光子集成相控阵的低旁瓣

jinli333

光子集成相控阵是各种应用中的重要组件，包括光通信、传感和成像系统。影响这些阵列性能的关键因素之一是旁瓣电平。高旁瓣会导致发射光相控阵中的干扰、功率浪费和系统效率降低，同时也会对接收光相控阵造成干扰。本文将探讨设计低旁瓣光相控阵的方法，重点关注均匀和非均匀阵列配置[1]。
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理解光相控阵
在深入探讨低旁瓣设计技术之前，了解光相控阵的基础知识很有必要。具有N个天线的一维光相控阵的远场辐射模式由以下公式给出：2 p. ]) c) F' Z! c  C

6 Q0 a) V% {  d; gE(θ) = ∑[n=1 to N] An e^(j(2π/λ)xn(sin θ - sin θs))
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