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引言% a$ b. k" w/ {% U
高带宽存储器 (HBM) 正逐渐成为 AI 加速器、图形处理单元 (GPU) 和高性能计算 (HPC) 的关键技术之一。随着 AI 模型(尤其是参数规模达数万亿的超大语言模型)对实时训练和推断性能需求的提升,存储器带宽与容量的升级变得尤为重要。本文将详细探讨 HBM 的发展历程、技术驱动因素、制造挑战及未来趋势[1]。6 V+ Z, T# n6 a
4 N, Q% a9 `2 x$ a; ?8 [: }; XHBM 技术的发展. J4 G3 G& S3 D" z e* q
HBM 的研发始于 2008 年,当时的目标是解决传统计算存储技术功耗高和占用空间大的问题。通过引入更多 I/O 通道,HBM 实现了在保持功耗稳定的前提下提升带宽。例如,与 GDDR5 DRAM 只能提供 28 GB/s 的带宽相比,HBM 第二代通过 1,024 个 I/O 通道,实现了 307.2 GB/s 的突破。. L1 i6 a; w6 N+ _7 A( B) t
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HBM 技术的持续迭代带来了 HBM3 的广泛应用以及 HBM4 的即将问世。HBM4 将数据线从 HBM3 的 1,024 条增加到 2,048 条,大幅提升带宽,同时集成更高效的堆叠技术以解决热应力与功耗问题。
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& O" O0 p# e9 E推动 HBM 技术的核心因素1 _ ~8 x9 L( c( T
1. 硅穿孔 (TSV)
$ c0 b8 h6 f7 t: PTSV 实现了垂直连接堆叠的 DRAM 芯片,增强了数据吞吐能力。底层的缓冲/逻辑芯片为数据传输提供路径。
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5 u6 u4 M; H ]6 J2. 微凸点和底填材料
5 o2 w P4 V, W0 p7 ~+ P+ d微凸点确保了层间连接的可靠性,非导电薄膜 (NCF) 和热压键合 (TCB) 等创新技术进一步提升了连接效率,减少了缺陷。
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3. 先进封装技术
* F6 b5 @# ^! u6 QHBM采用2.5D 硅中介层技术,通过集成高密度堆叠和处理器连接,实现了比传统平面 SoC 更短、更快且更可靠的数据路径。
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下图展示了一个针对最大数据吞吐量优化的 HBM 堆叠结构:3 S8 [9 |! U* c
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图 1:HBM 堆叠结构,展现多层 DRAM 与底层逻辑芯片的集成。2 z/ ~$ ^* y3 j& H! k8 W
( H* v! b5 u& G3 c1 Z- S- o1 \HBM 制造面临的挑战
3 F! c# _# X5 k1 v3 ^2 Y& @尽管 HBM 技术优势明显,其生产过程仍然复杂且昂贵。主要挑战包括:
2 u; Y S" A6 n) t) p热和机械应力. H& w9 V2 c" ]0 X O
TSV 和微凸点容易因热循环引发分层或金属桥接等问题。/ h$ s, g7 Y! X/ e6 R5 a
6 S& @, h) i$ a: ~' g翘曲问题
. g0 S# s3 H5 p堆叠材料的热膨胀系数差异会导致应力集中,特别是在底层芯片和首层存储芯片之间,以及微凸点连接处。
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可靠性测试) D. ]7 [0 Y) D
高温寿命 (HTOL)、无偏湿度应力测试 (uHAST) 等测试用于检测潜在问题并确保长期使用可靠性。& T1 n9 v& h, \: R
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图 2:三星 DRAM 路线图,展示 HBM3E 和 HBM4 技术的进展。4 G% {, d) _/ R7 j* f
$ o/ x6 K) Z3 a0 i; ]! p- `HBM 的应用与市场趋势
/ J1 N# t" f! e" T7 }( |! @- SHBM 无与伦比的带宽使其成为数据密集型应用的优选技术,例如:0 h, Y A8 t9 F& D7 u w
AI 训练与推断& }/ y: d* W' D+ w( h
大规模 AI 基础设施依赖 HBM 进行实时数据处理和模型优化。
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高性能计算和数据中心
( B3 J* G4 g5 f3 h/ zHBM的高性能使其在成本敏感度较低的场景中表现出色。
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为满足市场需求,HBM 制造商正在引入混合键合技术,以取代 HBM4 的微凸点,进一步提升产量和可靠性。
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未来发展方向
! Y; h4 {% z" Z, _8 C0 \7 vHBM4 的推出标志着存储器技术的重大进步,其关键特性包括:
( e! l6 T' F$ j3 E& e: c堆叠高度增加) R5 F2 m6 _* M0 e# d# y
堆叠层数从 8 层提升至 16 层,存储密度显著提高。
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更高的带宽8 f) D+ d, Z1 T; e( {
传输速率可达 1 TB/s。
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+ c* B y$ c/ M* u% R集成逻辑功能* s) c; T" `$ X$ b* {' a t% \+ M5 T; T
将存储控制器集成到底层芯片以提高效率。
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+ v! w. P& L: xJEDEC 对 HBM4 标准的定义包括模块厚度、层数和带宽的提升,有助于推动更高效的模块化设计。
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2 Y( i: R% B6 R8 S& T4 `3 `( B+ }1 r总结, D0 j. x4 j; B( h4 ?
随着 AI 技术的发展,对高效、高速存储器的需求将持续增长。HBM 技术通过堆叠、封装和测试的创新不断克服制造挑战,广泛应用于光电子技术、光计算等领域。未来的发展将进一步优化集成和性能,以应对 AI 驱动的工作负载需求。
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参考文献
+ v. O4 E2 t$ M7 h6 l, z2 e3 ^( E$ J[1] L. Peters, "HBM Options Increase As AI Demand Soars," SemiEngineering, Nov. 21, 2024. [Online]. Available: https://semiengineering.com/
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