日 期
' A7 u' y0 p. [. z" S- R0 I | 第一次课程5 I* e# l* M- R! X; U' Y8 t4 S
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课程主题( i/ M7 T4 `+ ^
| S参数的详解和S参数的应用；# c& j$ V" I% F/ s/ ]) t
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S参数提取实例例应用分析（PCB板级互联仿真分析）(基于Sigrity Power SI软件下的S数的实例应用分析)
1 I( R g. G( Z7 t( H6 f | 【1】S参数的含义与集总参数表示的电路模型构建办法；
* |, y5 r3 f( K( {6 R1 @5 t* m, x【2】S参数的分析，分解，合并，NEXT,FEXT，等效模型；, ^4 J2 `5 v8 m) n+ {6 H
【3】S参数的模型应用与等效电路模型转换办法；1 s- { H8 o$ k
【4】S参数的网络模型图分析与S参数关联参数提取；4 \) J k' C; m9 v: E$ a# ?
【5】S参数的经验标准与常见的行业S参数要求；
/ ]; m+ c8 I& D* m7 Z |
S参数的详解和S参数的应用互联分析（实例分析）' N# U/ ^- m% }0 R l
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【1】实例PCB文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；5 O9 n# Q6 d( V1 a9 m& ] Z
【2】互联网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置；
1 Q! O; a/ r& g0 h6 e) N【3】添加互联端口执行电源类仿真参数设置&提取S参数进行分析；' }2 R- k4 t2 b" \$ g2 G" d
【4】添加互联端口执行信号类仿真参数设置&提取S参数进行分析；, S& j/ G; h# @6 R% i, T2 l h0 E
【5】S参数仿真结果数据解读和报告文件解读分析；" \% }4 B, ?4 @
【6】实例文件的优化和S参数的分析中遇到问题的优化；- Y0 \8 Y. y _- z: B$ e$ p
【7】传输线LRC的等效模型提取和等效的参数解读；; L# v, W5 s1 Z, {
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日 期1 b' n) ^+ D) E) v) D
| 第二次课程5 E6 R! Z, t, k% w9 T
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课程主题
* R6 n9 j% ^9 E | 三维全波场FEM参数分析和互联应用分析（实例分析） k% {5 s* N6 m4 r
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' E0 ?4 ?8 G2 d+ i
+ F/ _. {- n$ D( {1 Q- U3 @1 `5 c6 D# X# o; p; m( P% c# @
1 D& D2 B7 R' h6 Q, {, G* W" J! t# V3 q* s8 S6 }1 \- [. r+ d, ^8 x
7 F3 o5 w6 @7 L! g% c全波场FEM电磁场分析（PCB板级互联仿真分析）（PCB板级互联仿真分析）(基于Sigrity Power SI软件下的全波场FEM分析)9 p R0 d3 [/ P o- j6 |3 f6 V- H( Z; ]
| 【1】电磁感应的产生原理，磁场的场特征；
) q1 `8 a1 P% Z( U8 p【2】 2.5D XYZ三轴磁场，XYZ方向电场E和XYZ方磁场H磁场方向；8 A3 a$ K7 v( X
【3】三维静态磁场，芯片-封装-电路板系统中出现大多数3D结构；2 X4 p9 s8 s% W- z; y; l' Q% M
【4】FDTD全波电磁模拟算法，麦克斯韦方程式来求解；
6 B& V" M B D$ m: U# ^, d【5】实例PCB文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；# ]# {* h( z' O& i! I' X4 V
【6】设置电路模型与电路切割，执行区域仿真切割；
4 D) u, V, b: N+ W7 l# E( K【7】设置电路的PORT端口，设置返回路径和正负端口；
) h0 D6 z3 f$ a+ v+ J! z0 V2 b1 v【8】设置BOX的区域切割的范围，仿真的MESH参数；
6 ?- Q! p9 q- y$ Y, j( k【9】设置S参数的提取分辨率，点数，阻抗的参数；
7 `2 T2 _( F! Y4 S% ^8 D+ B2 j+ y【10】执行结果分析&无源与有源信号端口链路的处理方法；, c$ A. W$ W" N) C: k5 P
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参数结果分析和解读与改善
: j( C5 T% n/ P% M/ B7 I, d' W$ W* D |
【1】全波场S参数分析与解读，S11,S21，S31,S41;4 m( h+ r2 a& p9 M# t
【2】电源&GND输入阻抗和传输阻抗分析；1 \% I$ M3 ^% U! U
【3】电源平面谐振分析，目标阻抗计算与标线检查；
; D, p! i# P6 k! x ~2 ]" W- q【4】PDN平面改善策略与优化传输链路阻抗分析；
$ ?" L) Y7 r3 }. @- h4 z1 n5 `【5】近场辐射场参数解读分析，场强与功率场分布；, a' x m% B4 D5 a+ r0 q) N
【6】远场FCC标准，水平与垂直磁场结果分解与分析；
. `9 B* W2 U- S4 R) K3 t; h" \【7】远近磁场辐射参数切换，场标准解读，辐射场范围；
4 O& ]4 D2 f8 u$ D【8】远场和近场的区分，传输线辐射场的范围计算；& H3 C- A+ `& q9 \' x5 O! a0 Y
【9】二值化磁场结果分布图和结果；最差结果标准；
! l6 t2 s$ k, F# ?【10】近场三维场参数解读，场强功率分布于频率切换下的场参数；
. N, T; c" U+ k! @/ o1 ~【11】高频和低频下的三维场辐射强度分布，谐振点查找；
! W! N3 f! ^3 A0 v5 I |
日 期& t' W+ {4 }' R- F p
| 第三次课程
9 X; s! t. b1 t: O/ B7 _% Y: Q! n' \ |
课程主题
( V# H4 Q+ ?" X1 Q- j | IBIS模型建模相关知识和问题；
7 R. m+ N# G) P; u# H |- A |
IBIS模型建模相关知识和问题处理办法（PCB板级互联仿真分析）（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）
+ W: x! {- J: \( q% v$ ^ | 【1】IBIS元件模型相关知识&IO模型&IBIS文件的框架结构；# C: D1 g2 `% r }4 e/ o
【2】输入模型&输出的模型&IO缓存器模型的模型数据分析；
( k1 z* A" Z; C- u) M1 k) {6 u【3】缓冲器模型部分分析&接收器的阈值&温度和电压&）I/V曲线；( t3 t) [% `: u7 v: v! t+ p
【4】缓冲器特性电压时间的速度& IBIS模型的获取方法；
' a- j- Z$ [9 S【5】IBIS文件中常见的语法错误检查办法&常见的错误修改技巧；; T: v: B: e# s( d1 s0 {
【6】IBIS文件里面电源和GND部分描述模型省略的补救措施修改技巧；
" Z3 Q7 n4 {0 [$ A【7】IBIS文件的获取途径途径和方法；' s- W s1 D5 h. l, v3 m% Z( X/ |: l
【8】XtractIM抽取Spice-T模型和Spice-Pi模型及IBIS.pkg方法；# t/ N0 p4 e5 Q- B f
【9】IBIS模型和Spice模型的转换；
. }5 X7 F$ Z$ k/ D! A+ }+ R! @【10】IBIS下的IO表征和描述行为建模方法；
. B7 W8 p7 I! H0 o |
日 期0 ]- B! `! ` ]% V9 |4 A$ L" q9 g
| 第四次课程! M r' L* t5 Y( q/ N
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课程主题5 K, \2 n: B; |( \- K: P
| 通用时域信号互联仿真分析（实例仿真）( u9 A9 s8 T6 w
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通用信号实例仿真分析（PCB板级互联仿真分析）（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）
/ n9 x! F+ {/ T: l& f& F | 【1】实例PCB文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；, W# t9 b% W1 ]. f
【2】互联网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置；
, S7 ]# e# B) F4 L: k【3】IBIS文件错误检查&错误修改和IO缓冲器的特性检查配置；9 a5 x6 f, g2 v
【4】DIE和封装Package IBIS文件关联编辑生成新的关联IBIS文件；: ^" d c0 G5 n5 m9 X
【5】设置仿真的网络和区域&进行关键网络的链路分析和阻抗检查；% x" G1 k; a2 @) Y5 V0 f8 q" a
【6】设置分析网络的关联信号的GND和VCC分组&关键信号进行分类；
* U2 |. {" }' ^+ T& A【7】关联分析信号元件的IBIS模型&创建多信号分组&信号关联检查；
; y' {/ c$ d; ]7 I* g4 m【8】编写信号激励源的函数&设置激励源&关联信号激励TX发送；
* j: m/ \& M% P: K. [. i【9】设置信号流向关联RX接收&设置对用网络的IO模型关联模型；: d) S/ A# `* r6 W$ ~
【10】设置仿真参数包括Level两个等级&设置参与仿真的信号网络类；% q$ v, f- W8 U! {9 D6 M
【11】执行仿真分析仿真结果&建立信号分析模板对结果提出改进；
4 d; f8 ]+ c7 G Y, L- x |
日 期
$ o: S& O& x# z6 K; p | 第五次课程
+ Y, e: T- u9 I0 B" E5 [4 f |
课程主题2 i! a- K6 p, Y3 Y7 ?4 p) w
| DDR3内存信号时序标准和相关信号评定指标；5 {4 b/ Y' G" G. G# [" g# H
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内存DDR3专题时域信号仿真分析（PCB板级互联仿真分析）（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）0 ?% r; e4 f* N) I
| 【1】DDR3芯片常见的BGA类内存封装选择策略；+ `) k7 q9 |3 g/ j+ J! ^
【2】DDR3 内存中常见的信号分类和信号的各自定义与特征详解；
" L& l+ Q. {4 U8 d' t, T【3】DDR3 地址组&控制组&时钟组&命令组&数据组信号分类和特征；, K2 q4 L% w/ ?& J" y: R/ ] A9 n
【4】DDR3 输入信号VIHAC,VIHDC,VILAC,VILDC,VREF的判断标准幅度；
7 S: ^ b2 ?3 i) h【5】DDR3 单线信号过冲&下冲的最大区域范围和信号的速率及影响；
" P, a% a9 B/ K) n( q【6】DDR3 差分线CLK,DQS信号最大和最小的设置范围区间；
5 c" ?+ u3 {& l5 a【7】TIS,TIH,TDS,TDH,TVAC,AC175,DC100,AC150,AC135等的时序；# t1 F' ~- g l5 o# w6 I6 Z1 ~
【8】建立时间和保持是关系，信号建立时间和保持时间的关联因素；5 m' m7 v# R, m" I3 G1 s% |$ y/ w6 \8 X
【9】信号眼图模板的制作眼图的眼宽&眼高的计算；" |, ~& ^8 {6 `" [
【10】理想和非理想下眼图判断依据标准；# W. w# s( ^% j
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DDR3内存信号分析（实例分析）& u3 f& f6 _0 r6 t- ]+ e
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【1】DDR3实例文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；
9 t9 h+ g; \4 I( Y【2】DDR3网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置；
: M9 o! Y+ o1 l# \6 [【3】DDR3 IBIS文件错误检查&修改和IO缓冲器的特性检查配置；
' m: y8 {, c& m x; Q【4】DDR3仿真的网络和区域&进行关键网络的链路分析和阻抗检查；& Q' [( w+ B% [4 x: T
【5】DDR3网络的关联信号的GND和VCC分组&关键信号进行分类； Y- \2 M( {, T& _
【6】DDR3关联信号元件的IBIS模型&创建多信号分组&关联检查；
6 r% @/ I+ d1 E0 Y2 Y. n【7】设置仿真条件和仿真的参数等级&设置参与仿真的信号网络类；# @. S4 N3 E. y7 f. V
【8】设置参与仿真的信号组类型，地址，命令，控制，数据，时钟；
9 t6 `' Z$ r2 D" } |4 d& n【9】执行仿真查看仿真结果&套用内存时序分析模板对结果进行分析；9 F: |$ l. S# i4 E$ z/ ?' {
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日 期
4 \( E. k R/ ~9 Z | 第六次课程
" F& V5 Z a1 K* E" W- ` |
课程主题
1 D6 g2 ^8 v! S6 B# Y4 e9 q# t, E | DDR3内存信号实例分析结果分析和报告输出；6 l! f4 f0 I- q4 W; ]7 w' }2 B
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DDR3内存信号实例分析结果分析;5 y' {* k; a* n0 M
（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）% `% _8 O' ]- [1 Z4 b
| 【1】CK+,CK-接收数据整理参考内置DDR3模板标准做数据对比解析；/ B! X# ^" M7 r5 `
【2】DQS+,DQS-接收数据整理参考内置DDR3模板标准做数据对比解析；0 E* U/ U6 {$ l$ S7 q
【3】地址组分析结果整理和考内置DDR3模板标准做数据对比解析;) k% w3 s8 Z' [& z5 F2 \+ [7 E1 @
【4】数据组分析结果整理和考内置DDR3模板标准做数据对比解析;8 e( b& A" F" V) ~& `& R
【5】过冲&下冲&信号抖动&眼图模板&定义模板数据比较和初判断；
9 H) [( J5 `6 L9 z( z1 W【6】基于预定义的DDR3内存模板文件输出仿真报告；- g4 A9 p( u6 s& h% }# `! @. f
【7】输出的报告文件进行解读分析&分析建立时间和保持时间的余量；( [7 J1 u: ] @1 {5 W* z+ Z
【8】对输出的报告文件中的最佳建立时间报告进行分析；: H# ]3 Y, U! v* o4 |
【9】对输出的报告文件中的最佳保持时间报告进行分析；2 W% h8 x" X7 I/ `) |, e
【10】对输出的报告文件中的最佳眼图眼高报告进行分析；
) H9 U6 M# |. u' M7 }- S* ~7 q. `; |【11】对仿真中存在的不合格项目进行优化冗余分析；; e4 _! g2 `8 V5 W- T: L
【12】提出改善DDR3的优化策略和多参数分析优化思路；
+ e& m% C; g, A8 j) u |
日 期$ _* w' @- R; G. m: z1 E3 N
| 第七次课程, n/ ]4 D4 n* R) I. ^2 Q
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课程主题1 |# `: W' R! a
| 板级EMI辐射仿真实例分析（实例分析）
7 a4 a( G/ J7 ~+ W |
板级EMI仿真实例分析（基于Sigrity Speed2000软件下的板级EMI分析）
) J( A6 y# i0 I/ b# z | 【1】实例文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；
- `! r) _, C2 y: q【2】互联网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置；! a1 K3 U3 ]( L4 g, m; l3 g+ D% |% b
【3】IBIS文件错误检查&错误修改和IO缓冲器的特性检查配置；
! Q, n/ V+ A% y【4】设置仿真的网络和区域&进行关键网络的链路分析和阻抗检查；$ U5 ]0 V) Y/ a: d0 R. Z, |! F
【5】设置分析网络的关联信号的GND和VCC分组&关键信号进行分类；/ r8 M# n8 \0 r; ^+ i
【6】关联分析信号元件的IBIS模型&创建多信号分组&信号关联检查；" o" w7 d, A; U6 E7 q) I
【7】编写信号激励源的函数&设置激励源&关联信号激励TX发送；' k3 t7 ?* \1 b: {8 r/ ^
【8】设置信号流向关联RX接收&设置对用网络的IO模型关联模型；- W# ^; W) M' u$ \. _
【9】执行仿真分析仿真结果&近场辐射场参数解读分析；
7 @3 w6 [/ H/ z1 v" x【10】远场FCC标准，水平与垂直磁场结果分解与分析；! p" Q9 t) m/ M/ G2 B3 j
【11】远近磁场辐射参数切换，场标准解读，辐射场范围；
, p, ?. P+ N( T- }+ |" f2 r【12】远场和近场的区分，传输线辐射场的范围计算；" j, m; ~; J( R Y6 V' e% L- Q, b
【13】二值化磁场结果分布图和结果；最差结果标准；
) g6 K) t/ e: f1 {2 v% I; D$ \+ G【14】近场三维场参数解读&空间辐射源查找与信号辐射优化策略；
7 W/ u' R* e5 J0 s7 [. n! i- |8 ` |
日 期3 }: q4 e5 o6 z$ n$ m7 o7 g
| 第八次课程
3 _" p4 _) n3 Y. G3 C; U h$ |& l- E |
课程主题
5 L6 j1 l" I& J$ X | 10G封装体全波场高速串行信号仿真实例；
3 r. ^' M) C# c |
10G封装体全波场高速串行信号仿真实例;( A! G& `) _7 |- s% Y, R
（基于Sigrity SYSTEM SI高速互联模块的实例分析）
' M+ S( \3 H1 l r* p/ @3 \2 T | 【1】封装体全波场S参数提取&3DFEM全波场S参数提取；: l, _7 ?0 m9 Y) ~4 b6 V
【2】10G S参数结果分析和S11,S21信号质量评估；7 S: t! Q+ z' G y- R: R
【3】BNP&TS文件转换和SPICE等效模型转换与分析；0 K5 E3 c7 B( Q; {6 |2 W) W
【4】SYSTEM SI 系统仿真链路搭建与模型关联；
' n, e9 Y% n: O0 A2 r【5】IBIS-AMI信号激励码的设置与模型匹配；+ N& H# {$ t/ V
【6】信号仿真执行和注意事项和常见问题；
% c: A, F8 X$ g# |9 ?【7】结果分析和解读，10G 69A-7标准规范&信号抖动公差；；
$ P( g V+ D' t; N6 ?7 W【8】结果分析和解读，差分对TX/RX信号误差对比分析；# L z5 E1 b$ R& R6 O# w! @
【9】结果分析和解读，S21信号插入损耗分析&拟合衰减&插入损耗；. y* k5 N# \4 }2 R1 I, b! h" {
【10】结果分析和解读，S11,S22回损分析，TX S11&RX S22；3 I# [4 Q4 _! Q, V5 h, ?
【11】结果分析和解读，TP1和TP4之间的串扰DB；
- X" v$ ?) A! X" Z0 O【12】信号分析结果优化与信号质量改进方法；0 f! a( C+ d0 ]& O- Z# V
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日 期5 Q+ j: k' G2 g
| 第九次课程
H9 ]4 e1 Y- D1 y9 ~1 d |
课程主题
7 D9 }8 k' W; O& U4 o) |4 j$ X6 u* U9 b* x | PCB互联电和热混合仿真的效应基础
. ]! w7 s1 P W |
PCB直流压降与电热混合仿真；
. Q8 \5 l9 M+ z) W& k3 D' ~& ~（基于Sigrity PowerDC软件下的电热混合仿真）
: d2 y- A# k' G | 【1】欧姆定律与电路的电阻计算方式；
( U2 e. J F. ?5 D【2】直流电路的压降分析与电路的回路系统； H( l: a. n" H$ m* \8 p7 G6 v
【3】封装堆叠与封装结构体中的电压回路系统；+ j0 J, i! Q* H( j: N' d& m) d" `
【4】电源树和导入电源树后的BLOCK分布编辑设置；
1 y: S2 l$ g, k( `* X【5】导入回路与常见的热通路热阻模型；
# M8 y4 s7 X; {【6】热流密度与电热的相互效应参数；% \1 ?6 I- G) y' V
【7】铜皮，金，银，钨等金属材料的电和热参数；
$ a" B# b# _$ I3 [$ ]【8】通用的热与散热处理方法，热通路和电通路；4 C q! q. H7 }9 F7 G7 g8 z
|
课程主题
( L7 k* @0 Q" z% k | PCB（单或者多板）互联电源系统DC电参数分析；（实例仿真分析）
1 _+ E) C) x) K) O; c' q0 J |
PCB直流压降与电热混合仿真；
$ f9 n: d) H' }& `0 w5 f3 w（基于Sigrity PowerDC软件下的电热混合仿真）& Y! O7 Z3 w) l! Q' S
& }0 t- A# f4 i% J2 h
| 【1】建立项目载入文件，封装参数SPD;
" N1 N/ }+ j+ Q$ M【2】叠层设置，材料的电参数设置，过孔参数设置；
$ }9 G- d7 w' N+ ~/ M% m【3】封装体预览与三维结构体分析；
5 |- P1 W7 s( s* r* H【4】设置电源和GND，网络归类；0 @; P! Y6 R4 j; z
【5】设置VRM电压源&设置Sinks负载，设置输入和内阻模型；
: `5 L' _7 i5 {" V& e【6】使用Power Tree建立参数模型和构建互联的DC模型；0 F' y$ x. u7 }5 U2 b
【7】设置规则，电参数设置，层，过孔，电路密度参数；
2 }; ~6 w @( n3 Y【8】仿真和分析结果，解读仿真结果。
' Z, ~: G2 U1 p& z0 X【9】电路&电流热点超标点查找，与改进方式；
8 |% _/ ?5 K- P, d8 R【10】VCC&GND 3D电路电流密度分析，动态热点分析；- P5 ~% G* a( w1 c
【11】改善策略与分析&多参数扫描分析；
* _ e8 `* d; J |
PCB（单或者多板）互联电源系统电热混合参数分析；（实例仿真分析）
3 A e) i# T2 @- E D0 C" _$ ~ |
【1】建立项目载入文件，封装参数SPD;
( K) {0 C" s# c0 B% i【2】叠层设置，材料的电参数设置，过孔&热参数参数设置；
8 l6 a* h4 h4 U9 N: Z7 v6 \: T【3】封装体预览与三维结构体分析；3 r1 H6 F P6 ?6 E
【4】设置电源和GND，网络归类；) j7 u- e* m8 R6 u4 V
【5】设置VRM电压源&设置Sinks负载，设置输入和内阻模型6 Z+ f5 Y1 H& @2 v/ @6 D
【6】使用Power Tree建立参数模型和构建互联的DC模型；
. i I- t4 [# `3 b【7】设置规则，电参数设置，层，过孔，电路密度参数；* Q8 ^! H( S/ g0 l
【8】设置仿真环境温度，风扇，风速，热环境；6 H$ H0 h1 c; O- e, T
【9】 设置热元件参数，MCU,MPU,电源等大电流器件的热阻模型；. `1 B$ b/ K6 i! ~8 k" s
【10】散热片设置，元件模型散热片与安装位置设置，导热设置；
, ]7 y8 X8 V4 C【11】设置热分析标准，建立热分析规则； u( E( d* P2 ?; _& d7 ]
【12】仿真和分析结果，解读仿真结果。1 L5 U' E. W- f. @- ~
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电热混合参数扫描结果分析
( Q! \, i8 ]; V; L& L |
【1】电路&电流热点超标点查找与系统与改进的方法；7 a" S0 ^4 z i& R# h. ^
【2】VCC&GND 3D电路电流密度分析，动态热点分析；
6 d6 g& X* f, [6 i【3】3D热温度分布分析，热导图分析；
0 C9 C" v( _5 B2 q! ^/ T【4】热辐射对元件的MTBF寿命参数与寿命分析；+ p7 j' X. U5 B& c4 a9 N& v
【5】改善策略与在分析&多参数扫描分析；: p; v q+ I5 r9 o# L D z
【6】整理资料输出电热混合仿真报告，给出整改建议；
0 `/ e6 W" J! \- g2 ^ i z& I【7】分析电密度超标区域&分析热密度超标区域&提出改善措施；0 B- P& I1 P6 v8 i0 z, U3 R- m
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电子产业一站式赋能平台
窥视卡
置顶卡
变色卡
