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电路的环路怎样才算小?如何定量判断?

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发表于 2024-12-10 07:30:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
在硬件电路的设计过程中,老工程师们经常意味深长地提醒新手们:3 t1 O3 z5 d1 R1 C; V- J
“你这个环路绕得太大”( C! ^4 E, h( s& ]  P
“你这个电感不能这么放,走线绕远了”
& a% a; k! n, Y% _" E' c8 D/ W* L5 ?“PCB走线要尽量控制环路面积”,4 Q& s- u' V8 x! d" I/ }' o
硬件设计要减小环路”,; C/ M" N6 m9 u$ j
……诸如此类,可是不晓得新手们到底是否理解环路怎样才算小,小到多少才算小?今天我们就一起来探讨下这个。
1 j- @" }3 x) i9 s5 N$ g
/ }2 ?% Y. T2 ?: \& M0 L  q( l2 Y3 M  T, y" b- B, [
" B" B6 M, K5 N8 q% _" ^
一道问题% t& z% p( C* u* w. c
; `9 V/ k: s/ U! s
照例,我们先抛出来一道问题:硬件电路的环路,怎样才算小?如何定义这个小,有定量的计算吗?
5 e% ]& ~, I% l7 S& L8 Z$ E$ S, v1 H/ r* E

$ Y2 d2 H; K- J哪些环路需要关注?+ W  P' @2 F6 d+ w
2 M: y7 H% X0 ]  ?0 d7 g) w
一个电路里面可以包含有多个环路,大小不一的环路。  O2 n7 I) P, @: Q( A
比如在之前有提到过的由退耦电容构造成的输入环路,如下图所示:
, p3 v* ?. A7 v. y9 F( ]: `. C$ @
  M2 d- P: d6 b3 ^7 S0 M) L
# }: ~! x: G+ C# ~" d1 `1 F

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  \1 f4 R1 E, q! N* j: E- y+ Z
$ ?  x+ T7 d: }0 ^; S. ?: x0 D0 e比如之前在讲Buck电路时有提到过FCCM模式的4种电流回路,如下图所示,是由于电路在不同工作状态下开关器件动作构造出的不同环路。7 W' X3 U1 E+ ]! I" {
3 D; l0 X1 R: g% t+ L& v: `% l6 h5 _* d

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( O: @. C3 p/ T

- f/ c3 t, v4 o+ O6 N7 I由此看来,电流环路可谓是五花八门,多种多样。怎么办?我们需要都关注吗?# [) F  A+ S; ^
答案是不需要!我们只需要关注那些具有高dV/dt,高di/dt的环路。而那些仅仅是直流或者变化率很低的环路,优先级可以适当往后放一放。
$ e* K/ S; m$ o因为具备高dV/dt,高di/dt的环路,其内部的交流分量、谐波分量往往很多。从emc三要素的维度来考虑,这种环路就是三要素中的干扰源,需要给予“重点关注和特殊照顾”。
9 S/ [3 U9 ?7 z+ y
! N- F+ m9 K7 ~7 W& u0 g( {
0 F4 f5 ?8 L' S( |如何关注和照顾?
1 `$ P/ g( T$ U# o+ W; G1 A/ a6 Z! ^* B0 a  u* h; B
这里说的“关注和照顾”,就是文章开头老工程师提到的“PCB走线要尽量控制环路面积”、“硬件设计要减小环路”,还有“回流要顺畅”、“回流路径要尽量短”、“参考层要完整”……这些,不是本次要讨论的重点,具体不做展开。
0 D: F6 ?4 x+ j4 X7 t% q; o% S
; ~. X' \' D4 U/ S  z  Y1 U% F# W$ Z6 k. W' M" d
怎么才算照顾到位?
5 d9 i9 \0 H1 F2 O9 z3 v/ S. v- e4 R, p8 E7 N/ i" T+ J* e( F- X
照顾到位”,也就是老工程师口中提到的环路要小的“环路小到位”,如何定量衡量?这个问题,不晓得屏幕前的你是否考虑过、研究过。: [* U$ Z7 _. X
可能有的同学会说:要结合具体的电路设计,比如一个Buck电源,需要结合器件封装、PCB尺寸、器件布局、电流大小等要素来确定器件布局,以达到器件之间的“紧耦合”,让环路尽可能小。很难去定义怎么才算小。1 k- {- Q2 a/ t/ Y" c9 p
好的 ,那既然不好定义如何算小,那我们换个思路,如果判断这个环路是否太大,有没有一个限值呢?恐怕这个问题,也很难回答。今天二火从EMC的维度来探讨下。; g3 S( G6 }; e1 h" B! Z4 ]
在之前的文章中有提到,在自由空间中,环路辐射强度的公式:
  L$ u2 t1 A' X& ~' L
4 A: ^7 H* G7 z* C1 d  c, w

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  m! T' S- o) q: Q  J/ S2 ]+ `
( d, z( [* y1 M$ a2 v3 N
E是电场强度,S是环路面积,I是电流,f是频率,d是和环路之间的距离。由此可以看出,环路面积S越大,空间辐射强度E就越大。所以,前面提到的尽量控制/减小环路面积是有道理的。
" I/ W+ H: X4 z3 R. P1 w( v) F但是这个公式是以自由空间为讨论的前提,在现实世界中,我们绝大部分的电子产品都是在地平面上工作的,大地类似一个镜子,提供了一个反射面,这个反射面增大了可以测到的辐射量,大概是2倍的样子,我们对这个公式的系数稍作调整:9 c2 G  C# p/ e: G5 t! _0 \7 P3 f3 M
; Q* l6 b' Z* ]3 M; ~  S6 m

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" [8 F3 a: h# p: S$ y

8 a' m9 A4 w& }7 E有了这个公式,我们再稍作变换:: j9 X! M( g) ]' x

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3 y; r9 o  t0 S  E

+ b1 j6 L6 N( g2 ~. t6 h) a. E把环路面积S单独挪到左侧,这样我们就得到了关于环路面积的求解公式。我们分析下上面的式子,E是电场强度,单位是V/m,d是距离,单位是m,I是环路电流,单位是A,f是频率,单位是Hz。& P; L# y; z& A9 [9 d' ~9 b) Z: A) e- ?
回想下,我们在做EMC实验室做测试时,好像上面E,d,f这三个数值都有,只有I和S不知道。在CISPR25标准中,清楚地写到各个频率f段内的电场强度E的限制,实验室环境搭建中明确了天线距离待测物的距离d。
3 i0 v2 S) S3 B3 g
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" V# \& q3 L/ Q  w6 j

/ q/ j% Q+ u# A; g/ v) w  V) w如上图红框所示,辐射骚扰测试(ALSE法)中Class3中,明确要求在30MHz时,E的PK限值为52dBuV/m。3 E9 P6 X% e- m) n* B

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, s* l  J: ~2 k* D

4 W) y# N0 ]# W* Q; w如上图红框,辐射骚扰测试时天线距离待测DUT的距离d规定是1m。如果我们的产品要求是满足CISPR RE Class3,我们想知道f=30MHz时,环路面积不能超过多少,此时我们知道,在f=30MHz时,Emax=52dBuV/m,d=1m,还缺少一个数值:环路电流。注意,这个电路是我们设计的,环路电流心里多少应该有数,假设I=25mA。' G6 G( B( w" W5 C5 d
那么,我们根据上面的公式,可以求解出Smax=6.72平方厘米。注意上面公式中单位的换算哈,V/m和dBuV/m,A和mA,Hz和MHz。
# b& R0 {  e. ]7 Z这样我们就可以知道,在30MHz时对于25mA的环路电流,在距离1m处电场强度限定为52dBuV/m时,环路的最大面积是6.72cm2。如果环路超出这个面积,那么辐射可能超标,不能满足法规要求。9 j5 U1 ]# H- |, X" T6 x$ P
% v+ x$ ]/ A: O  {

; A. E; O3 N1 h7 B4 P. w, z总  结, e& ~1 H$ K% }
$ k+ Z4 O" k8 H  k" u
先聊到这里,梳理下今天讨论的内容:
$ `, a1 Y  z3 J& a( Z% K/ y4 J①提出问题:环路要小,怎样才算小?+ N/ D8 \; ?& }* ?5 p8 c
②限定范围:具有高dV/dt,高di/dt的环路才需要重点关注;
1 j7 D9 B7 Y' T! Y2 K" C! a③解决方案:控制环路的多种措施;8 x7 N5 J# g  B  {9 C
④衡量标准:给出定量判别的标准。$ P' d  X" q- E$ R
9 N! H' [3 k; E+ O
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声明:! q2 M* _8 m1 O6 u$ O
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' w( ~; ~; j; H7 L+ i                                                                                        实测分析:怎么理解电容的直流偏压特性?
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