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超高效率硅基光电子谐振调制器

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发表于 2024-12-30 08:01:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言
, U9 ?  ], J9 \! }- b硅基光电子互连正在通过高数据吞吐量和低功耗的特点,推动着数据通信技术的革新。在这些系统中,谐振调制器在密集波分复用(DWDM)链路中发挥着核心作用。这些调制器结合了波长选择性、小型化和能源效率三个特点,对下一代光通信具有重要意义。( O# f, S, w5 Y8 P' J- x5 i

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器件架构与制造+ N" ^9 L- U* a  z
垂直结微盘调制器的开发代表了硅基光电子技术的重大进步。这些器件在300毫米CMOS晶圆厂制造,与现有的半导体制造工艺完全兼容。这项创新的关键在于选择性衬底凹蚀工艺,显著提高了热效率。
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: u4 q& l5 @: Z图1:微盘调制器的全面展示:(a)显示凹蚀沟槽开口的器件布局和完全释放器件的扫描电镜图像,(b)硅图形化后的微盘调制器扫描电镜图像,(c)温度灵敏度仿真显示80度范围内的π/2相移,(d)释放器件的光学显微镜图像,(e)显示60 pm/V调制效率的电光耗尽响应,(f)显示宽自由光谱范围和Pπ = 8.4 mW的热光响应。( p9 e2 @" q* u% `

( B  p6 [& S; P6 X- w7 O热管理与效率( u1 O; j5 l4 O8 t( P; ^
硅基光电子器件面临的主要挑战之一是热管理。硅的强热光系数需要精确的温度控制以保持稳定运行。传统方法依赖集成微加热器,但这些加热器通常消耗约25 mW功率,对低功耗应用不利。本设计的突破在于选择性衬底凹蚀工艺,将热调谐效率提高了三倍以上。  |1 s4 U* y# }( W: e

6 G+ {+ [$ V6 V/ t+ E/ @性能特征1 j- l( \+ a. |! f: r
该器件实现了显著的性能指标。对于半径4.5微米的代表性器件,主要热学指标包括:* Z& O2 r1 `( x  c1 i5 g4 I
功耗(Pπ)为8.4 mW
0 R/ l: b; ~7 X) _0 B2 b工作电压(Vπ)为2.7 V
- @* c7 T; v6 G5 W1 }, R6 \6 g; M调制效率约60 pm/V( ?# N9 u5 C$ [
热效率为0.67 mW/nm5 p: i  P' _! Q" V' l4 W

1 N$ C* R5 a( g; ?* Z* Y垂直结设计使结与光学回廊模式之间的重叠最大化,在保持CMOS兼容电压水平的同时实现了优异的调制效率。设计包括盘内部的掺杂硅电阻,以及100纳米宽的全硅刻蚀,将加热器与结接触隔离。
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制造工艺与创新
- r" f0 a! y% v) B$ W" q3 F制造工艺包含多个在晶圆级别执行的复杂步骤。器件通过AIM Photonics在300毫米晶圆上生产,特别考虑了凹蚀工艺。工艺包括:% T9 x6 N' C/ i9 I; q) m4 k
在器件周围定义沟槽开口) a3 }, |6 \# {! k- H
使用掺杂硅电阻集成微加热器
! L: E8 N, _; h实现100纳米宽硅刻蚀以隔离加热器
) M& A, ]" ~; D" k+ O) s6 V. P7 S使用感应耦合等离子体反应离子刻蚀进行选择性衬底凹蚀( @9 @6 e/ c( D$ ^/ X2 V1 R
使用气相二氟化氙刻蚀进行最终释放
! J, y; M5 f9 W2 ]1 s, P$ y( D
  O' c& L, J- z. e7 L4 M( t$ U
未来展望
0 p; f" u8 q9 `% R仿真结果表明,通过加热器几何结构优化,下一代设计的功耗可进一步降低到约3 mW,比当前标准提高了10倍。高效率、小型化和宽自由光谱范围的结合,使这些器件在未来DWDM硅基光电子链路中具有重要应用价值。
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: d4 ~' ?9 j- ]7 E总结$ K! b4 `7 a' l7 ?- c/ P  h
谐振调制器设计的创新标志着硅基光电子技术的进步。在保持CMOS兼容性的同时实现了记录性的热光效率,为高并行DWDM链路和光电共封装创造了新机遇。
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参考文献
. \" u5 U- @  h& b% q. ^3 \" m- k) {[1] Rizzo, V. Deenadayalan, M. van Niekerk, G. Leake, C. Tison, A. Novick, D. Coleman, K. Bergman, S. Preble, and M. Fanto, "Ultra-Efficient Foundry-Fabricated Resonant Modulators with Thermal Undercut," in 2023 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2023.
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5 n4 a2 d5 |; G( ~0 r转载请注明出处,请勿修改内容和删除作者信息!+ ~+ C) ~3 @0 ?$ I# l
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