GD32的FLASH读、擦除、写操作

硬件花园

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6 \: _* c# O+ h, R
一，GD32的flash特征
' k! j( j, D+ J' F1、在flash的前256K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较长延时；
  {, J1 Q3 J- U2、对于flash大于512KB（不包括等于512KB）的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD，使用了两片闪存；前512KB容量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中；
# l' c6 A# Y% n! `) V% h& ?0 U3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD，只使用了bank0；
4、对 于 GD32F10x_MD ， 闪 存 页 大 小 为 1KB 。GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ，GD32F10x_XD，bank0的闪存页大小为2KB，bank1的闪存页大小为4KB；
2 f! r' n* e8 E5、支持32位整字或16位半字编程，页擦除和整片擦除操作；
5 Y# y1 \! z( }8 m0 Z9 p5 {
二，GD32的flash结构
1、GD32F10x_MD

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GD32F10x_CL，GD32F10x_HD 和 GD32F10x_XD

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( ~$ ?: W  O1 Z- r# c三，GD32的flash读操作
flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。
; p: q3 ?( J* A- `0 I2 }; |

value=*(uint32_t*)FlashAddr;

uint16_t IAP_ReadFlag(void){  return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR);  }
四，GD32的flash擦除操作
每一页可以被独立擦除，步骤如下：
1，确保FMC_CTLx寄存器不处于锁定状态；
9 G3 ^4 G% F- Z0 Y  ]2，检查FMC_STATx寄存器的BUSY位来判定闪存是否正处于擦写访问状态，若BUSY位为1，则需等待该操作结束，BUSY位变为0；
6 o9 b7 j( N& f, E2 P3 T3，置位FMC_CTLx寄存器的PER位；
4，将待擦除页的绝对地址（0x08XX XXXX）写到FMC_ADDRx寄存器；
" T8 w- ^7 l- ?( _- g3 r5 s5，通过将FMC_CTLx寄存器的START位置1来发送页擦除命令到FMC；
6，等待擦除指令执行完毕，FMC_STATx寄存器的BUSY位清0；
7，如果需要，使用DBUS读并验证该页是否擦除成功。
" ]9 z5 e: {5 q, |

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock();  //fmc解锁 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
    /* erase the flash pages */  fmc_page_erase(Page_Address);
  /* clear all pending flags */  fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);  fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);  fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
  fmc_lock();  //fmc上锁}
要擦除连续的几页：
4 w' b: F' B; J1 F% R* M9 D

void fmc_erase_pages(void){    uint32_t erase_counter;
    /* unlock the flash program/erase controller */    fmc_unlock();    /* clear all pending flags */    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);    fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
! M3 x' D3 D6 B    /* erase the flash pages */    for(erase_counter = 0; erase_counter         fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter));        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);    }
    /* lock the main FMC after the erase operation */    fmc_lock();}
0 Z4 ^. y4 |$ O. f2 ?全部擦除：

void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address){ fmc_unlock();  //fmc解锁 /* clear all pending flags */ fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR); fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
) v" x* f; [9 y! j5 p; @- C /* erase whole chip */ fmc_mass_erase();
  /* clear all pending flags */  fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);  fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);  fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
  fmc_lock();  //fmc上锁}
五，flash写
  }, `; ?# |# g3 P) _$ _8 l! w' |" y4 T往flash的某个地址写入数据前，一般要先擦除该地址。
/ p, N$ k/ i6 G$ R' R3 w+ k
16位半字编程：

void IAP_WriteFlag(uint16_t flag){  fmc_unlock();  fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR);   fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag);  fmc_lock();}
3 |9 ?' C% m4 l, F+ s8 d2 S( y32位整字编程：
! U3 K" e. a4 Z3 e/ y$ J1 U

void fmc_program(void){    /* unlock the flash program/erase controller */    fmc_unlock();
    address = FMC_WRITE_START_ADDR;    /* program flash */    while(address         fmc_word_program(address, data0);        address += 4;        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);        fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);     }    /* lock the main FMC after the program operation */    fmc_lock();}
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==========作者：ql君
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