光子集成相控阵的低旁瓣

jinli333

光子集成相控阵是各种应用中的重要组件，包括光通信、传感和成像系统。影响这些阵列性能的关键因素之一是旁瓣电平。高旁瓣会导致发射光相控阵中的干扰、功率浪费和系统效率降低，同时也会对接收光相控阵造成干扰。本文将探讨设计低旁瓣光相控阵的方法，重点关注均匀和非均匀阵列配置[1]。
$ o4 U3 \% k/ V2 T2 Q" N  `. j7 [! i9 b2 u. P( m/ u% Z; p# F
( {# F+ @$ o. J8 M  d/ X9 u9 O1 Z2 b* A5 r5 Z! G4 x2 }
+ S' e) M& h! m/ [/ v+ @% A7 J$ P: X. \理解光相控阵
在深入探讨低旁瓣设计技术之前，了解光相控阵的基础知识很有必要。具有N个天线的一维光相控阵的远场辐射模式由以下公式给出：2 p. ]) c) F' Z! c  C

( o0 s$ v/ C3 Y% b. }; l3 V1 IE(θ) = ∑[n=1 to N] An e^(j(2π/λ)xn(sin θ - sin θs))