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氮化镓功率器件技术的现状与展望

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发表于 2024-11-8 08:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言  q6 B- x  j0 k' K% a
功率电子行业正在经历氮化镓(GaN)技术带来的重大变革。本文讨GaN功率器件的关键特性、与碳化硅(SiC)和传统硅技术的竞争状况,以及在现代功率转换系统中的应用[1]。. f9 k' j( v0 Q9 X0 H) S
4 e8 J6 x2 F& ^" I8 @
器件技术与基本概念
( U! ~0 Y, L8 U" SGaN功率器件通过其横向器件结构提供了独特的优势。该技术利用GaN和AlGaN层之间界面形成的二维电子气(2DEG),形成了具有极高电子迁移率的天然沟道。这种特性使GaN器件在性能指标上优于传统硅器件。3 T4 i$ u4 ?. Z, t, V

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. U  d( [) A. K% Z: B图1展示了两种主要的GaN HEMT结构:肖特基栅(左)和栅注入晶体管混合漏极结构(右),显示了两种架构的根本区别。6 x. i* w9 S7 Y) |) x
% K# C( q3 ?9 U! X$ I
与竞争技术的性能对比5 j3 i. S% H! f7 I. D" T; c
在600V/650V等级中,硅超结、碳化硅(SiC)和GaN三种主要技术相互竞争。每种技术在特定应用场景中都具有独特优势。
& F4 u* l  K' ?

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% b3 L" b/ J- H" E6 }
图2展示了SiC MOSFET和GaN HEMT相对于硅超结技术的关键参数对比,突出显示了各自在基本开关线路中的优势。, @3 e9 E! C8 o) ~! R% P/ X( m
! q8 D2 h1 {4 L8 H5 O
高级应用与实现
) ^! P4 g2 ~! q. o- e! `) U$ T功率因数校正(PFC)是GaN技术最重要的应用之一。现代PFC线路已从传统的升压拓扑发展到更高效的推挽配置。/ J+ E: M# d5 a, ]

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/ q# I7 w) t# ]7 k2 o- z# u
图3展示了工作在1.8至2.4 MHz三角波电流模式的220W PFC级,展现了GaN技术的高频能力。
  E. ~- g. M* o) Y/ g3 S' `- ^& C3 z6 V' ~0 t: B
DC/DC转换是GaN技术的另一个重要应用领域,特别是在高频操作方面。先进的实现方案采用复杂的变压器配置和调制方案,实现了极高的功率密度。3 {: I% c' H" F3 R8 `7 u/ R+ ]+ h$ {

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' d6 w2 l5 P- H
图4展示了可工作在700 kHz的LLC演示系统,采用堆叠式矩阵变压器结构(左)和三电平调制(右)。
6 R0 w' I9 P; _
- V# ]' J9 R4 i$ h& n0 ~' @, C) O技术发展与创新( f2 ^  w# ^( z9 B( I1 t) U! d
GaN技术的一个重要发展方向是单片双向开关。这种创新器件可以在两个极性下阻挡电压,并在第一和第三象限主动控制电流,为功率转换架构提供新的解决方案。: }$ O$ E. F  n

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3 K4 o; \6 X) C5 w5 ?0 z9 z) C( H& f图5展示了单片双向GaN HEMT结构(左)及其在单级功率转换中的潜在应用(右),展现了该技术的发展方向。! J! U: w0 i/ n4 b; O  `
. R# a: c& E, Z6 `
技术选择指南) R. i$ S4 H& f
选择合适的技术需要根据具体应用要求:: s2 }  p, Z4 J6 u- m( ]
1. 硅超结器件:) v' K  ?, {5 j. e; J$ z9 U" L
  • 适用于单端硬开关应用
  • 适合低至中等开关频率的谐振变换器
  • 随着技术进步持续改进
    ; v" }6 j) A9 C; x

    " _+ j. t9 s  q% f' F9 `

    3 x7 k/ J) ?0 w2. SiC MOSFET:2 G% Q, K2 `' f
  • 在硬开关半桥和全桥线路中表现优异
  • 具有优良的温度系数特性
  • 在连续电流模式应用中性能出色
    5 e! F: D( ~. ~; w) Z/ m8 ^: ~
    5 z: E, H8 N& \, T3 A; T
    3. GaN HEMT:
    % ^9 n) V( U# a1 P8 R" ?
  • 在高频应用中占据优势
  • 适合谐振变换器
  • 在三角波电流调制实现中表现优异
  • 可实现极高的功率密度
    $ R( ~: S) [) P# D" e

    7 G* O4 [3 h( I功率电子技术领域不断发展,每种技术都找到了最适合的应用空间。特别是GaN技术在高频率和高效率应用方面表现出显著优势。单片双向开关的出现代表了重要进步,可能对单级功率转换架构产生深远影响。& h  {! @& ?  S

    - ^9 h1 ?6 b" h# x, G% u参考文献4 s" j  z2 T) M  b) m  e
    [1] G. Deboy and M. Kasper, "Positioning and Perspectives of GaN-Based Power Devices," in GaN Technology: Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion, M. Di Paolo Emilio, Ed. Cham, Switzerland: Springer Nature Switzerland AG, 2024, ch. 8, pp. 353-360.' ~; a0 N0 ~. N
    END
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    ; c% s/ ~: i: N! m4 W9 R$ q欢迎转载* Z9 q! F/ R: ?% Y: `, U
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    转载请注明出处,请勿修改内容和删除作者信息!  i, p* v# O; I

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    & ~: J- Y) c: N深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。, r, p5 w" c& B" ?8 ~
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