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引言
. Q0 L, x# I5 b- k1 B0 c1 U; D光调制器在现代光电子系统中扮演着核心角色,通过调控光的特性,在从通信到量子计算等多个领域发挥重要作用。本文探讨光调制器技术的现状、最新突破及未来发展方向[1]。
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图1:不同光调制器技术的性能对比,包括薄膜铌酸锂(TFLN)、III-V族电吸收调制器(EAM)、硅基和聚合物调制器在插入损耗、带宽、功耗、尺寸和制造能力等方面的比较。0 `8 X* n4 ]; Z: ?
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传统硅基光调制器及其局限性; S' B6 \5 X& ?( `, B1 y1 z% U& u
硅基光调制器多年来一直是光通信系统的基础。基于等离子体色散效应,这类器件在过去25年取得了显著进展,数据传输速率提升了三个数量级。现代硅基调制器可实现高达224 Gb/s的4电平脉冲幅度调制(PAM4),使用PAM8调制甚至可超过300 Gb/s。
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然而,硅基调制器面临着源于材料特性的根本局限。当光收发器要求波特率超过200+ Gbaud时,这些器件的带宽难以满足需求。这一限制源于硅的固有特性——在避免过度光损耗的同时保持足够的电导率,这种平衡造成了不可避免的折衷。
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新兴调制器技术与材料
* ]* @6 F/ T+ @+ g) \8 S传统硅基调制器的局限推动了对替代材料和集成技术的研究。薄膜铌酸锂已成为新一代调制器最具潜力的平台之一。薄膜铌酸锂继承了块状铌酸锂的优良特性,包括:
8 S1 u1 s( b2 E: |% ^; F宽透明窗口
3 r. s& o4 x- U7 r! M) n( @7 F大电光系数(r33 = 31 pm/V)
* h _1 i0 }( v线性泡克尔斯效应
4 m& g7 F( p6 v# Y可在多个波长范围内运行
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5 L9 [% a9 w5 K1 T薄膜铌酸锂技术的最新进展已取得显著成果,包括工作在260 Gbaud的调制器,每通道可达1.96 Tb/s的数据速率。该平台具有独特优势,如CMOS兼容的驱动电压和100 GHz的3-dB带宽。
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新兴技术应用) u1 {4 O" y. Q/ H
光调制器的发展与多个领域的新兴应用密切相关。在人工智能和数据中心领域,高速调制器对下一代互连很重要,人工智能计算应用推动了对800G和1.6T可插拔收发器的需求。调制器技术还应用于:
" _* O6 s" {7 D. I2 w3 Y量子信息处理
9 E- a2 T5 s$ a- }( o+ u2 j: W: O9 P神经形态计算
7 d3 E7 H% g& ^5 k# [8 w调频连续波(FMCW)激光雷达6 J+ O+ G: m/ D& E; d1 D1 a
微波光子技术
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特别是薄膜铌酸锂调制器在光计算处理引擎方面显示出优势,提供快速低功耗调制,加速机器学习和人工智能应用。这类调制器还可在低温环境下工作,适用于超导线路中的量子-经典接口。
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! g2 i7 j) u2 p( l9 f9 q挑战与未来方向
( ?& d# h: ?! X! @- o1 u# L( `: e下一代光调制器的发展面临几个主要挑战:
7 J! w% h. `- T2 S+ Q生产成本和规模化:薄膜铌酸锂调制器目前限于150毫米晶圆生产,导致成本较高。业界需要扩大晶圆尺寸,同时保持薄膜均匀性和质量。
; s/ p% R! d. }3 q* b, D2 f: A1 m集成和协同设计:高性能调制器的成功开发需要全面的协同设计能力,涉及光电子和电子芯片设计师、EDA供应商、代工厂和封装专家的合作。! |7 [, @( y; c# O: l3 U) {# J
制造复杂性:虽然硅基光电子制程不如先进CMOS电子复杂,但实现稳定性能和良率需要大量专业知识和制造工艺优化。
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: w5 b% C% B$ Y; t在人工智能热潮和地缘政治因素推动下,该领域正获得来自全球政府、产业和私营部门的增加投资,为学术界和产业界的合作创造了新机会,有望加速创新。% {; F, F% ~1 c5 w
; ^+ ]0 w" P! j) W0 v2 H3 }结论" L i8 _& d3 h8 K! J7 U
光调制器的未来在于成功整合新材料和技术,同时解决当前的限制和挑战。从传统硅基平台向薄膜铌酸锂等新材料的转变,加上设计和制造工艺的创新,将促进多个领域下一代应用的发展。随着业界持续投入研发,光调制器的性能、集成度和功能性将继续提升。
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参考文献
& ?( W a7 L) o V/ i[1] D. Liang, M. Xu, L. Chen, H. Rong, and A. Bechtolsheim, "The Future of Optical Modulation: The PGE Engages With an Interdisciplinary Panel of Industry and Academic Experts," in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 30, no. 4, pp. 1000606, July/Aug. 2024, doi: 10.1109/JSTQE.2024.3448914.* y$ L; v \+ k
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