|
引言
8 z9 j2 r1 {1 l随着数据中心流量持续呈指数级增长,对更高效的I/O链路的需求也在不断增加。硅基光电子技术在开发光电共封装收发器方面展现出巨大潜力,可以最大限度地缩短与网络交换机的物理距离并减少寄生损耗。硅基光电子收发器的一个关键组件是光源模块,通常采用波分复用(WDM)架构在不同波长上传输数据。
" {$ p0 l( N1 e# I; ?4 c" a% r& D9 P' @) S& M/ L& h" v
开发用于这些应用的多波长激光器阵列面临几个挑战,特别是在热管理方面。随着阵列中激光器数量的增加,热串扰和模块整体高温问题变得更加显着。本文将探讨用于光电共封装的大型混合激光器阵列的热扩展性分析,重点关注翻转芯片键合的InP-on-Si激光器[1]。1 B: b5 }, {# M) I$ N
4coml4g3kv46402419405.png
* N0 d, H) U: B2 R1 @- Y! k! f" h& U
激光器表征和建模. U) E" I5 a2 V
为开始分析,首先需要对激光器进行实验表征并开发精确的模型。本研究使用的激光器是尺寸为350x300x100 μm3的InP分布反馈(DFB)激光器,设计为在C波段工作,线宽小于1 MHz。- N# ]( u/ X) ~, R# B
14ldg1bjr3q6402419505.png
4 j0 z1 w( T6 N0 I+ S) l' Q
图1:显示了测量的L-I-V曲线(光-电流-电压)以及提取的激射效率和阈值电流随温度的变化。- u X; K, q* t1 ^9 l) S
" c+ z8 z7 h! q) b; I6 U) o5 r激光器的激射效率和阈值电流在不同温度下进行测量。如图1所示,这两个参数都表现出强烈的温度依赖性。阈值电流随温度呈指数增加,而激射效率则呈指数下降。这些关系可以用以下方程描述:
) r2 f/ o2 X- y7 o! ?" u- }( u& W* P- p8 o) m, X, M$ y+ P
jc35kcdty0i6402419605.png
$ _* g. {# k! o5 j; M
. o1 B9 u; O% a
其中I0和η0是拟合参数,T0和T1是特征温度。2 R1 Q1 M1 _/ d/ J
2 H: A* h8 a! T& J热阻是另一个关键参数,决定了给定热生成下激光器的工作温度。可以通过以下方程实验确定:+ S/ A1 R% i+ W+ s# t* @" `
+ p; U9 `( l4 H2 Y$ m
4v1d4szybld6402419705.png
; G' ]' u8 p9 P6 a
+ j, u' Q* X: N" g* I Y2 u4 E
其中λ是发射波长,T是温度,P是输入功率。
4 ]8 f% D5 J; ?7 V4 l5 V! Q, {; W& j. x1 w/ @: G% p
merdshv4emp6402419805.png
9 v [6 \) J9 V# A3 n0 R. g C
图2:显示了测量的激光器波长漂移与芯片温度(左)和波长漂移与施加电功率(右)的关系。
{; v, _' w8 B0 @ v+ B0 O6 \- l( }6 Y
建模方法
/ c$ w3 S# h" t% L, F! x为分析大型激光器阵列的热行为,我们需要开发光学和热学模型。光学模型描述了激光器输出功率作为电流和温度的函数:7 f2 Y+ m/ M4 x f3 c
c( V& ]" _/ F; F5 r0 F- n- X+ `
mmezynjzjy36402419905.png
$ u1 U5 ~. B6 w0 V
0 S- {8 Z) Z( Z* ]( f这个方程需要迭代求解,以考虑光功率和温度之间的相互依赖关系。- |, a4 f: A) \. h( L8 Z7 v
3 u- c0 S- B; {: {5 q6 z1 _
对于热建模,使用有限元分析来模拟激光器及周围环境的温度分布。模型包括激光器、载体芯片和键合结构。8 S9 O. i {, b j
% ]- o: X/ V* D1 i; q2 A
0skh5ermkim6402420006.png
2 V; z* |4 @7 s) s1 U/ d图3:显示了热有限元模型的几何结构和计算网格。7 n3 U. ^1 z' w; ~% {
8 }/ T+ l! j2 @! F+ {5 [为高效地模拟大型激光器阵列,基于热耦合剖面开发了一个紧凑的热光模型。该模型区分了激光器内部耦合(单个激光器芯片内增益段之间的耦合)和激光器间耦合(独立激光器芯片之间的耦合)。0 ~& m: ^1 l t/ i- J! C" m2 Q
7 j A M! \6 E, u- t( B
huhr3u5krvv6402420106.png
3 |( P3 O9 d# F
图4:提供了混合激光器阵列的概念示意图,突出显示了激光器内部和激光器间的热耦合。% @% g2 l2 l$ v/ d
2 v$ B0 _. i2 l5 x8 [2 N* ~1 ]紧凑模型使用矩阵乘法计算阵列中的温度:
& B# C7 ?3 _" I% [* \/ I) E: s3 x& f6 \. S& v" p: H
ihxus2qmejo6402420206.png
8 |: O) k9 q6 Y( J) M2 u' p) j: t# R; G9 C
其中T是温度向量,P是热生成向量,R是热阻矩阵,C是热耦合矩阵。
( q2 F6 _( N, x3 O& E: S
* [# a1 d9 c* T5 g: `/ v3 e# Q热扩展性分析
6 f# o+ Z0 V. \/ E7 W4 U$ f7 G现在模型已经就绪,可以分析各种因素如何影响激光器阵列的热性能。! y$ Z. ^9 ~& U* W0 Z2 l
, X3 ?3 Z# t: F% e$ z6 ^1. 激光器宽度扩展# E" ^, O- P/ Z1 q
随着增加激光器芯片中的增益段数量,单位耗散热量的热阻会发生变化。' ]: u t5 O4 q
6 k P) b, _8 K: Y) [! n& M
ld5w2flerep6402420306.png
# Z0 g" O) g- [' S$ X( U* @图5:显示了激光器宽度从1个增益段增加到4个再到16个的有限元模拟结果。
9 h+ e+ ~. L7 U+ N
8 A, t1 Q( Q7 C1 B, ^模拟结果显示,随着增益段数量的增加,由于增益段之间的激光器内部热耦合,最高温度也随之上升。/ ~# l) F" k0 N
9 [8 q0 f: M& @1 _) V: Y, `# C
2. 激光器长度扩展
5 ]& V% g, A- Q# J* {增加激光器长度可能会产生不同的效果,这取决于如何扩展功率密度。
" @3 W% y4 L$ R; w6 R3 L0 [$ t
/ j' O4 k* X' Q
zsvi3cf2hu56402420406.png
0 P, i1 {) R8 `, h# j3 G! S- O- ?/ N
图6:显示了在总功率恒定和功率密度恒定条件下,有限元模拟的激光器热阻随长度的变化。/ x2 }+ Q) D% y5 f" e
" E& ?9 H7 W; ?/ e+ e
如果保持总耗散热量恒定,增加激光器长度会由于功率密度降低而减小热阻(K/W)。然而,如果我们保持功率密度恒定(W/mm),以K-mm/W为单位的热阻则保持相对恒定。
0 o) `0 q( [: e; @" }7 N9 r: `' }& T6 M" N0 ^* [
3. 顶部冷却: F- y; c, i6 m
在激光器顶部添加散热器可以显着改善热性能,特别是对于较大的激光器。* Y9 \2 I- P9 l4 U+ ~2 J" r
5 B) {4 ~2 ^* W" c" b
241ys2jlfau6402420506.png
- z' y7 g! ?+ _- M1 G( M
图7:说明了顶部散热器对激光器热阻的影响,作为散热器阻力和热界面材料(TIM)阻力的函数。
( e# m6 A- R8 R7 `$ [) K3 F5 n. G# }! y, s; Z
结果显示,顶部冷却对多增益段激光器的影响更为显着。对于16增益段激光器,一个现实的TIM(RTIM = 50 mm2-K/W)和散热器(Rhs = 1 K/W)可以将热阻降低高达45%。
* e6 Z0 q4 U" r% v4 u- ~6 ~, ]0 h
9 T. h/ q$ \0 x2 Q; Q/ G5 z案例研究:8 x 8 WDM光源
3 Q/ F: H/ c9 N; B$ S* r7 U2 f为展示热扩展性分析的实际应用,让我们考虑用于光收发器的8 x 8 WDM光源案例研究。
/ ]3 I5 D0 |* G/ W; T _
; _/ _' }7 H, a7 v8 r3 X2 J
c1vxge3k2vy6402420606.png
3 l$ H- @- Z+ w% ]# m, w! z
图8:显示了WDM光源的示意图,指出了波长通道数和物理端口数。4 p* B- k5 m- G8 b7 V
4 l- o( h% v9 o5 m) }
该案例研究的规格包括:- h2 |# i' q, P; D6 e
8个WDM通道(200 GHz网格)8个端口每个单元5.8 dBm波导耦合光功率2 dB边缘耦合器损耗, w2 e8 A" Z, z# X) U
2 ^+ {2 O2 l5 E0 ^/ A& C1 U; m9 L1 w
使用热光模型,可以分析各种配置以优化功耗和占用面积。' V6 M) [ k' K
6 T$ U( x8 m3 P! B9 p5 o4 n8 H% g
lo1dodv5da06402420706.png
! w8 }- {3 a4 ^+ F; I9 z3 ^图9(a):显示了8 x 8激光器阵列在500 μm和100 μm间距下的模拟热阻。图15(b)是25°C下集成激光器所有模拟设计的散点图。! m! r2 Q4 L+ y+ m3 E1 S) Q
% C- [7 x) `# Z( N
fzbwptkquyj6402420806.png
& A; F4 q( q. c+ L" H% N: Q* Q
图10:显示了在各种条件下激光器阵列的模拟总电功耗,包括不同环境温度、集成vs外部激光器以及每个激光器的增益段数。
. G; D( e( q% s8 ?
1 g+ r! ]- S7 [" V2 W( L8 K- b% t* @该案例研究的主要发现包括:由于额外的光纤插入损耗,外部激光器的功耗是集成激光器的2-4倍。增加激光器长度通常会增加功耗,但允许更高的光功率供应多个端口每增益段,可能减少激光器芯片总数。最小功耗的最佳配置在很大程度上取决于环境温度和其他因素。在较高的环境温度下,许多设计由于无法达到所需的光功率规格而变得不可行。激光器阵列的能量效率和占用面积之间存在明显的权衡。: ~3 j+ H4 z2 f# H7 G' ]
[/ol]' A* e' I0 M9 C8 n5 F) c5 ^) t
$ s6 P. j W% s6 t# b结论/ Z* K I1 r5 K/ e$ M3 u
热管理对于开发用于光收发器的大规模、多波长激光器阵列极为重要。本文提出了全面的方法来分析混合InP-on-Si激光器的热扩展性,包括实验表征、详细的热学和光学建模,以及在实际场景中的应用。/ S" r w* U+ Y: K7 Q8 h8 X; }
B2 b D7 e8 v0 i- Z: R1 }' ~8 F
本分析的主要结论包括:# E- s& d$ H( q! R. Y
1. 激光器热阻与长度成反比,但由于热串扰而随宽度增加而增加。 v F4 j0 ?% ]6 j# _. F' e- x$ c
2. 顶部冷却可以显着改善热性能,特别是对于具有多个增益段的较大激光器。
+ }( U6 Z' ^6 Z4 ~* R' l% e3. 优化激光器阵列设计需要仔细考虑多个因素,包括环境温度、集成方法(外部vs集成)以及功耗和占用面积之间所需的平衡。4 ?5 H/ c/ C. C# K; x
5 O2 S6 g# u# D5 Z+ W6 Q
通过应用这些热扩展性原理并使用所提出的建模框架,设计人员可以为下一代数据中心应用创建更高效、更可靠的光收发器。随着继续推动数据传输速率和集成密度的边界,这种热感知设计方法对于光电共封装的成功将变得越来越重要。
1 u- x; g: J! d) ^0 B0 S; A% o1 P- y% n$ k7 B2 ~' V' O' h. E7 R
$ b5 l. G l7 F1 t" Z* F
参考文献6 }: |6 O+ z( E+ g# g8 e0 y" e
[1] D. Coenen et al., "Thermal Scaling Analysis of Large Hybrid Laser Arrays for Co-Packaged Optics," IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2024.
/ m1 D! x/ `% k6 y6 Q# P5 w: n) W) |6 v5 u: D+ h8 _
- END -
- R* \) Y, M5 N2 w5 P7 w2 l/ @! Q( W
软件申请我们欢迎化合物/硅基光电子芯片的研究人员和工程师申请体验免费版PIC Studio软件。无论是研究还是商业应用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
3 Q+ J3 o# k0 N! }: _, W点击左下角"阅读原文"马上申请
- y1 t: M5 A7 p5 Z4 R; B. N5 Z
9 @$ U' J2 ]) n+ A0 s2 B欢迎转载
" S z1 z/ {# I2 f: |
3 n- J1 B/ O# U3 \转载请注明出处,请勿修改内容和删除作者信息!
2 s A1 z% D4 [0 l$ n* d9 C
5 X8 U4 f( N9 E4 t" i3 K4 o4 D, F; w
) ?( x1 F# W3 g: h9 J J
oybigznqf5d6402420907.gif
: M. n, _) L6 ^6 q* T# F3 }5 h! s1 m# r# T% y, ^
关注我们& ~+ `& X) S E8 k: d" Z
; i t# d" |5 C6 r) k
0 X0 l x6 @7 {' x4 `
4hmmo0qboeo6402421007.png
3 J) J, B2 V$ w `
| 1 J) u4 R2 G& j" O& l
4ghtqo34evx6402421107.png
. P* @6 H' C1 o9 J6 p% D T | 5 K, y, M$ r2 ]9 Q' x2 j4 D
rut2eplpklm6402421207.png
7 Y/ k6 Z7 Q8 n: b |# @
|
0 {4 A" a1 x$ T# `$ p, F- h' l: c0 a
7 E$ s# a) m1 L5 K2 p" {( x% u( O7 g, s, R- L
关于我们:
) f% j/ V& W. Y7 S7 I& d深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。
1 @4 U; i6 u+ l7 w( X/ a! y3 Y
3 ~# m; p! }5 m: V, i9 R chttp://www.latitudeda.com/
4 \: Z! _1 a3 ~9 h(点击上方名片关注我们,发现更多精彩内容) |
|