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氮化镓技术在电力电子应用中的理解

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发表于 2024-12-2 08:54:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
氮化镓技术简介
& L; v- I8 }/ d& ?2 |# B: z; e氮化镓(GaN)技术在电力电子领域带来革命性进步,相比传统硅基器件具有显著优势。本文将探讨GaN技术的基本特性、结构、应用及性能特点[1]。! @& H, z5 p- u+ y5 b
+ }! L3 z; M; n. c$ E, y5 V
材料特性与构型
6 B& M* P( N5 T: r. E; b. kGaN同时具有比硅和碳化硅(SiC)更高的载流子迁移率和临界电场。采用相对经济的GaN-on-Si晶圆使GaN在中高端应用中更具竞争力,特别是在成本敏感的场景下。) @5 N2 l' F, J! b- o

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) w3 i- i1 G6 s图1展示了不同材料和技术的特定Ron与击穿电压限值的关系,显示了GaN相比硅和SiC的卓越性能特征。
  H" Y( V, O4 g# m, H
1 j7 K5 ?. e; SGaN器件的横向构型具有以下优势:
! p& E. e; n! g; k$ S8 o* a- b* p
  • 可实现传感、保护和驱动线路的单片集成
  • 所有端子易于访问
  • 支持半桥器件集成
  • 可与硅器件简单混合集成
  • 封装更简单且成本更低
    9 Y. e1 h3 N; f; ?9 S9 m* l

    . a6 C- }8 Q& Q: t1 k7 f器件结构与运行原理
    , d# `5 ?. [- ~0 d$ n

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    # n8 f& _" j! O4 T/ `
    图2对比展示了掺杂硅晶体管与GaN HEMT的截面结构,显示了两种技术的基本结构差异。" \5 o) o! l8 q7 B* d% v1 K# ^
    4 `, M' J  i/ A# E: c5 q1 R
    对于任何GaN HEMT应用,驱动线路的合理设计和优化对构建高效可靠的系统具有根本作用。驱动线路需要为开关栅极提供适当的电压和电流来控制开关过程。' R( H9 l! q' a" ^2 m
    - t- Z1 [+ x5 j) }1 ]; b
    驱动线路与功率集成
    4 X; y8 f3 O% I; v

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    : p" x0 r. X' j" ]4 r7 }5 W
    图3展示了肖特基栅GaN HEMT(上)和GIT GaN HEMT(下)的驱动线路,显示了不同类型所需的配置。
    # L' o! W8 _( S
    ' T6 y3 D  U2 j) |) j+ p  z  fGaN功率集成电路的出现代表技术的重大进步。集成实现了关断时几乎零损耗,因为关断栅极驱动回路基本没有阻抗。: M0 Q" f0 T1 Z. s

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    & _! e" [1 Z8 v9 }+ u# R- F$ {' C" Z图4显示了新型高频有源钳位拓扑和GaN功率集成电路如何实现无源元件缩小和整体功率密度提高3倍。; q/ l* o* A$ {; v

    ! i0 D; Z& e# w4 u6 v/ T4 a* o动态特性表征的挑战
    - A  H! f& b4 G; k; k4 B9 S' {GaN功率器件的动态特性测量面临独特挑战,因为电压转换(dv/dt)和电流转换(di/dt)极快。这些快速转换与测试线路中的寄生元件相互作用,可能产生过高的电压或电流。
    & N  b7 N- W- E9 j- M

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    ) v! m6 G+ {) s# \4 x- j. A: |7 M/ c1 l
    图5展示了GaN FET开关测试中的振荡和振铃结果,说明了动态表征中的挑战。
    & _" U# g' r% O7 {5 @7 h7 C/ j% X; ]2 p3 s9 g7 V
    垂直GaN技术5 i! o/ u% n* z; g. Q# q8 H0 t* r: b
    垂直GaN技术的发展代表另一个重要方向。垂直GaN能够实现700-900V以上阻断电压的实用扩展,因为阻断电压随外延特性而不是芯片面积变化。! V, g2 S4 c- _6 z

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    , p% R' `$ ?6 \图6展示了基于GaN-on-GaN低缺陷密度的垂直导电GaN晶体管,显示了垂直器件的基本结构。
    , T( s& D# Q, M1 J
    + o, g  [3 a( O9 I; E9 A$ b3 l  \可靠性与测试) V( {8 G/ R6 V
    可靠性是GaN技术最关键的方面之一。制造商采用全面的测试程序来确保器件在各种工作条件下的可靠性。  F  |7 `7 s2 H2 ?2 Y0 y6 [

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      R: U3 x7 y9 R: V$ s! r, P' G图7展示了英飞凌的四支柱GaN器件认证方法,显示了确保器件可靠性的综合方法。
    7 O. w- \" M* w9 B- [  k; X# l  O  _/ U- A6 J4 p0 i
    应用与发展方向
    / K. N, |# J- |( `/ R随着GaN技术的不断成熟,已在数据中心、电动汽车和工业电机驱动等领域获得应用。这种技术在保持高效率的同时能够在更高频率下工作,使其在新一代电力电子应用中具有特殊价值。+ e9 L) K/ ]7 Z/ m, M

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    % R4 }# B+ Z% n# ]: I* H" M! c图8展示了GaN半桥功率集成电路示意图和电机逆变器实例及其良好的散热性能,展示了在电机控制系统中的实际应用。% {% ~/ E9 k) c- P( O' ^( a( t
    6 v; X) l: r3 n; ^$ ~
    结论
    : l+ o" z4 F/ Y- k2 ]0 }( h, ~0 \GaN技术在电力电子领域展现出卓越的性能特征,远超传统硅基器件。尽管在动态表征和可靠性测试等方面仍存在挑战,但横向和垂直GaN技术的持续发展正在推动高性能电力电子应用的进步。9 P7 F* j0 z1 R  P6 |  m

    # g% r3 L0 Q& n. e  K, h参考文献1 \$ f. v' |- G7 J$ C
    [1] M. Di Paolo Emilio et al., "GaN Technology," in GaN Technology: Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion. Cham, Switzerland: Springer Nature Switzerland AG, 2024, ch. 4, pp. 49-106. doi: 10.1007/978-3-031-63238-9_4( J5 U( S) o! t
    ( E: y' y/ E' [
    END
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    , c$ B% {8 n- i+ m! e9 w* f欢迎转载4 y; U% o* r- F2 ?5 \
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