯片的时候，  带电金属体 触碰芯片
/ w; \( h8 |4 P, U8 {7 p元件充电：芯片可能在搬运啥的过程中  本身 被充电了 当夹具夹住的时候可能就通过夹具释放出来了
% O) @) }4 [, p  P% Q( D

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' e$ J) }2 h2 v, y0 Z9 O3 jESD保护概念
# m  m- g, ?6 I; K( N在芯片内部 提供ESD的电流路径 以免ESD放电的时候 静电电流流入芯片内部对芯片造成伤害 从而保护电路
5 N, ]# s" {% Y, k6 g/ I下图 PAD可以当做芯片引脚 如果没加保护电路， 以人体放电为例，手碰到了 PAD1 PAD2接地 电流直接沿着紫色虚线的方向走从PAD1到PAD2，直接烧毁芯片。
蓝色的这些都是ESD保护 这些电路能在发生ESD的时候 能瞬间导通 把电流引导出去 且是可逆的 不会被静电所损伤
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ESD保护示例
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利用二极管（齐纳二极管）的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路
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3 x! X7 H  T# x( J
' n. q$ R+ d, j3 W& h! d3 c. ^) D3 t声明：
2 T7 F0 S' m: S3 a2 ^9 u/ r声明：文章来源网络。本号对所有原创、转载文章的陈述与观点均保持中立，推送文章仅供读者学习和交流。文章、图片等版权归原作者享有，如有侵权，联系删除。投稿/招聘/推广/宣传/技术咨询 请加微信：woniu26a推荐阅读▼
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