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氮化镓功率器件技术的现状与展望

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论坛法老

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发表于 2024-11-8 08:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言
& f1 u/ L6 b& @+ p0 i* p8 |. L! _功率电子行业正在经历氮化镓(GaN)技术带来的重大变革。本文讨GaN功率器件的关键特性、与碳化硅(SiC)和传统硅技术的竞争状况,以及在现代功率转换系统中的应用[1]。& m5 G+ k1 D% }" y
# S- D. p9 t' D, m$ ]; J
器件技术与基本概念- h. `+ x6 I2 S% l2 g+ |
GaN功率器件通过其横向器件结构提供了独特的优势。该技术利用GaN和AlGaN层之间界面形成的二维电子气(2DEG),形成了具有极高电子迁移率的天然沟道。这种特性使GaN器件在性能指标上优于传统硅器件。& E7 |: V6 G. S: x8 F

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0 X  ?! W$ E( n图1展示了两种主要的GaN HEMT结构:肖特基栅(左)和栅注入晶体管混合漏极结构(右),显示了两种架构的根本区别。
) M* ~9 k, u. E* D% T: a1 Z% E% N' g/ y+ W* X
与竞争技术的性能对比
; F) K( ^, _  j( {& J在600V/650V等级中,硅超结、碳化硅(SiC)和GaN三种主要技术相互竞争。每种技术在特定应用场景中都具有独特优势。
  b, a# B+ G4 c4 w6 C

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5 K8 ^! h3 X# w! M  M  c! M5 n图2展示了SiC MOSFET和GaN HEMT相对于硅超结技术的关键参数对比,突出显示了各自在基本开关线路中的优势。' ?- k7 b) B6 d( \* V9 a' m$ t
, x! f/ Y4 a: w+ a9 @
高级应用与实现
: d+ K& R+ v6 q功率因数校正(PFC)是GaN技术最重要的应用之一。现代PFC线路已从传统的升压拓扑发展到更高效的推挽配置。
; T% S+ F+ O' \3 h% \, s/ D( R

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; p+ R1 l7 O0 R3 D( f2 s图3展示了工作在1.8至2.4 MHz三角波电流模式的220W PFC级,展现了GaN技术的高频能力。& I3 }" u: |/ E& B+ m- n

: V$ e* u( k, e6 f8 X( x6 i: IDC/DC转换是GaN技术的另一个重要应用领域,特别是在高频操作方面。先进的实现方案采用复杂的变压器配置和调制方案,实现了极高的功率密度。0 |. W9 ]2 n0 O5 G& G

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# |7 }( R# l) h) \) X1 E2 E" X8 t图4展示了可工作在700 kHz的LLC演示系统,采用堆叠式矩阵变压器结构(左)和三电平调制(右)。9 y9 U' I8 u' C
$ v$ w$ ]4 ?  n2 K3 x- x
技术发展与创新! n! H! L8 m0 Z2 x; O! \
GaN技术的一个重要发展方向是单片双向开关。这种创新器件可以在两个极性下阻挡电压,并在第一和第三象限主动控制电流,为功率转换架构提供新的解决方案。
+ T6 C$ S" ?4 e, j/ f+ m& m

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0 s% y0 e- y/ u+ m5 l& }& [5 I" u
图5展示了单片双向GaN HEMT结构(左)及其在单级功率转换中的潜在应用(右),展现了该技术的发展方向。7 B1 I) G; b0 w. v4 U0 g
4 [2 H: \8 T( S
技术选择指南
# t2 X1 M$ a: {' p" K: m+ z5 A选择合适的技术需要根据具体应用要求:4 \6 H7 t; U; M, C" F! p
1. 硅超结器件:
$ E, h0 e' q7 h! I7 A7 l
  • 适用于单端硬开关应用
  • 适合低至中等开关频率的谐振变换器
  • 随着技术进步持续改进
    ! E' \) X2 p# f+ h) m/ @6 e" K

    / S* r1 b' Y+ n; W. i& o
    ' Z- B9 v& L' C3 [- M6 C
    2. SiC MOSFET:9 a& d4 \9 i  v7 E
  • 在硬开关半桥和全桥线路中表现优异
  • 具有优良的温度系数特性
  • 在连续电流模式应用中性能出色
    6 ?: X8 D# Z' n7 U. P2 W) }

    " s' z! N& {" T' d3. GaN HEMT:! R  m7 X; L* ~6 I3 q, g# j' V* [
  • 在高频应用中占据优势
  • 适合谐振变换器
  • 在三角波电流调制实现中表现优异
  • 可实现极高的功率密度, V" m4 Q5 r2 O: j9 m- M

    ) G* A6 F, m7 r/ N1 R功率电子技术领域不断发展,每种技术都找到了最适合的应用空间。特别是GaN技术在高频率和高效率应用方面表现出显著优势。单片双向开关的出现代表了重要进步,可能对单级功率转换架构产生深远影响。' r- H2 v1 F) n* a: _9 s, K
    ( t5 k$ G( l- U% t
    参考文献6 ~% F3 F% G' `. W/ v* g1 x
    [1] G. Deboy and M. Kasper, "Positioning and Perspectives of GaN-Based Power Devices," in GaN Technology: Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion, M. Di Paolo Emilio, Ed. Cham, Switzerland: Springer Nature Switzerland AG, 2024, ch. 8, pp. 353-360.1 a+ _9 t1 y( c7 J
    END1 U7 J, n1 p9 g/ E
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    3 Y9 O2 y) k& @- `7 S, ?欢迎转载
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    1 ~# ]* I  }0 h! v  Y! Z: T转载请注明出处,请勿修改内容和删除作者信息!
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    ) K1 o) F) l: `' i6 Q7 T5 n关于我们:
      |; S) h$ N( W; R% r深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。2 f: S! G5 j: h
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