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引言随着芯片架构向着数百个处理核心的多核方向发展,传统的电子网络芯片(ENoCs)在满足不断增加的核心间通信需求方面面临挑战。光子网络芯片(PNoCs)作为一种有前途的替代方案出现,提供了接近光速的信号传播、高带宽密度和低动态功耗等优势。然而,PNoCs也面临自身的挑战。影响PNoCs长期可靠性和能源效率的一个关键问题是微环谐振器(MRs)的电压偏置温度诱导(VBTI)老化,这些MRs是光子链路中的关键组件。
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本文概述了PNoCs中的VBTI老化效应,解释了其对系统性能和能源效率的影响,并讨论了缓解技术,重点关注4脉冲幅度调制(4-PAM)信号作为一种主动解决方案。
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0 h( ^5 }6 l# C% H; Z0 S4 B5 \+ }% e微环谐振器中的VBTI老化机制/ `' J/ V1 N+ V+ ?- f
微环谐振器是PNoCs中用作调制器、接收器和开关的紧凑型、波长选择性器件。在硅核中包含一个PN结,在周围的二氧化硅包层中包含一个微加热器。MR的共振波长可以通过操纵PN结的电压偏置来改变自由载流子浓度,或通过操纵微加热器的电压偏置来改变局部温度进行调整。
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图1:具有PN结的可调谐MR横截面,用于通过电压偏置实现载流子注入和耗尽。# T" ]$ u n5 Y& I
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当在MR的PN结上施加负电压时,会在Si-SiO2界面产生电场。这个电场与热变化相结合,随时间推移导致在这些界面上产生陷阱,类似于MOSFET中的老化过程。这种现象被称为VBTI老化。
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陷阱生成机制可以用以下化学反应表示:8 `! G: C8 [) B9 y+ r
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Si-H + h+ → Si* + H% u+ [5 p$ a& B( O
" k# ]) ^' V+ f其中h+代表MR的Si核中的空穴,Si-H是硅-氢键,Si*是产生的硅悬挂键,作为类似施主的界面陷阱。
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* X6 k# ]" F. X4 b% o5 `0 O$ }VBTI老化对MR特性的影响
" V, r/ ^* {) E: SVBTI老化主要通过两种方式影响MR特性:共振红移:随着界面陷阱增加,MR核心中的空穴浓度减少,导致核心的折射率增加。这导致MR的共振波长发生红移。共振通带展宽:MR核心与周围环境之间折射率对比度的增加导致光散射损失增加,从而导致MR的Q因子降低(即共振通带宽度增加)。
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1 B) Y) F# F& j7 ]! R$ G图2:在三个工作温度300 K、350 K和400 K下,共振波长红移(ΔλRWRS)和QA随时间的变化。; o2 D4 v. e Y( t& u' j
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! q6 C: v# r7 H v# S$ `7 c6 F图3:在四个偏置电压-2 V、-4 V、-6 V和-8 V下,QA和共振波长红移(ΔλRWRS)随工作时间的变化。) p+ S7 O% D/ F; H7 Y
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这些图表显示,更高的工作温度和电压偏置水平会加速MRs中的VBTI老化。 s5 u5 F8 _3 A* P
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VBTI老化对基于DWDM的OOK链路的影响
$ {; O- |2 p7 w) U C" y0 p为了理解VBTI老化对基于密集波分复用(DWDM)的开关键控(OOK)链路的影响,我们需要检查源节点和目标节点的效应。) M$ N7 [3 t L% `3 l( s( v
9 x F% `+ X$ f. w& i" L- `. E在源节点:
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图4说明:频域中示例源节点的图示(a)老化前和(b)老化后。
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VBTI老化导致调制器MRs的共振发生红移并增加通带宽度。这导致信号频谱与MRs共振波长之间的不对准,从而导致调制效率降低和互调串扰增加。
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在目标节点:' J) w l/ a" O
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图5:频域中示例目标节点的图示(a)老化前和(b)老化后。5 x1 K2 J' y# F b! T5 t
8 B' [, @; N: m老化引起的接收器MRs变化加剧了两种现象:信号侧带截断:MR通带与信号频谱之间的不完全频谱重叠。外差串扰:MR通带与相邻非共振信号频谱的部分重叠。
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" h0 k' l+ m& ^: w# t4 a8 g3 U' B这些效应导致信号退化和滤波/接收光信号的平均频谱功率衰减。
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缓解VBTI老化影响
) p6 d# V) s, H2 _: }有两种主要方法来缓解VBTI老化影响:反应式和主动式技术。% O+ L8 T9 b, A$ r4 m# X- {
6 G6 d* K/ Q2 T0 n1. 反应式缓解:
& r" x, X6 l' v" x局部修整:这种技术可以通过在MRs共振中引入蓝移来抵消老化引起的共振红移。但是,可能会导致MR通带进一步展宽。串扰缓解技术:先前的工作提出了各种方法,但通常会带来显著的性能和/或面积开销。7 @$ U0 i t m% I" [- K
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2. 主动缓解:4-PAM信号. k& N2 Q$ G5 y. l" z+ r" V
4-PAM信号作为一种有前途的低开销技术,可主动缓解VBTI老化影响。
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图6:(a)开关键控(OOK)信号方法和(b)四脉冲幅度调制(4-PAM)信号方法的时域表示图示。
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/ \( A1 S7 x; o$ @# ~# m7 c, O4-PAM使用四个光传输级别在一个数据符号中表示两位信息,在给定信号波特率的情况下,有效地将带宽翻倍。4 D5 l$ j0 H/ s
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图7:频域中(a)基于OOK和(b)基于4-PAM的目标节点图示。, R6 f' @* j5 L n, b
8 A* x2 Y, h1 ~! S7 D. Z: c4-PAM信号在缓解VBTI老化效应方面的主要优势是:
" ]2 T# ^# F( l" z% {更宽的信道间隔:4-PAM允许相邻波长信道之间的信道间隔增加两倍,自然最小化外差串扰。主动防范串扰:更宽的间隔为VBTI老化引起的MRs共振通带展宽所导致的加剧串扰效应提供了缓冲。/ n* S; P4 s9 y2 ]/ |/ M% L
! y2 n" G3 }) K& A' G z2 J4 z B评估结果. M0 N0 U$ _; p% [9 T9 \
为了展示4-PAM信号在缓解VBTI老化影响方面的有效性,比较了CLOS PNoC架构的两种变体:CLOS-OOK(使用传统OOK信号)和CLOS-4PAM(使用4-PAM信号)。% @6 D5 ~9 ~3 z& E2 J% ~9 _
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图8:CLOS-OOK和CLOS-4PAM PNoCs在1年、3年和5年老化后在100个PV图上的最坏情况信号功率损失。
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) E! \4 J# |6 B. f0 }0 n1 T( l/ A主要观察结果: Y. c0 Y/ w% A
VBTI老化随时间增加CLOS-OOK和CLOS-4PAM PNoCs的最坏情况信号功率损失。在老化条件下,CLOS-4PAM PNoC始终表现出比CLOS-OOK PNoC更低的信号功率损失。
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& o( Z# H x; D6 [% Y# E1 {图9:基线CLOS-OOK和CLOS-4PAM PNoCs与经过3年VBTI老化的变体在PARSEC基准测试中考虑100个PV图的每比特能耗(EPB)比较。
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( v, v* [; o2 f+ ~) C# v6 o( E% @图10:基线CLOS-OOK和CLOS-4PAM PNoCs与经过5年VBTI老化的变体在PARSEC基准测试中考虑100个PV图的每比特能耗(EPB)比较。* |8 ?0 q: i! O/ G$ N- e+ R: U: r
( `! N" B. W, r3 l/ Y这些结果表明:
, x9 a) R- h9 C3 l6 G& S! l, zVBTI老化增加了CLOS-OOK和CLOS-4PAM PNoCs的每比特能耗(EPB)。经过3年VBTI老化的CLOS-4PAM PNoC比未经老化的基线CLOS-OOK PNoC实现了5.5%更好的能源效率。- F: G& a- H* D
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结论
5 R5 P2 ~2 q- ~0 P) Q2 [VBTI老化对光子网络芯片的长期可靠性和能源效率构成了重大挑战。通过理解VBTI老化的基本机制和影响,我们可以制定有效的缓解策略。4-PAM信号的使用成为一种有前途的主动解决方案,即使在多年老化后,仍能提供比传统基于OOK的架构更好的能源效率。随着我们继续推动多核芯片设计的边界,解决VBTI老化等可靠性挑战对于光互连技术的广泛采用将至为重要。
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: w6 L6 I3 Q3 r! Y u/ s1 p9 ^& s: n参考文献. d, c5 h5 G% J/ C& f
[1] M. Nikdast, S. Pasricha, G. Nicolescu, and A. Seyedi, Eds., Silicon Photonics for High-Performance Computing and Beyond, 1st ed. Boca Raton, FL, USA: CRC Press, 2021.- K$ U F2 ^. p- }( j
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" c8 f9 `: F. D深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。: f+ o- r/ |, Y0 A4 Z! R& z
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