竟有如此精细化片内SRAM电源控制的MCU？

撞上电子

大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家介绍的是从功耗测试角度了解i.MXRTxxx系列片内SRAM分区电源控制。
我们知道配合 MCU 一起工作的存储器包含 ROM(Flash) 和 RAM 两类，前者主要放 RO 代码和数据，后者放 RW 数据。MCU 可以没有片内 ROM，但是一般都会包含片内 RAM，这个片内 RAM 功耗是 MCU 整体功耗的重要组成部分。
恩智浦 i.MXRT 四位数系列片内 RAM 主要由 FlexRAM 和 OCRAM 组成，痞子衡写过一篇文章 《FlexRAM模块详解》，里面介绍了 FlexRAM 的电源控制策略。虽然 FlexRAM 也是由多个 Bank 组成，但是其无法做到任意开关每个 Bank，其受既定的组合策略控制（跟随系统 Low Power 模式），而 OCRAM 则直接是整体开关。就这方面设计而言，i.MXRT 三位数系列片内 SRAM 电源控制则灵活得多，今天痞子衡就重点聊聊这个话题：
- E% G+ f) g* f7 F9 l$ U一、片内SRAM分区控制恩智浦 i.MXRT 三位数系列目前主要是 RT500 和 RT600 两大型号，前者包含 5MB 片内 SRAM，后者包含 4.5MB 片内 SRAM。因为片内 RAM 够大，所以为其设计的电源控制策略就更精细。
- W8 f& Y, a5 a4 I下图是 RT500 上 AXI-to-RAM 架构图，从图里我们知道 5MB SRAM 一共被分成了 32 块（注意不是等分，有 32KB/64KB/128KB/256KB 四种不同大小）。
- RT500 一共 32 个 SRAM 分区（SRAM0-31）：
- RT600 一共 30 个 SRAM 分区（SRAM0-29）：
- 不同大小的 SRAM 分区：
/ Y" c/ p; \; i0 n* M" b: B3 @( m  SRAM0-7   ：32KB
  SRAM8-11  ：64KB
  SRAM12-15 ：128KB
7 F0 E' }* E( Q0 Q  SRAM16-31 ：256KB