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[作业已审核] 4XDDR作业---冯凯

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发表于 2024-10-31 21:00:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
4片DDR模块布局时空间足够的情况下采用菊花链模式,尽量靠近BGA摆放,串联电阻放到最后一片DDR后边,滤波电容靠近管脚放置。四片DDR地址线,时钟线,控制线走线时走到第一片,再从第一片依次往后走,保证到DDR的线长度一致。DDR和BGA中间无排阻时,摆放间距在600-800mil,有排阻时间距在800-1000mil,滤波电容靠近IC管脚摆放,走线阻抗控制在50om,数据线每11根尽量走在同一层D0-D7,LDQM和一对差分线等。信号线之间满足3W规则,数据线和时钟线、地址线之间满足20mil以上,空间足够情况下,用地线隔离开,加过地孔。高低8位数据线保持等长,误差在50mil,控制线,时钟线和地址线误差在100mil,差分线绕等长时先使差分对内误差保证在5mil内,在进行数据线等长操作。如果原理图有特殊标注,走线应满足要求。走线后在走线中间空余处打上过地孔减少干扰。4XDDR地址线绕等长时可以采用xSignals功能对地址线进行分段,使每段分别等长就可保证整体等长。

4XDDR3作业.PcbDoc

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发表于 2024-11-4 09:02:17 | 显示全部楼层
bga内部扇出不得开窗处理

截图202411040902075617.png
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发表于 2024-11-4 10:13:38 | 显示全部楼层
VREF的连接需要加粗
截图202411041013052401.png
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发表于 2024-11-4 10:14:25 | 显示全部楼层
注意过孔数量
截图202411041014162055.png
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发表于 2024-11-4 10:14:49 | 显示全部楼层
高速信号避免直角走线
截图202411041014394416.png
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