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Nano Letters | 集成于混合薄膜铌酸锂光电子平台的单个纳米线量子点的声学调制

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发表于 2024-9-29 08:02:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言4 Z5 g; S/ i( \+ H- W: d
量子点(QDs)已成为集成量子光电子线路中片上单光子源的有前途候选者。然而,在单个芯片上使用多个量子点的主要挑战之一是发射波长的固有变化。本文探讨了创新方法,使用表面声波(SAWs)动态调谐集成到混合薄膜铌酸锂光电子平台中的纳米线量子点的发射波长[1]。8 V! p+ L  E2 a$ @

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/ b4 S6 e' a5 O- H. {
3 W7 i" I3 L' n" i: J表面声波的力量
9 S$ _" N. o  H9 w+ P: q表面声波是沿材料表面传播的机械波。在量子技术领域,表面声波显示出控制各种量子系统(包括量子点)的巨大潜力。通过将表面声波耦合到量子点,研究人员可以调制量子点的能级,从而动态改变发射波长。
& v% X- }& Q" E3 x9 s) F5 w* E# v9 b3 Y) u# V# d

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4 B0 [0 d; }- Z( W2 W
图1:(a) 两条用于独立声学调制的声学延迟线的光学显微镜图像。(b) 波导内纳米线的扫描电子显微镜图像。(c) 集成纳米线的扫描电子显微镜图像,横截面显示光学模式分布。(d) 剪切表面声波模式的位移剖面。(e) 表面声波产生的应变剖面。(f) 400 MHz激发的表面声波位移场。4 q- S9 F8 H. h) w2 R3 i
( c7 b' D* H' a9 Y4 J: L
混合量子光电子平台
& H0 [$ o+ Y: C3 R) ~为了展示基于表面声波调制的威力,研究人员开发了一种混合量子光电子平台。该平台将InAsP/InP纳米线量子点集成到薄膜铌酸锂芯片上。选择铌酸锂很重要,因为其强烈的压电性能可以高效产生表面声波。  o7 H2 p# }" C- A# Q& n( [: M
( p5 U! a0 J- ?" s4 U
纳米线被精确定位并集成到Si3N4加载的波导中。这种混合方法结合了纳米线量子点的出色量子发射特性和铌酸锂平台的强大光电子功能。
$ M: N3 i' [* w8 I0 j; R% s& l% Q8 E
声学延迟线和聚焦叉指换能器! j! U( O5 ]  z( J( w6 ]5 z
该系统的关键组件是声学延迟线,由两个相对的聚焦叉指换能器(FIDTs)组成。这些FIDTs被设计用于在量子点所在的特定点生成和聚焦表面声波。通过向FIDTs施加射频(RF)信号,研究人员可以创建精确控制的声波与量子点相互作用。
$ Q+ x8 L0 D3 ^

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6 T. K! w$ n# r1 ^: R. x
图2:(a) 未调制时QD1的光致发光谱。(b) 单个表面声波引起的测量光学调制。(c) 两个反向传播表面声波对最亮发射峰的光学调制。(d) 应变引起的能量分裂与相对相位的关系。
) R  Q  r* j+ Z( ~) c( f: d8 w7 q% y4 w8 D4 u* w5 A

% ]' Z0 W1 G# D4 C' o波长调制演示
  B8 X; Q  F3 c; b' U" ^) t研究人员通过调制单个量子点的发射波长展示了方法的有效性。通过向一个FIDT施加400 MHz的射频信号,在13 dBm功率下实现了0.70 nm的峰峰值波长调制。这种显著的调制展示了表面声波用于微调量子点发射特性的潜力。: T1 [) ?/ X9 V! e# G

( Z: [5 D) V6 O, ~) g利用声学腔增强调制  i4 r  I' z0 q0 v
为进一步提高调制能力,研究团队探索了同时使用两个FIDTs。通过驱动两个换能器,他们创建了反向传播的表面声波,形成驻波模式。这种方法有效地将调制幅度翻倍,达到了令人印象深刻的1.4 nm峰峰值移动。* }" v" V# h3 t# |: M/ T' ]: |( R

7 r' v3 @% ^$ l: P2 t. P驱动两个FIDTs的射频信号之间的相位差在这种增强调制中起着关键作用。当信号同相时,纳米线位于驻波的波腹处,最大化应变效应。相反,信号之间的π相移可以完全抑制调制。& s% W* Y- h; U$ n% F

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+ |5 E* \5 i3 U+ u图3:(a) QD1和QD2的应变引起的谱线展宽与射频功率的关系。(b) 无表面声波和有表面声波调制时QD1和QD2的发射峰。(c) 集成到光电子平台中的两个可应变调谐纳米线量子点的表现。5 `) X+ R* W/ d3 a
% M/ ^+ W( J" m) q+ y# Z
多个量子点的独立调制
% P/ Y+ ?, P* g& \! T: Z' Q这项研究最令人兴奋的方面之一是在同一芯片上对两个独立量子点进行调制的演示。研究团队选择了两个初始发射波长相差0.5 nm的纳米线量子点(QD1和QD2)。通过向与每个量子点相关的FIDTs施加适当的射频信号,他们能够在每个声学周期内将两个量子点的发射波长调至共同点。
; T6 M: g2 v: |6 D) o; H
7 u, O: ^& T: H* V$ D" m这一成就是朝着在单个光电子芯片上从多个远程发射器产生不可区分单光子迈出的重要一步 - 这是许多量子信息处理应用的关键要求。5 N; [% Z2 k4 K6 k* t# V( l
; F( H5 i5 o# V
8 u" D6 D7 ], j& `: R& R2 x0 D
挑战和未来方向% {+ W. A  j5 J4 ?
尽管结果很有希望,但仍有挑战需要克服。目前的调制范围虽然令人印象深刻,但可能不足以解决量子点集合中通常观察到的全部波长变化。# R& b" s0 T& H/ b& }7 g; ~) o1 O
研究人员提出了几个改进方向:
  • 增加射频功率:必须仔细考虑更高功率下的潜在加热效应。
  • 使用较低电阻率的金属制作FIDT电极以减少欧姆损耗。
  • 优化量子点在声学腔中的位置以最大化应变效应。
  • 探索释放铌酸锂层以增强机械约束。
    ! O4 l9 k3 g) C9 [5 M1 g[/ol]
    ! C' ]5 `2 ]* a6 S  Y! H: a! V. c( p此外,虽然将量子点调至共同波长很重要,但确保发射光子的高不可分辨性仍然是一个挑战。未来工作中需要考虑匹配辐射速率和实现傅里叶变换限制发射等因素。* V2 \5 o/ g( W9 b9 ?( m
    5 |" S) o- m( Q) F$ a8 m% A

    ! {1 X9 g# \5 c9 ]# \: m. T6 Z! a与光电子线路集成' k  G  t- ~/ b! Q6 E! }1 x; K
    这项研究的最终目标是将这些表面声波调制的量子点集成到功能性量子光电子线路中。研究团队设想使用可调谐环形谐振器或其他过滤机制来选择和路由芯片内的调制光子。
    # x  ^9 @) z; ^2 K2 |! Q
    ' z* Y0 v5 ]3 B; x5 c: }$ ?9 N/ Y结论- E# ?, E& ]* J  m' C' j7 _& J
    集成到混合薄膜铌酸锂平台中的纳米线量子点的声学调制代表了集成量子光电子技术领域的重大进展。通过利用表面声波的力量,研究人员展示了有前途的方法,解决了在单个芯片上使用多个量子点的关键挑战之一。( K+ R. h1 l/ |) J% J8 K4 H- c

    2 h$ d& H* v! ?1 T, V; j参考文献
    6 Y# Q. o! H9 m$ v7 ~[1] T. Descamps et al., "Acoustic Modulation of Individual Nanowire Quantum Dots Integrated into a Hybrid Thin-Film Lithium Niobate Photonic Platform," Nano Lett., 2024, doi: 10.1021/acs.nanolett.4c03402.
    * g: }$ Y8 n' s8 B* b8 X9 r0 |* D8 W! J, G( A/ g1 ^
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