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DDR模块布局时采用点对点布局模式,尽量靠近BGA摆放。两片DDR布局时按照T点结构布局,走线从中间向两端发散,保证到DDR的线长度一致。当两个器件中间无排阻是,摆放间距在600-800mil,有排阻时间距在800-1000mil,滤波电容靠近IC管脚摆放,走线阻抗控制在50om,数据线每11根尽量走在同一层D0-D7,LDQM和一对差分线等。信号线之间满足3W规则,数据线和时钟线、地址线之间满足20mil以上,空间足够情况下,用地线隔离开,加过地孔。高低8位数据线保持等长,误差在50mil,控制线,时钟线和地址线误差在100mil,差分线绕等长时先使差分对内误差保证在5mil内,在进行数据线等长操作。如果原理图有特殊标注,走线应满足要求。走线后在走线中间空余处打上过地孔减少干扰。
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