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引言
8 |+ J8 o, [2 t7 Q8 q& G1 J4 S随着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)应用的快速发展,半导体产业正面临挑战与机遇。计算能力、内存带宽和能源效率需求的持续提升,使得半导体制程不断挑战性能极限。在这个背景下,先进封装技术已经发展成为延续摩尔定律、推动半导体产业创新的核心策略。这项技术不仅能够提升芯片性能,还能实现更低的功耗和更小的外形尺寸,为AI和HPC应用提供了强有力的技术支持[1]。* {) i( i5 r* m# y
0 @" w0 l7 D7 h: I; u) y$ q( ?1 t市场分析与发展趋势3 x" C% b) h' k# Q& B( q3 H I& L0 Q3 I
根据Yole Group的最新市场调查报告,2023年全球先进封装市场规模达到392亿美元,预计到2029年将大幅增长至811亿美元,年复合增长率(CAGR)高达12.9%。在整体IC封装市场中,先进封装已占据44%的份额,其中AI和HPC应用的比重正在稳步提升。这一快速增长主要得益于数据中心、边缘计算、自动驾驶等新兴应用领域对高性能芯片的旺盛需求。特别是在生成式AI的推动下,对高性能计算和大规模并行处理能力的需求进一步提升,加速了先进封装技术的发展。& s% j; B% @: J3 G' z8 D0 H8 i( F) z
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图1:先进封装市场增长趋势(source: Yole Group); z6 W8 p; o5 l5 Y$ G' Z
/ \' i) i H/ V( K5 s2023年,全球半导体领域的先进封装资本支出约为99亿美元。英特尔与台积电并列投资第一,各约投入32亿美元,占总投资的31%。三星紧随其后,投资约18亿美元,占比20%。随着市场需求的持续增长,2024年的投资规模预计将增加20%,达到119亿美元。这些投资主要用于扩充产能和技术研发,以满足市场对先进封装产品日益增长的需求。: c3 D* w' d( G' m$ C$ x3 g, B
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先进封装技术体系1 I) F6 `2 x; I. R0 w& x3 o) w, ^
传统的QFP、QFN等封装技术在满足基础电子产品需求方面发挥着重要作用,但随着AI和HPC应用的发展,其性能限制日益显现。先进封装技术通过创新的设计和工艺,实现了更高的集成度、更短的互连距离,从而带来显着的性能提升和功耗优化。目前,WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)技术通过扇出型封装(FOWLP)实现了更灵活的设计方案。其重分布层(RDL)技术允许芯片具有更多的输入输出选项,同时保持较小的封装尺寸。# m2 ?( U: U; D* p! j! ~' A- ^
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图2:主要先进封装技术(source: IDTechEx)0 j2 K6 \* g# Y. `( g, @5 J
0 v/ S- Q1 X# v8 t; l7 G6 m2.5D堆叠技术采用创新的中介层设计,实现了芯片间的高效互连。该技术主要通过硅中介层、硅桥接和RDL三种方式实现。其中硅中介层采用TSV技术实现电气连接,代表产品如台积电的CoWoS-S;硅桥接技术使用更少的硅材料,具有更薄、功耗更低的特点,如英特尔的EMIB和台积电的CoWoS-L;而RDL则通过微影制程提升速度和散热效果,适用于CoWoS-R等产品。% b d0 ^; Y, ]
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3D堆叠技术则通过垂直方向的创新设计,实现了计算单元与内存之间的最短互连距离。该技术主要包括使用微凸块的TSV技术和无凸块的混合键合技术。TSV技术通过硅通孔实现垂直互连,显着提升了数据传输效率;而混合键合技术则通过结合介电材料和嵌入金属,进一步优化了互连性能。同时,光电共封装(CPO)技术作为新一代封装解决方案,在传输损耗、抗干扰能力、带宽容量和能效比方面都展现出显着优势。
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主要厂商技术布局1 G$ F. t. u, k* M6 ~1 a
台积电在先进封装领域构建了完整的技术体系,其3DFabric平台包括前端3D芯片堆叠SoIC技术和后端CoWoS系列解决方案及InFO封装技术。通过CoWoS-S实现量产后,公司计划在2027年推出更先进的12个HBM堆叠的CoWoS解决方案。同时,台积电正在全球范围内扩建先进封装产能,包括在台湾建设新的先进封装厂,以及与Amkor合作在美国亚利桑那州提供先进封装服务。* q5 L; K2 T. J! P1 P) E
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+ B, K& l( K/ B" V* E% i图3:台积电SoW封装技术(source: 台积电) m+ x1 G5 r3 M7 I0 [2 V+ L
+ J, y6 ~ [3 G1 N7 H3 `* W英特尔在先进封装领域投入巨大,开发了EMIB、Foveros等创新技术。EMIB技术通过直接在有机基板中插入硅桥,避免了使用硅中介层与TSV的需求,有效减少了封装尺寸和信号失真。Foveros技术则支持2.5D与3D堆叠,采用TSV与硅中介层,特别适用于客户端与边缘应用场景。在新材料应用方面,英特尔正在推进玻璃基板技术的研发,这项技术可以提供更高的互连密度,将频宽从224G提升至448G。公司计划在2030年前实现玻璃基板的量产,这将为封装技术带来革命性的突破。% r1 N C$ [/ f& i: p6 E6 t
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1 |' q+ [6 n2 }# F' C5 g6 c图4:英特尔EMIB技术(source: 英特尔)
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2 M$ u i+ R5 Q% ]6 r三星则充分利用其在存储器、逻辑芯片和晶圆代工领域的优势,开发了全面的先进封装解决方案。其I-Cube平台基于TSV和后段制程技术,支持2.5D和3D封装,实现了异质芯片的高效整合。H-Cube方案专门针对HBM集成设计,采用混合基板技术,确保了供电稳定性。而采用7纳米制程的X-Cube技术,通过TSV堆叠SRAM和逻辑芯片,显着提升了数据传输速度。 V; K% B5 C. l
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3 B; b; U" d T1 P图5:三星先进封装技术(source: 三星)
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$ n+ |) G% o: |+ o4 N/ j技术趋势与未来展望0 F- a3 o; C$ F u. f
边缘AI的发展正在成为推动半导体产业增长的新动力。通过将Chiplet技术与边缘计算相结合,在采用2.5D堆叠靠近计算单元的同时,使用50~12纳米的成熟制程并结合混合键合封装技术,实现了性能优化和成本控制的平衡。这种方案不仅降低了制造成本,还优化了能源效率,同时提高了产品良率。
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. _3 a, x) E H4 r6 F半导体产业各环节之间的协作也日益紧密。芯片整合商与材料供应商的深度合作,工具供应商提供的专业解决方案,以及HBM/基板产业的协同发展,共同推动着3D IC技术的进步。这种全产业链的协作不仅加快了新工艺和新材料的应用,也促进了产业标准的制定。/ O, k2 n4 }5 b6 L+ U! ]) ^5 O/ x* n
4 ^( \$ t7 z2 h. C. k% f结论/ q* _7 e8 V" u! m4 O
随着摩尔定律面临物理极限,先进封装技术已经成为推动半导体产业创新的核心力量。在全球科技企业的持续投入下,创新的封装技术不断突破技术边界,为AI与HPC等高性能应用提供了强大的硬件支持。这种创新不仅推动了半导体产业的发展,也为数字技术的未来进步提供了新的可能。通过产业链各环节的紧密协作,先进封装技术将继续引领半导体产业的创新发展,推动全球数字化转型进程。4 k" I* y: V1 e- L- r
# Q" q1 l3 {3 G2 e$ w参考来源& t2 b% c) Q1 Z* p) X
[1] S. Hong, "AI时代关键推手——先进封装开启摩尔定律新篇章," EE Times Taiwan, Nov. 25, 2024. [Online]. Available: https://www.eettaiwan.com/magazine/202411/ (accessed Dec. 7, 2024).9 `- W7 z( G: ~8 p
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深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。
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