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铌酸锂薄膜波导的导模分析

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发表于 2024-12-18 08:01:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言
# ^, x( q# o. T铌酸锂薄膜(TFLN)波导因其卓越的电光特性和非线性特性,正成为集成光电子技术中的核心材料。这种波导结构通过提供高折射率对比和强光场限制,为现代光电子技术器件的小型化与高效设计提供了基础。本文从基本原理、模式分析到导模特性展开,介绍铌酸锂薄膜波导的相关研究[1]。
& T# }+ L7 l& \# p# P

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6 @8 }2 y1 h9 X& s4 ?5 G: f, w

, I6 o. h3 [" U6 r铌酸锂薄膜波导简介
: p1 s1 T5 C9 O! M" d, L铌酸锂薄膜或称铌酸锂绝缘体(LNOI)波导由一层薄铌酸锂核心层和硅氧化物缓冲层组成。这种结构因折射率对比大,能实现高效光场限制,被广泛应用于以下领域:
! g) w2 x3 w+ w# T$ Z  k' _+ d4 Q光量子技术系统+ x, s  x+ g# x
光计算
: a! y2 T# k: F) o6 K单光子态处理
8 b3 X1 v3 `+ Q7 z% s& P% ?  Z
铌酸锂的双折射和各向异性特性为模式分析带来了复杂性,通常需要结合解析和数值方法加以解决。
* V, F1 R* e: g  W/ W/ Y% x: X8 u
# ]# s7 A/ y, Z铌酸锂薄膜波导的结构配置. j* o9 O  A8 M3 q
根据晶轴的切割方向,铌酸锂薄膜波导可以分为:
- e+ B6 G  S1 ?) \$ \. R
  • X切片波导垂直于晶体X轴或Y轴切割。
  • Z切片波导:垂直于晶体Z轴切割。/ W% _8 S% Q6 t# C
    每种结构的光学特性各异。铌酸锂薄膜嵌入波导结构的示意图见图1,图中展示了晶轴方向与坐标系之间的关系。! n: t8 K" C  A) ^* o0 c

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    ( `3 I# L) s3 u1 V+ n( S+ ?, o8 c
    图1:铌酸锂薄膜波导的光传播方向示意图:X切片(a)和Z切片(b)结构,标注了不同坐标系。
    6 O3 F0 f: g( V* u* D5 f/ B+ e! z3 @/ i1 C
    铌酸锂薄膜波导的模式分析
      k$ S/ E* P; K模式分析的核心是通过求解麦克斯韦方程,确定波导的导模特性。关键步骤包括:
  • 定义波导的几何结构和材料特性。
  • 确定各向异性核心层的介电常数张量。
  • 通过特征值问题求解模式的传播常数。- x; _" b% P: I4 e7 N
    [/ol]
    # j& y0 `' m/ I% S2 h! D' X典型波导结构及其相关参数见图2。+ \6 U" M2 k2 h- b

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    $ t- L0 n! I# Q+ d
    图2:TFLN波导:核心层厚度为dd,位于底部衬底与上层覆盖层之间。光沿zz方向传播。+ n5 R+ W' x! a* D1 @
    : K: w6 w! l8 ^! H$ c! U2 {
    材料特性与光学特征' G, O. N# D3 d) e
    铌酸锂的光学特性由其普通折射率(non_o)和非常折射率(nen_e)决定,这些参数随波长变化。折射率与波长的关系如图3所示。9 P* y7 m7 \& ]; ^4 t

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    - }; _) A& K9 }图3:铌酸锂材料(non_o、nen_e)的折射率与波长的关系曲线,包括块状和薄膜样品的数据。
    - J$ w; Z& e! {2 K& _4 U, `7 J
    ) N9 N( ?% _, ~# n  x  }7 v. oX切片与Z切片波导的导模特性4 q8 N) D; }2 ^" g: Y4 |! R1 r, G
    X切片波导的导模- |& c: c# U; E2 B5 p% X* [  `
    X切片波导支持TE和TM偏振耦合的混合模式。混合程度由传播角度和波导厚度决定。图4和图5分别展示了空气覆盖层和二氧化硅覆盖层的色散曲线。
    " q1 S" F$ j* M2 ~

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    $ t* P* j) L9 a: @图4:X切片波导(空气覆盖层)的导模:有效折射率与核心厚度的关系,针对不同传播角度。, }1 u' Y- E8 `  b5 G1 j1 ^

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    7 ?+ ~6 T; R! N0 R2 ?1 V! o
    图5:X切片波导(二氧化硅覆盖层)的导模:有效折射率与核心厚度的关系,针对不同传播角度。
    3 P4 W; Z) m( @& S7 I( p) a. Z9 u; X9 H4 l2 T# e6 D
    Z切片波导的导模/ v# }, D: [2 _( T  W
    Z切片波导展现了独立的TE和TM模式,没有混合现象。有效折射率由波导厚度及non_o、nen_e决定。色散曲线见图13。
    3 K8 Y- N% h% B- J7 w6 S

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    2 j* a. m* ~5 v图6:Z切片波导的导模:有效折射率与核心厚度的关系,分别针对空气覆盖层(a)和二氧化硅覆盖层(b)。
    ' w0 L! q9 N! u2 Y4 a
    # T' x  G& L8 ~  {% j模式偏振特性与混合分析
    ; b! B; e8 r# R5 J# M通过偏振比(Π\Pi)可以量化模式的TE与TM分量占比。图12的色彩图直观显示了X切片波导中强混合模式的分布情况。8 S5 L' i' Z. v5 w

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    - R; W; [# I( g* M. W4 ]
    图7:X切片波导中模式的混合程度:不同核心厚度和传播角度下的混合区域色彩图。) p/ p/ w( `4 t& O! w7 j, O$ R
    ) i% r2 x  r' [  E/ l
    模式剖面与场分布
    ; v4 s0 S, q1 L- a+ p矢量场剖面提供了电场和磁场的分量信息。图6-9展示了X切片和Z切片波导的典型模式剖面。
    & v3 M: f* O2 }6 Y1 H3 @

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    ( I+ m7 F8 q4 |6 ]4 A% H图8:空气覆盖的X切片波导中导模的电场与磁场分布剖面。7 v; D' H2 U5 `; o/ V  f0 w1 f$ p9 v

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    ( a/ s* p7 d6 n( K图9:二氧化硅覆盖的X切片波导中导模的电场与磁场分布,几乎没有混合现象。: ^, t6 v$ R. t9 E, K
    7 D: R3 ?7 d( P4 R7 _4 w
    应用与分析
    $ K6 @0 a# G7 @1 \& |铌酸锂薄膜波导在光电子技术线路设计中具有重要作用:
    . P  l0 P& N. Y* x模式特性的深入研究支持更高效的器件设计。! h4 F/ Z+ O5 f: J1 `* Z, C7 f, G( r
    混合模式的特性为光电子系统设计提供了新的功能。5 ~5 B" l6 y8 s& d% n& |" I
    模式分析工具可用于优化与验证设计方案。
    6 x. A/ \+ Q7 u1 ]' Z% k
    7 \# Z7 }6 b$ t7 M/ c
    结论  y6 g. b( E1 B
    铌酸锂薄膜波导因其独特的模式特性,在集成光电子技术中具有重要地位。通过对模式行为的深入分析,研究人员和工程师能够更高效地利用这种材料平台。本文详细解析了铌酸锂薄膜波导的理论基础、模式分析方法以及实践意义。  e4 o9 w% i. F7 a1 ~
    1 _* ?3 @) G7 u: j9 d
    参考文献8 l5 c5 ~  ]' M" h( u% w
    [1] M. Hammer, H. Farheen, and J. F?rstner, "Guided modes of thin-film lithium niobate slabs," Optics Continuum, vol. 3, no. 11, Nov. 2024. [Online]. Available: https://doi.org/10.1364/OPTCON.532822
    2 o* S, r. G) X+ a
    ) |3 _, Z0 b/ N5 ]* G5 X* p( tEND
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    # V9 A1 O( g4 S5 |
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    + l/ t3 i+ ]8 D' \8 a! R欢迎转载
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    转载请注明出处,请勿修改内容和删除作者信息!
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    2 k$ T. k- m/ k7 e- y深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。
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